专利名称：对靶式直流磁控离子溅射台的制作方法
技术领域：
本实用新型的名称是对靶式直流磁控离子溅射台，属于镀膜技术领域。
常用及市售直流磁控溅射台均采用双层环形磁体结构。工作时辉光放电区在靶面外正负磁极之间产生，形成一园环式辉光放电带。溅射过程中，靶材只被利用了一环形带，其余部分不能被利用 ，因此靶材利用率低。另外这种结构溅射台工作时，直流电流一般大于1A，耗电量大于200W，导致电源结构复杂。同时，这种结构的溅射台，成膜速率较低。
本实用新型的目的在于提供一种新颖的直流磁控离子溅射装置，充分利用靶材，提高成膜速率和质量，本溅射台具体结构如附图所示。包括靶材架、U形磁体、阳极板和基片支架。两个靶材用电线连接后接电源负极，阳极板接电源正极。其中1是阳极板，2是靶材架，3是绝缘垫片，4是磁体，5是基片支架，6是调节螺母，7是磁体铜套，8是导磁体，9是靶。磁体和导磁体组成U型磁体。
本实用新型的主要发明点有两个，一是采用了新型的磁体结构，导致辉光放电区在两靶之间呈柱形。几乎在整个靶材表面附近都存在辉光放电，整个靶材表面都可用于溅射薄膜，靶材利用率极高，二是将磁体做成U型，使磁路闭合，结构紧凑。同时利用U型磁体自我支撑，使安装极为方便，可随意放入一真空系统中使用，不必单独设计及制做专用真空系统。
本实用新型靶材利用率高。由于采用两个相对靶溅射，溅射薄膜均匀。工作时耗电量小，直流输入电流小于50MA，耗电功率小于20W。溅射镀膜的速率可由简单地改变直流输入电流来控制。溅膜速率较高，可大于100A／分钟。
新型的溅射装置，可以很方便地放入真空系统中使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。
图1溅射台结构示意图1－阳极板 2－靶材架 3－绝缘垫片 4－磁体5－基片支架 6－调距螺母 7－磁体铜套8－导磁体 9－靶
权利要求1.一种由正、负磁极构成的对靶式直流磁控离子溅射台，其特征在于它是由磁体[4]、导磁体[8]、靶[9]、基片支架[5]、阳极板[1]构成。
2.按照权利要求1所说的对靶式直流磁控离子溅射台，其特征在于所说的靶［9］是由靶材架［2］和绝缘垫片［3］安在磁体［4］头部。
3.按照权利要求1所说的对靶式直流磁控离子溅射台，其特征在于所说的磁体［4］尾部有铜套［7］和与其用螺扣连接的调距螺母［6］，用调距螺母调节两个磁极间的距离。
专利摘要本实用新型是对靶式直流磁控离子溅射台，属于电子镀膜技术领域。现有的磁控溅射台均采用双层环形磁体结构，靶材利用率低，耗电量大，成膜速率低。本实用新型的目的在于解决靶材利用率，成膜质量等问题。采用U形磁体结构，在两极之间形成均匀的辉光放电区，磁极间距可以调节，靶可得到充分利用，成膜速率高、均匀，质量好，结构紧凑，便于放入真空系统，利于推广使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。
文档编号C23C14/34GK2192628SQ9421359
公开日1995年3月22日 申请日期1994年6月1日 优先权日1994年6月1日
发明者阎少林 申请人:南开大学