含卤素的碳材料及其淀积方法

专利名称：含卤素的碳材料及其淀积方法
技术领域：
本发明是关于一种碳材料和一种碳的淀积方法，更详细地说，是关于一种含卤素的碳材料及其制造方法。
最近ECR(电子回旋共振)CVD(化学汽相淀积法)作为制造薄膜特别是非晶态薄膜的新方法已引起了研究人员们的兴趣。举例说，松尾等人在美国专利4，401，054中公开了这类ECR CVD设备的一种类型。这个最新技术利用了微波能来激发反应气体使其变成等离子体。磁场的作用是在激发空间内箍缩等离子气体。在该激发空间内，反应气体能吸收微波能。待涂敷的基片系远离激发空间安置，以防受到溅射。令受激励的气体从共振空间簇射到基片上。为产生电子回旋共振，共振空间的压力系维持在1×10-5托，在这个压的作用下，电子可以看成是独立的粒子且与电子回旋共振中的微波能在磁场强度满足电子回旋共振要求的某一表面上共振。用发散磁场将受激等离子体从共振空间中抽出，然后引到远离共振空间的淀积空间中，待涂敷的基片即配置在该共振空间中。
在这类现有技术的方法中，要淀积多晶或单晶结构的碳非常困难，因此目前现有的一些方法实质上只局限于制造非晶态薄膜。此外这类现有技术不能轻易地完成高能化学汽相反应，因而迄今不可能形成钻石薄膜或其它高熔点薄膜或在具有凹陷的空腔的表面上形成均匀薄膜。再有，过去不可能在象碳化钨之类的超硬金属表面涂敷碳薄膜。因此需要在超硬表面上敷上硬度足够大的作磨料用的钻石细粉，并使钻石粉与基片表面之间有牢固的机械接触。
此外为了保护玻璃、塑料、金属、树脂等表面免受磨擦或刮伤之类的机械侵袭，有效的作法是在这些表面上淀积上硬质薄膜，例如，由Al2O3、TiN、BN、WC、SiC、Si3N4和SiO2制成的薄膜和日本专利申请书昭56-146930中所述的那些薄膜。但这些一般保护性薄膜的电阻率高，因而必然会产生静电，在其表面上聚集着周围大气中的尘埃和细粒子。另一方面，这些薄膜用在使用静电的用途上时，由于薄膜上堆积着静电，因而加速了薄膜的老化。
为防止这个缺点，可以在保护膜中加入导电材料。但在这种情况下，所加入的物质对入射光来说起了吸收中心的作用，因而加入了导电材料的薄膜不能用在保护薄膜要求能透光的用途上。
再有，这类通用的薄膜可能因累积着的内应力而剥落，这视乎淀积的情况而定。因此需要减少厚度，或者在保护膜与下伏表面之间插入具有高度粘着性的中间层薄膜。
因此本发明的一个目的是提供一种优质的碳质材料及其制造方法。
本发明的另一个目的是提供一种具有高度粘着性的优质碳质材料。
本发明的另一个目的是提供一种其特性易于控制的优质碳质材料。
本发明的又另一个目的是提供一种其中累积着小应力的优质碳质材料。
根据本发的的一个方面，除碳氢化合物外，还往反应室中加入卤素气体或卤素化合物。卤素化合物的例子有，象NF3、SF3和WF6之类的氟化物，象CCl4之类的氯化物，象CH3Br之类的溴化物和碘化物。本发明的碳质材料含有0.1-50原子%的卤素，其量通过调节卤素化合物气体的引进速率加以控制。
从防止腐蚀反应室内壁的观点看，氟是卤素中极其有用的一个。碳化合物气体中最好不含卤素元素，以易于控制卤素添加剂的比例。CH4与CF4发生反应时，按下式产生碳原子团
碳质材料的电导率、透明度和硬度随卤素的比例而变化。下面谈谈实验结果。
采用以10SCCM引入的乙烯和在各种不同速率引入的NF3淀积碳涂层。反应室中的压力为10帕，输入功率为0.08瓦/平方厘米。电导率与NF3引入速率之间的关系如

图1所示。电导率随着NF3引入速率的增加而增加。透明度与NF3引入速率之间的关系绘制于图2中。透明度随NF3引入速率的增加而增加。图3绘制了硬度与NF3引入速率之间的关系。硬度减小意味着内应力减小。
如上所述，按本发明淀积的薄膜其电导率、硬度和透明度都不难在广范围内加以控制。某种用途所要求的最佳性能可在较低的生产成本下获得。令其它淀积条件保持不变只改变卤素化合物的引入速率可以控制卤素的比例。但在输入功率、反应压力、出料容器的形状和/或产生碳的气体的引入速率变化的情况下也可以改变该比例。例如图4描出了输入功率变化时电导变的变化情况。从图中可以看到，电导率随着输入功率的增加而增加。当然在绘制图4的曲线时，NF3流量和C2H4流量等其它淀积条件是保持不变的。
本发明的另一个优点是淀积出来的薄膜中的内应力小。悬空键具有使应力增加的倾向。往碳质薄膜中引入氢原子可以终止悬空键。但即使有了氢原子，某些部分的悬空键不可避免地仍然会残留着而不终止，这是造成内应力的一个原因。因此若等离子气体中存在有象氟之类的卤素，则不难产生C-F键，结果使悬空键的密度的大体上因为氟原子所终止而减少。
本发明的另一个优点是耐热性能高。
本发明的又另一个优点是加工温度低。在这些低温下，甚至在硒或象塑料之类的有机材料上也能形成碳涂层。
根据本发明的另一方面，提出了一种利用混合回旋共振的CVD新工艺。在经改进的激发方法中，除了反应气体的各粒子与磁场和微波之间的相互作用之外，反应气体本身的声波作用也必须作为不可忽略的干扰加以考虑，从而使反应气体的带电粒子可在较宽的共振空间内加以激励。压力最好保持在高于3托的大小。在混合共振中，反应室中的压力提高到现有技术的102-105倍。举例说，可以在低压下发生电子回旋共振之后提高压力来建立混合共振。即，首先在磁场存在的情况下输入微波，藉此使等离子气体在1×10-3至1×10-5托下进入电子回旋共振状态。然后往等离子气体中输入反应气体，使压力提高到0.1至300托，从而使共振从电子回旋共振(ECR)状态转变成混合回旋共振(MCR)状态。
图1是本发明中的电导率与NF3速率的关系曲线图。
图2是本发明中的透明度与NF3流量的关系曲线图。
图3是本发明中的维克斯氏硬度与NF3流量的关系曲线图。
图4是本发明中的电导率与输入功率的关系曲线图。
图5是本发明化学汽相淀积设备的横向剖视图。
图6是本发明中透明度与波长的关系曲线图。
图7是本发明另一种化学汽相淀积设备的横向剖视图。
图8(A)是用电子计算机模拟的某一横剖面上的磁场等势表面的轮廓图。
图8(B)是等离体产生空间中的微波能的电场强度，其X轴与图8(A)的相对应。
图9(A)和9(B)分别为分布在共振空间中的微波能在磁场和电场方面的等势表面图。
图10是本发明的另一化学汽相淀积设备的横向剖视图。
图11是本发明的又另一化学汽相淀积设备的横向剖视图。
图12、13和14是按本发明制造的装置的横向剖视图。
参看图5，这是根据本发明在一个表面上淀积碳质材料用的等离子体化学汽相淀积设备的示意图。待涂层的表面系由，例如，玻璃、金属、陶瓷、有机树脂等制成的。
该设备包括一其中确定反应空间的反应室、第一电极11和第二电极12、通过一匹配用变压器14供电的高频电源13、在电极11和12之间串联连接的直流偏压源15、由四条各设有一个流量计7和一个阀门6的通路组成的供气系统1、供激发来自供气系统1的气体用的微波能源10、将微波源10所激发的气体引入反应空间20所通过的喷咀29、和排气系统16，排气系统16包括压力控制阀17、涡轮分子泵18和回转泵19。各电极系设计得使(第一电极11的面积)/(第二电极12的面积)＜1。
在该设备中，氢载气从供气通路2引入反应空间20中，甲烷或乙烯之类的烃类反应气体也从供气通路3引入反应空间20中。此外NF之类的卤素化合物气体通过供气通道4引入反应空间20中。可用微波能源10进行预激发。维持反应空间中的压力在0.001至10托之间的范围，最好在0.01至1托之间的范围。往反应气体中加频率不低于1千兆赫(最好是2.45千兆赫)0.1至5千瓦的高频电能，供破坏C-H键之用。当选用0.1至50兆赫的频率时，可使C＝C键断裂成-C-C-键。借助于此反应，可使碳原子淀积有少量卤素，在该卤素原子的结构中至少局部出现金刚石结构的形式。
在直流偏压源15处设-200至600伏的偏压。实际偏压电平大致上为-400至+400伏，因为在偏压源15的偏压电平为零的情况下，自然加在电极11与12之间的自偏压电平为-200伏。
实验是在淀积情况下进行的，其中选用50瓦和1千瓦之间(例如60瓦)的输入功率，反应空间中的压力为0.015托，乙烯流量为100SCCM，NF3流量为100 SCCM，基片温度为室温，淀积时间为30分钟。此输入功率相当于0.03至3瓦/平方厘米的等离子体能量。测定淀积出来含氟原子的碳质薄膜的透明度，在图6中绘制成曲线。从图中可以看到，在波长大于600毫微米时透明度不小于95%，波长为400毫微米时，透明度不小于50%。测定出来的维克斯氏硬度为1000至2500公斤/平方厘米。测定出来的内应力不大于107达因/平方米。淀积薄膜表面在酸类、碱类、有机溶剂等腐蚀性化学物质中浸积1小时之后用放大倍数为400倍的光学显微镜进行观察，没有发现表面上有任何明显的变质现象。此外将薄膜在500℃下在恒温箱中搁置1小时后没有明显的变化。
参看图7，图中例示了本发明微波增强等离子体CVD设备的一个例子，作为第二个实施例。从图中可以看到，该设备包括一反应室、一微波发生器24、电磁铁25和25′、电源45和水冷却系统38。反应室中形成有可维持在适当负压的等离子体生成空间21和辅助空间22;电磁铁25和25′呈亥姆霍兹线圈缠绕在空间21中;电源45则是供电给电磁铁25和25′用的。
等离子体发生空间21的横截面是圆的。在等离子体发生空间中设有一个基片支座30′，基片支座30′由对磁铁25和25′在反应室内所产生的磁场干扰最小的材料制成，例如由不锈钢或石英制成。基片支架30′上装有一基片30。基片支架30′用红外线44在高温等离子气体的气氛中照射并加热到800-1000℃，红外线44则从红外加热器40发射出来，从抛物面的红外反射镜41反射回来，通过透镜42聚焦到支架30′的后表面上。编号43表示红外加热器40的电源。抽真空系统是供反应室抽真空之用，该系统包括一涡轮分子泵37和一回转泵34，两者都通过控制阀31、33和35与反应室相连接。基片的温度可能会达到足够高的程度，这主要是由反应室中所产生的等离子气体引起的，而在这种情况下则可以不用加热器。此外视乎等离子体的情况而定，基片的温度可能会高得不能进行适当的反应，在这种情况下，就需要设置基片冷却装置。
在使用上述设备时，将硅圆片基片30装设在基片支架30′上，然后将反应室抽成1×10-6托的真空或更高的真空度。接着从供气系统26以100 SCCM的流量引入氢气，使其充满等离子体发生空间21中，并从微波发生器通过微波引入窗口29将1千瓦的微波能注入等离子体发生空间21中，该空间同时也有磁铁25和25′所产生的大约2千高斯磁场作用着。该磁铁适宜调节磁场强度用。在空间21中，氢气被激发成高密度的等离子态。用高能电子和氢原子清洗基片30表面。除引入氢气之外，还通过供气系统27引入30 SCCM(总流量)的由C2H2、C2H4、C2H6、CH3OH、C2H5OH或CH4之类的烃类组成的生产气体，和CF4、C2F2、C2F4、C2Cl2或C2Cl4之类的卤素化合物气体。卤素化合物的比例为50%。载气(氢)的引入速率选取30和0 SCCM之间，例如2SCCM。
鉴于氯气有点腐蚀性，因而从易于操纵和对氢的高度反应能力来看以氟为最合适。反应气体和载气最好是非氧化物气体，因为若有水形成，则可能会形成HF和HCl之类的强酸。
接着在150～500℃下产生激发到高能状态的碳原子，以0.1至100微米厚含氟化物的薄膜形式淀积在基片30上。反应气体的压力为3-800托，最好压力不低于10托，例如10～760托。得出的碳质薄膜，表面光滑，且耐磨和耐腐蚀，因而适合用作化学试验仪器。
除上属反应气体外，还可从供气系统将1SCCM的Ni(CO)4(必要时还加2SCCM的GeH4)作为催化剂加入反应室中。催化剂对碳化合物气体的比例为0.1%至10%。其它催化剂的例子还有NiF、NiO、NiF(H2O)n(其中n＝1.3)、Ni(CN)2、Ni(C5H5)2、GeH4、GeF4、羰基锰和MnF2等等。它们可分别单独使用或组合使用。所发生的CVD反应是这样引起的等离子气体和加热器40将碳原子激发到高能状态并加热到150～500℃，从而使装在基片支架30′上的基片30涂敷有呈0.1～100微米厚的i-碳(由微晶组成的绝缘碳)薄膜或粒径从0.1至100微米的金刚钻。根据实验，淀积平均厚度为5微米的碳质薄膜只需要2小时。往基片支架上加偏压可以提高淀积速率。本发明碳质产品的特征在于，至少有50%的碳原子由SP3键连接。
为对比起见，按上述同样的方式但不用催化剂制造薄膜。结果，形成平均厚度为4微米的碳质薄膜需要15小时。用金属显微镜(放大倍数为1000倍)观察的结果证实薄膜表面的不均匀性极为显著。根据本发明，由于待涂敷的表面上遍布着无数个催化剂种子，因而碳质薄膜可制成具有平坦的表面。
采用CH4∶CF4＝2∶1的反应气体时，含金刚钻结构的薄膜可在100托压力下在不低于400℃的温度下形成。CH4∶CF4＝1∶1时，薄膜形成温度为300℃，反应压力为50托。CH4∶CF4＝1∶2时，在200℃和10托下能形成含金刚钻结构的薄膜。压力最好是在大气压左右，但500℃的低温也是极其理想的，因为这一来可供选择的待涂敷的基片，其范围就广了。
在不高于400℃的温度下，可以在半导体基片上形成的铝质电路上方淀积碳。在不高于200℃的温度下，可以在塑料基片上形成碳涂层。在300°和500℃之间的温度下，可以在玻璃基片上淀积碳涂层。
图8(A)是图7区域30中磁场分布的曲线图。图中的曲线是沿等势表面绘制的，且沿2000高斯的磁铁5和5′的所感应出的磁场的各曲线标有表示场强的数字。调节磁铁5和5′的功率可以将磁场强度控制得使磁场在位于磁场(875±185高斯)与电场交互作用的区域100的待涂敷的整个表面上大致上均匀。图中，编号26表示875高斯的等势表面，在该表面上，使磁场与微波频率之间产生电子回旋共振所需要的条件得到满足。当然，根据本发明，由于反应室中的压力高，不能形成电子回旋共振，但在包括满足电子回旋共振条件的等势表面在内的广阔区域内却能产生混合回旋共振。图8(B)的曲线图中，X轴线对应于图8(A)的X轴线，而且表示等离子发生空间1中微波能电场的强度。从图中可以看到，电场强度在区域100和100′中达到最大值，因此要加热基片10′而不影响微波能的传播是有困难的。在其它区域中，薄膜不会淀积得很均匀，而是呈轮形物体的形式淀积。正是这个原因所以将基片10配置在区域100中。等离子体横向流动。根据实验，可以在直径达100毫米的圆基片上形成均匀的薄膜，且在反应室中在直径达50毫米的圆基片上形成厚度和质量都均匀的薄膜。当要涂敷更大的基片时，微波能频率采用1.225千兆赫可以相对于图8(A)的垂直方向使反应空间的直径翻一番。图9(A)和图9(B)是微波发生器4发出的微波能在等离子发生空间1的一个横截面上所产生的磁场和电场的分布曲线图。图中圆圈中的曲线是沿各等势表面绘制的，且标有表示场强的数字。如图9(B)中所示的那样，电场在25千伏/米处达其最大值。
其次参看图10和11说明第三个实施例。一个大型等离子体处理系统包括一反应室57，配备有一进料室57-1、一卸料室57-2、一对导轨59用以从那里悬挂多个由铝或镍板制成的基片支架52、一高频电源65用以通过匹配变压器66供电、第一和第二连接到变压器66的输出端54和54′的金属网电极53和53′(各电极的几何面积为150平方厘米，有效面积为120平方厘米)、一连接在变压器次级线圈中点与导轨59之间的交流电源67、由四个通路组成各通路配备有一流量计79和一阀门78的供气系统60、一喷咀75用以将各气体从供气系统60输入到反应室57中、和一包括一压力控制阀71、一涡轮分子泵72和一回转泵73的排气系统70。反应空间系在反应室内以160厘米宽40厘米深和160厘米高的四边形空壳结构58和58′为界，用以堵住在反应室57内壁上的淀积物。空壳结构的高度通常可选取20厘米和5米之间。电极53和53′其中一个尺寸通常可选取30厘米和3米之间。在进料和卸料室57-1和57-2外侧之间设有闸阀64-1和64-4，在反应室57与进料和卸料室57-1和57-2之间设有闸阀64-2和64-3供密封之用。反应室57内侧设有由多个卤素灯61和61′组成的加热器。
多个基片支架52-1、52-2、……52-n上装有多个基片51-1、51-2、……51-n。反应室57中各毗邻支架之间的距离81-1、81-2、……系选取得基本不变，其与平均值的差值在±20%以内。在加料室中的相应距离选取得更窄，目的是要使系统设计得紧凑。在这种配置方式中，只有一边，即各基片的表面有涂敷层。若想把两个表面都加以涂敷，可将各基片支撑在各支架上形成的孔中。引入反应室57中的有来自供气系统的通路60-1的氩或氢载气、来自通路60-2的诸如甲烷或乙烯之类的烃类反应气体、和来自通路60-3的象NF3之类的卤素化合物气体。反应气体的压力为0.001至1.0托，例如0.05托。基片的温度为100℃(在带冷却系统的情况下)或高达150℃。
第一交变电压是以1兆赫至5千兆赫之间例如13.56兆赫的高频加在网状电极53和53′之间，第二交变电压则同时以1千赫至500千赫的频率(例如50千赫)加在次级线圈中点与导轨59之间。第一交变电压的输入功率为1.0千瓦至30千瓦(相当于0.04～1.3千瓦/平方厘米的等离子体能量)，例如10千瓦(相当于0.44瓦/平方厘米的等离子体能量)。第二交变电压的作用是在基片表面上加-200至600伏的交流偏压。借助于此电能，等离子气体在反应室57中产生，并引发化学汽相反应。排出的气体通过抽真空系统70排出。
下面详细介绍按上述实施例及其组合实施例得出的实验结果。
实验1根据本发明，电子摄影所用的感光结构如图12所示那样构成。该结构包括一20微米厚的PTE片101、一600埃厚用真空蒸发法制成的铝膜102、中间膜103、0.6～1.2微米厚的电荷产生薄膜104、一20微米厚的电荷转移薄膜105和一按本发明制成的钝化薄膜106。
若令钝化薄膜或电荷产生薄膜带负电荷，则结构接收光线的某些部分107会被在电荷产生薄膜104中所产生通过电荷转移薄膜105到达钝化薄膜106的空穴所中和。在这种情况下，在电荷产生薄膜104中产生的电子通过中间薄膜和铝膜排出。其它不接收光线的部位吸引着调色剂并将其转移到一张纸的表面以便根据入射光的有无构成图象。
调节NF3的流量将钝化薄膜106的电阻率控制成1011至109欧厘米。借助于如此高的电阻率可以避免所构成的图象的边界因电荷的横向漂移而模糊不清。因此所形成的图象既清晰且反差高。从另一方面来说，若电阻率过高，残余电荷可能会在重复充放电之后聚集起来。按照本发明精确控制电阻率可以避免这种有害的聚集现象。钝化薄膜对波长为500毫微米或更长的光线的透光率不低于80%，对波长为400毫微米或更长的光线的透光率不低于60%。因此这种结构可用于利用可见光波长的用途上。
此外该钝化薄膜耐磨和耐刮，而且粘着性极好，内应力较低。软片上的感光薄膜即使将软片弯成10毫米的曲率半径也不会产生裂纹和剥落。本实验是为作为片状有机感光结构的应用而进行的。但用同样的方式也可以形成诸如感光鼓、非晶态硅感光结构和硒感光结构之类的类似结构。
以同样的方式重复此实例，只是有以下几点例外。这时钝化薄膜系由两层组成。在最初的二分钟在不高于0.1SCCM的NF3流量下淀积下层，然后在以后的20分钟内以100SCCM淀积上层。电阻率、透明度、硬度、内应力和其它特性几乎取决于上层的性能。只有粘着性取决于处于牢固机械接触状态的下层。电阻率经测定为1011至109欧厘米。
上层上还可以淀积上另一层氟化物比例较小的膜，以提高钝化薄膜外表面的硬度。
实例2本发明适用于集成电路芯片在引线结构上进行导线焊接之后薄膜的涂敷，以达到可靠性。碳质薄膜由两层组成。下层是在使C2H2/NF3＝1∶1的流量下淀积成0.6微米的厚度，其内应力经测定为107达因/厘米。上层是使C2H2/NF3＝100∶1的流量下淀积成0.1微米，其维克斯氏硬度经测定为2000公斤/平方厘米。
根据本发明，内应力小对防止金质导线因内应力而从铝焊接区上断开极为有效，还有另一个好处，即下层可以防止水和碱离子进入结构中。
实例3热式打印头具有代表性的结构如图13所示。形成在一绝缘基片101上带有会产热部分的凸出光化层103的光滑薄膜102。在此结构上依次层叠着加热膜膜105和导电薄膜106，接着进行光刻以形成对应于发热元件121的窗口。然后根据本发明在结构的上部表面形成含碳的钝化薄膜107。
一般的钝化薄膜是5微米厚的象氮化硅之类的无机薄膜，而按本发明制造的钝化薄膜则可以达到1微米那样薄，因为通过调节NF3的流量，其硬度可控制到不低于2000公斤/平方毫米维克斯系硬度。
此外按照本发明制成的薄膜，其内应力约为109达因/平方厘米，且薄膜的性能即使将薄膜在100℃的空气中放置1小时之后也仍然不劣化。1010欧厘米数量级的电阻率适宜防止静电，因而可以消除会引起刮破或电路误动作的尘埃。产热薄膜可以用普通的材料制成，或用其卤素含量经过控制使其电导率为103至104欧厘米的碳膜制成。
实例4图14是根据本发明制成的接触式图象传感器的部分视图。光敏器件134系在透明玻璃衬底133上形成的，方法是用周知的化学汽相淀积法利用激元激光器制成非晶态硅薄膜图案。在光敏器件134上面的基片133上形成透明的聚酰亚胺薄膜135。在聚酰亚胺薄膜135上淀积上2.0微米厚的钝化薄膜136。
维克斯氏硬度经测定为2500公斤/平方豪米，电阻率经测定为1×105欧厘米。由于碳质钝化薄膜136硬度高且绝缘能力得到改进，这一切都可与钻石媲美，因此该表面能耐受因纸或原料不均匀而产生的磨蚀。
根据本发明，可以制造经改进的碳质薄膜或组件。本发明的效果在碳的淀积方面得到了进一步证实，因而将本发明应用于制造含碳量低于50%的任何薄膜有好处。
尽管这里介绍了一些实施例，但本发明只应受本说明书所附各项权利要求的限制而不应受具体实例的限制，而熟悉本专业的人士是可以根据本发明作一些修改和更改的。举例说，实践证明，往碳中加入硼、氮、磷等是有一定的效果的。
权利要求
1.一种淀积主要由碳组成的材料的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤将一物体放入反应室中；往所述反应室中引入碳化合物气体；和往所述反应室中输入能量，以便将所述碳化合物气体进行分解，并将分解出来的碳生成物淀积到所述物体表面；其中将卤素化合物气体连同所述碳化合物一起进一步引入所述反应室中。
2.权利要求1的方法，其特征在于，所述卤素化合物气体是个氟化合物气体。
3.权利要求1的方法，其特征在于，所述输入能量是个微波能。
4.权利要求1的方法，其特征在于，所述微波的频率不低于500兆赫。
5.权利要求4的方法，其特征在于，所述碳化合物气体系用氢或气态氧化物稀释，或与氢或气态氧化物一起引入。
6.权利要求5的方法，其特征在于，所述催化气体系用氢或气态氧化物稀释，或与氢或气态氧化物一起引入。
7.权利要求6的方法，其特征在于，所述反应室在所述微波能传播的方向上实质上有磁场作用着。
8.权利要求1的方法，其特征在于，待涂敷的物体由玻璃、金属、陶瓷或有机树脂制成。
9.权利要求1的方法，其特征在于，所述输入的能量是个高频电压。
10.在淀积碳的一种方法中，其步骤包括将待涂敷的物体安置在反应室中;往所述反应室中引入碳化合物气体和卤素化合物气体;和往所述反应室中输入电能，以便使所述碳化合物气体分解，并使分解出来的碳生成物淀积在所述物体表面。
11.一种在玻璃、金属、陶瓷或有机树脂制成的表面上形成的碳涂层，其特征在于，所述涂层主要由碳组成并含卤素原子。
12.权利要求11的涂层，其特征在于，所述氟在涂层厚度上的密度不均匀。
13.权利要求12的涂层，其特征在于，该涂层还含氢原子。
全文摘要
借助于化学汽相淀积法可以在一个表面上形成金刚石薄膜或由微晶组成的绝缘碳质薄膜。往薄膜中通卤素不难控制薄膜的特性，如透明度、电导率和硬度等。
文档编号C23C16/26GK1031722SQ88106060
公开日1989年3月15日 申请日期1988年8月10日 优先权日1987年8月10日
发明者山崎舜平, 林茂则 申请人:株式会社半导体能源研究所