的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明提供了一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法，特别是一种薄膜太阳能电池窗口材料的PECVD制备方法。
【背景技术】
[0002]SnO2薄膜成为近年来薄膜太阳能电池窗口材料的研究热点之一。随着物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)的方法在薄膜制备中的广泛应用，人们开始尝试用PVD和CVD的方法制备SnO2,并且由此发展了许多制备SnO2的技术。但PVD和CVD方法存在设备昂贵，沉积速度较低，对设备要求高等缺点。
[0003]为了克服上述问题，本发明采用PECVD方法制备SnO2。PECVD法可以在较高气压下制备薄膜，电子的平均能量大约达到flOeV，不需要高真空度，这就简化了对设备的要求。此外，利用PECVD法制备的SnO2薄膜平整度和附着性都较高、可见光透过率较高和方块电阻较低等优点。
【发明内容】
[0004]本发明的目的就是针对现有技术存在的缺陷，提供一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法。
[0005]其技术方案是:用称取适量SnCl2放在反应槽里，和洗净的衬底一起放在样品台上，打开机械泵抽气，抽一定时间后通适量氩气。当真空计显示为200Pa时，在进气端由流量计控制分压，将反应气体氧气和载气氩气的混合气体通入真空室内。调节气体的流量使真空室内的压强保持一个动态平衡。然后打开加热系统加热使SnCl2升华，加热到一定温度后，关闭加热系统，打开电源开关进行放电。所述的一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法，其特征是:待薄膜冷却后对其进行适当的退火处理。
[0006]本发明的特点是可以在较高气压下制备薄膜，电子的平均能量大约达到f 10eV，不需要高真空度，这就简化了对设备的要求。此外，利用PECVD法制备的SnO2薄膜平整度和附着性都较高、可见光透过率较高和方块电阻较低等优点。
【具体实施方式】
[0007]用天平称取适量的SnCl2放在反应槽里，和洗净的衬底一起同时放在样品台上，然后打开机械泵开始抽气，抽一定的时间后通适量的氩气，这样做的目的是将真空室的空气排走。当真空计显示为200Pa时，在进气端由流量计控制分压，将反应气体氧气和载气氩气的混合气体通入真空室内。调节气体的流量使真空室内的压强保持一个动态的平衡。然后打开加热系统加热使SnCl2升华，加热到一定温度之后，关闭加热系统，打开电源开关进行放电。待薄膜冷却后对其进行适当的退火处理，最后对所制得的薄膜进行相关的测试与分析。
[0008]另外，本发明创造不意味着说明书所局限，在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。
【主权项】
1.一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法，其特征是:其制备方法为等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)方法。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法，其特征是:待薄膜冷却后对其进行适当的退火处理。
【专利摘要】本发明提供了一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法，特别是一种薄膜太阳能电池窗口材料的PECVD制备方法。其技术方案是：用称取适量SnCl2放在反应槽里，和洗净的衬底一起放在样品台上，打开机械泵抽气，抽一定时间后通适量氩气。当真空计显示为200Pa时，在进气端由流量计控制分压，将反应气体氧气和载气氩气的混合气体通入真空室内。调节气体的流量使真空室内的压强保持一个动态平衡。然后打开加热系统加热使SnCl2升华，加热到一定温度后，关闭加热系统，打开电源开关进行放电。待薄膜冷却后对其进行适当的退火处理。该法可以在较高气压下制备薄膜，不需要高真空度，简化了对设备的要求。此外，利用该法制备的SnO2薄膜平整度和附着性都较高、可见光透过率较高和方块电阻较低等优点。
【IPC分类】C23C16-40, C23C16-56, C23C16-513
【公开号】CN104674188
【申请号】CN201310630259
【发明人】谭秀航
【申请人】青岛事百嘉电子科技有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年12月2日