专利名称：多弧-磁控溅射多功能镀膜设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及金属材料镀覆设备，特别是真空蒸发、溅射的镀覆设备。
近年来广泛应用于机械、航天、航空、纺织、石化、仪表、轻工、电子、建材等方面的多弧离子镀设备，虽具有镀膜速率高、工艺参数易于控制等优点，但不能进行镀多层膜及合金膜，而且由于镀膜时，多弧离子流强，往往使被镀工件加热至300℃以上，因此对于塑料以及其他低熔点金属与非金属，一般不能应用这种设备进行镀膜，使设备的应用面具有很大的局限性。
本实用新型是对多弧离子镀设备的改进和发展，目的在于提供一种既能进行高温多弧镀膜，又可在塑料等低熔点的金属或非金属工件上进行低温镀膜，而且还可进行镀多层膜及合金膜。
本实用新型的目的可通过以下措施达到一般多弧离子镀设备主要由接真空机组的法兰、安装被镀工件的旋转工件架、真空室、装在真空室壁上的多弧蒸发源、带动旋转工件架的旋转传动轮、镀膜用的充气孔等组成。该设备在此基础上，增加同轴磁控溅射部件，便可在塑料及低熔点的金属与非金属上镀膜，此时真空室四壁上的弧源应加挡板，以避免溅射时污染弧源。当需进行高温镀膜或进行镀多层膜、合金膜时，去掉挡板，同时进行弧光与辉光放电，便可得到不同材质及不同结构的多层膜或合金膜。
在进行高温镀膜时，为了提高镀膜质量及膜－基结合力，需对被镀工件进行预加热，此时只要将磁控溅射靶从密封法兰处拆下，换上具有同样尺寸与结构的密封法兰的加热器即可。
该实用新型由于只需在原多弧离子镀设备上增加了一个同轴溅射部件，就不仅能进行高温多弧镀膜，又可在塑料等低熔点的金属与非金属工件上进行低温镀膜，而且还可镀不同成分及结构的多层膜或合金膜，因此可非常方便的实现一台设备多种功能，大大地拓宽了多弧离子镀设备的使用范围，增加了使用功能，节约了开支。
以下结合附图及实施例对本实用新型的具体结构及工作情况作进一步详述。
图1为本实用新型的结构原理示意图图2为装有加热器的多弧离子镀设备的结构原理示意图参考附
图1，该设备主要由接真空机组(图中未画出)的法兰盘(1)，用于安装被镀工件(2)的旋转工件架(3)，真空室(8)，装在真空室壁上的多弧蒸发源(10)，带动旋转工件架(3)的旋转传动轮(11)，镀膜用的充气孔(12)等组成。其特点是在真空室(8)的中轴装有磁控溅射靶(7)，该靶通过法兰盘(5)固定在真空室的顶部或底部，用密封圈(4)密封，由0～1200V直流电源(6)驱动磁控靶(7)，形成辉光放电，便可镀塑料工件及低熔点的金属及非金属，此时为了避免溅射时污染弧源表面，每个弧源(10)处应加挡板(9)。当须进行高温镀膜或为了使被镀工件表面形成不同材质及不同结构的多层膜、合金膜时，可去掉挡板(9)，同时开动弧源与磁控溅射靶。
参考附图2，在进行高温镀膜时，为提高镀膜质量及膜－基结合力，须对被镀工件进行预加热，此时只要将磁控溅射靶(7)从结合密封法兰处拆下，换上同样尺寸与结构的法兰密封的加热器(14)，将磁控溅射靶(7)的驱动电源(6)加在被镀工件架上，此时加热器(14)电源(13)为5～25Kw，当然应将挡板(9)拿掉。基于这种设备的原理，对现有装有加热器的多弧离子镀设备，只要将加热器换成磁控靶，便有即可进行高温镀膜，又可在低熔点金属与非金属及塑料制品上镀膜，也可镀不同材质及不同结构的多层膜或合金膜的多种功能。
权利要求1.一种多弧-磁控溅射多功能镀膜设备，主要由接真空机组的法兰盘(1)，用于安装被镀工件(2)的旋转工件架(3)、真空室(8)，装在真空室壁上的多弧蒸发源(10)，带动旋转工件架(3)的旋转传动轮(11)，镀膜用的充气孔(12)等组成，其特征在于a.在真空室(8)的轴线上装有磁空溅射靶(7)，该靶通过法兰盘(5)固定在真空室(8)的顶部或底部，用密封圈(4)密封，由D～1200V直流电源(6)驱动磁空靶(7)；b.在每个弧源(10)处装有挡板(9)。
2.一种多弧－磁控溅射多功能镀膜设备，主要由接真空机组的法兰盘(1)，用于安装被镀工件(2)的旋转工件架(3)、真空室(8)，装在真空室壁上的多弧蒸发源(10)，带动旋转工件架(3)的旋转传动轮(11)，镀膜用的充气孔(12)等组成，其特征在于真空室(8)的轴线上装有加热器(14)，通过法兰盘(5)固定在真空室(8)的顶部或底部，用密封圈(4)密封，由5～25Kw电源(13)驱动加热器(14)。
专利摘要多弧-磁控溅射多功能镀膜设备，属于一种镀覆设备。该设备在多弧离子镀设备中通过法兰密封在真空室的顶部或底部的轴线上装有磁控溅射靶(或加热器)，每个弧源处装有挡板(或拿掉挡板)。因此它不仅能进行高温镀膜，又可在辉光放电下进行低熔点的金属与非金属及塑料的高速低温镀膜，还可同时开动弧源及磁控溅射靶进行镀不同材质、不同结构的多层膜或合金膜，大大拓宽了多弧离子镀设备的使用范围，增加了使用功能，节约了开支。
文档编号C23C14/35GK2086749SQ9022614
公开日1991年10月16日 申请日期1990年12月25日 优先权日1990年12月25日
发明者张宝复, 王福柱, 张琦, 张云汉 申请人:航空航天工业部第五研究院五一一研究所