技术总结
本发明涉及一种用于三结砷化镓外延层表面平坦化处理的工艺方法，配制两种抛光液后，将晶片放置于压块上粘贴的无蜡垫内；三结砷化镓外延层面贴紧抛光盘上的阻尼布，执行自查程序，查看压块和晶片的自旋状况；自查程序执行结束后，施加第一种抛光液，执行第一段抛光程序；第一段程序结束后，关闭第一种抛光液，施加第二种抛光液，同时执行第二段程序；第二段程序结束后，关闭抛光液，从压块上粘贴的无蜡垫内取出晶片，放入白花篮中进行清洗。技术效果是解决了目前三结砷化镓外延层无法在保证表面质量的前提下达到1µm整体平整度和3nm以下表面粗糙度的问题，可以有效地提高三结砷化镓外延层表面平整度，降低表面粗糙度，提高键合效果。
技术研发人员：李穆朗;张雁敏;曹志颖;王东兴
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
技术研发日：2019.11.01
技术公布日：2020.01.17