1.一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法，其特征在于：采用英国logitech公司lp50型磨抛机，工艺方法包括如下步骤，
第一步，配制抛光液，抛光液一：去离子水15l倒入干净的抛光液桶中，使用0.01g电子秤分别称量氯化物粉末100～200g、硫代硫化物粉末150-250g、多聚磷酸盐粉末100～300g、碳酸氢盐粉末40～150g，倒入15l去离子水中，搅拌机用700rpm搅拌10min，抛光液二：去离子水15l倒入干净的抛光液桶中，用1000ml量杯称量含粒径85µm的sio2颗粒溶液1～2l全部倒入15l去离子水中，用玻璃棒顺时针搅拌10圈；
第二步，将无蜡垫（1）粘贴在加压组块（2）底面上，无蜡垫（1）为材质是阻尼布、中心有盲孔的的圆片，厚度1200µm，外圈直径101mm，内圈直径100.3mm，孔深=晶片厚度*0.75±5μm；
第三步，将抛光布（4）贴在抛光盘（3）上，抛光盘尺寸为37cm即14.6"，抛光布外形尺寸与抛光盘（3）外形尺寸相同、厚度1.59mm，密度0.36g/cm3，压缩率13.7%，压缩弹性率89.9%，硬度41.5°；
第四步，将带有三结砷化镓外延层的晶片正面向上放置在无蜡垫（1）的孔洞中；
第五步，将加压组块（2）卡在旋转导轮（6）上，其中三结砷化镓外延层面贴紧在抛光布（4）的上端面，执行自查程序，查看加压组块和晶片的自旋状况，具体过程如下：
一）、向加压组块（2）气体加压，加压时间5s至压力3～8kg，恒压，时长15s，同时施液管（5）向抛光布（4）的上端面送去离子水，流量5～10ml/s，
二）、观察是否有跑片现象，自查程序结束后，取下加压组块，观察晶片表面情况，如一切正常则证明设备运转正常，可继续进行下面正常工艺流程；
第六步，自查程序执行结束后，执行厚度去除工艺程序，具体过程如下：
一）、将加压组块（2）卡在旋转导轮（6）上，其中带有三结砷化镓外延层的晶片正面向上放置在无蜡垫（1）的孔洞中，外延层面贴紧抛光盘（3）上的抛光布（4）上端面，
二）、加压，加压时长5s，压力5～8kg，
三）、施液管（2）送抛光液一，流量5～10ml/s，时长3～8s，
四）、施加抛光液3～8s后，开启抛光盘（3），加速时间3s至转速达15～50rpm，转速稳定时计时开始，运行20～50s后降低抛光盘转速，减速时间3s至转速降低至0rpm时，关闭抛光液，取下加压组块（2），用去离子水冲洗外延面，冲水时间5～20s，
五）、用去离子水冲洗抛光布（4），冲洗时长5～20s，抛光盘转速20～50rpm；
第七步，执行表面精细处理工艺程序，具体过程如下：
一）、将加压组块（2）卡在旋转导轮（6）上，
二）、对加压组块（2）加压，加压时长5s，压力1～8kg，
三）、同时施液管（2）送抛光液二，流量3～10ml/s，
四）、施加抛光液3～8s后，开启抛光盘（3），加速时间3s，转速10～20rpm，转速稳定时计时开始，运行60～300s后降低抛光盘转速，减速时间3s低至0rpm，关闭抛光液，取下加压组块（2），用去离子水冲洗外延面，冲水时间5～20s；
第八步，从无蜡垫（1）内取出晶片，放入清洗篮中溢流静置10s后进行清洗；
第九步，由于加工后晶片表面会有有机物和局部化学反应层的存在，为了更好的检查晶片的表面质量，需用碱性化学清洗液和去离子水进行兆声清洗机浸洗，具体步骤如下：
一）、晶片整篮进行碱性化学清洗液浸洗，时长120～1000s，碱性化学清洗液配比为表面活性剂：koh：去离子水=1:2:200，
二）、用去离子水浸洗，时长60～200s；
第十步，干化，程序分为3段，总时长180～440s，具体包括：
一）、旋转喷淋，转速1000～1800rpm，时长60～120s，
二）、甩干，转速1200～1800rpm，时长60～200s，
三）、烘干，转速500～1500rpm，时长60～120s；
第十一步，对抛光完毕的晶片分别进行表面质量和整体平整度检验。