一种软磁合金涂层的制备方法

文档序号:9607210阅读:413来源:国知局
一种软磁合金涂层的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电磁屏蔽技术领域,特别涉及一种良好的导磁功能的软磁合金涂层的制备方法。
【背景技术】
[0002]铁基尚磁导率软磁材料,如纯铁、娃钢片、坡旲合金、纳米晶等是目如应用最为广泛的低频磁场的磁屏蔽材料。但高磁导率的铁磁材料,一般采用机械加工的方法获得,这不仅会降低材料的磁屏蔽性能,而且能耗增大、成本增高,使得其性价比降低,限制了它的应用。
[0003]随着航天工业、航空工业的飞速发展,磁屏蔽壳体将不再作为单独的元器件,而是以薄的膜形式依附于其它构件,同时还能在各频段起到一定的屏蔽效果。CN01128966.X专利提供了一种低频电磁波磁屏蔽复合涂料及其制备方法,采用磁性粉、磁性纤维和非晶磁性粉作为导磁填料,用高分子树脂作为成膜物质,经混炼、研磨、过滤等工序,制得低频电磁波磁屏蔽复合涂料。其中,复合导磁填料为20?40um粒径的铜粉、铝粉、银粉、镍粉或锌粉至少一种混合磁性纤维或非晶磁粉。
[0004]目前的低频磁场磁屏蔽材料存在以下不足:传统的高磁导率软磁材料大多以带材形式使用,对于较复杂的表面难以覆盖;而磁性纤维使用时需制备成复合材料,其制备工艺较为复杂;采用非晶态合金制备热喷涂涂层的工艺控制极为严格,制备成本较高;采用化学沉积或物理气相沉积方法制备的涂层存在污染环境或成本偏高的缺点,且不适用于大面积屏蔽产品。

【发明内容】

[0005]针对现有技术的缺点,本发明提供了一种软磁合金涂层的制备方法。
[0006]为了实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
[0007]—种软磁合金涂层的制备方法,它包括以下步骤:
[0008](1)软磁合金粉末分级:将软磁合金粉末进行粒度过筛分级,选取粒径为50-70um的磁粉混合,得到分级后的软磁合金粉末;
[0009](2)软磁合金粉末热处理:将分级后的软磁合金粉末在真空或氢气条件下进行热处理,热处理温度为700°C -900°C,保温1小时;然后经2小时冷却到600°C,最后快速降温到150°C后出炉;其中,快速降温时的速度大于300°C /h ;
[0010](3)配料:将热处理后的软磁合金粉末和环氧树脂浇注料按各自的质量百分比混合,制成混合浆料;其中,软磁合金磁粉末的质量百分比为70% -90%,环氧树脂浇注料的质量百分比为10% -30% ;
[0011](4)制模:将制得的浆料通过100目的丝网均匀刷涂在模具中制成湿膜;
[0012](5)固化:将制得的湿膜,在真空下,90°C保温0.5-1小时,然后在常压下固化成型,得到所述的软磁合金涂层。
[0013]所述的固化成型工艺为:90°C保温0.5-1小时,消除气泡;常压下90°C保温4-5小时,105°C保温2小时,135°C保温7小时后自然冷却。
[0014]所述的环氧树脂浇注料是由JY-9715A和JY-9715B按1:1的质量比例混合而成。
[0015]所述的软磁合金粉末采用氮气喷雾制成,粉末形貌呈球形,表面光滑。
[0016]所述的软磁合金粉末采用200-300目过筛进行粒径分级,使填充密度达到最佳状态,提高软磁合金涂层的密度。
[0017]本发明的优点为:所制备的软磁合金涂层在直流磁场下具有较好的初始磁导率,可应用于低频磁场屏蔽领域,而且制备涂层工艺简单,较易加工,适用于任何形状的屏蔽产品Ο
【具体实施方式】
[0018]下面结合实施例对本发明做进一步地说明,以下实施例中的样品是根据GB3657-83软磁合金直流磁性能测试方法要求制备的,利用Ν頂-2000S软磁直流测量仪对软磁合金涂层进行磁性能测量。
[0019]实施例1:
[0020]将气雾化的Fel7Ni81Mo2软磁合金粉末经200目-300目过筛,选取粒径为50-70um的软磁合金粉末进行热处理;热处理工艺为:真空气氛,热处理温度为90(TC,保温时间1小时,然后经2小时冷却到600°C,最后充氩气以500°C /h的冷却速度快冷至150°C出炉。
[0021 ] 将热处理后的Fel7Ni81Mo2软磁合金粉末与环氧树脂浇注料(JY-9715A和JY-9715B)按比例混合,制成混合浆料,其中,Fel7Ni81Mo2软磁合金粉末的质量百分比为86%,环氧树脂浇注料的质量百分比为14%;环氧树脂浇注料是由JY-9715A和JY-9715B按1:1的质量比例混合而成。
[0022]将所制的浆料通过100目的丝网均匀刷涂在模具中制成湿膜;制成的湿膜在真空下,90°C保温1小时,消除气泡,然后在常压下90°C保温4小时,105°C保温2小时,135°C保温7小时后自然冷却成型。
[0023]制得的环状样品的尺寸为:外径Φ40ι?πι,内径32mm,高8mm。利用NIM-2000S软磁直流测量仪对软磁合金涂层进行磁性能测量,得到在0.lA/m的直流磁场下,磁环的初始磁导率ui值为522。
[0024]实施例2:
[0025]将气雾化的FeNi80软磁合金粉末经200目-300目过筛,选取粒径为50_70um的软磁合金粉末进行热处理;热处理工艺为:氢气气氛,热处理温度为800°C,保温时间1小时,然后经2小时冷却到600°C,最后充氩气以400°C /h的冷却速度快冷至150°C出炉。
[0026]将热处理后的FeNi80软磁合金粉末与环氧树脂浇注料(JY-9715A和JY-9715B)按比例混合,制成混合浆料,其中,FeNiSO软磁合金粉末的质量百分比为70%,环氧树脂浇注料的质量百分比为30% ;环氧树脂浇注料是由JY-9715A和JY-9715B按1:1的质量比例混合而成。
[0027]将所制的浆料通过100目的丝网均匀刷涂在模具中制成湿膜;制成的湿膜在真空下,90°C保温0.5小时,消除气泡,然后在常压下90°C保温5小时,105°C保温2小时,135°C保温7小时后自然冷却成型。
[0028]制得的环状样品的尺寸为:外径Φ40ι?πι,内径32mm,高8mm。利用NIM-2000S软磁直流测量仪对软磁合金涂层进行磁性能测量,得到在0.lA/m的直流磁场下,磁环的初始磁导率ui值为307。
[0029]实施例3:
[0030]将气雾化的FeNi50软磁合金粉末经200目-300目过筛,选取-粒径为50_70um的磁粉进行热处理;热处理工艺为:真空气氛,热处理温度为700°C,保温时间1小时,然后经2小时冷却到600°C,最后充氩气以350°C /h的冷却速度快冷至150°C出炉。
[0031]将热处理后的FeNi50软磁合金粉末与环氧树脂浇注料(JY-9715A和JY-9715B)按比例混合,制成混合浆料,其中,FeNi50软磁合金粉末的质量百分比为90%,环氧树脂浇注料的质量百分比为10%,环氧树脂浇注料是由JY-9715A和JY-9715B按1:1的质量比例混合而成。
[0032]将所制的浆料通过100目的丝网均匀刷涂在模具中制成湿膜,制成的湿膜在真空下,90°C保温1小时,消除气泡,然后在常压下90°C保温4小时,105°C保温2小时,135°C保温7小时后自然冷却成型。
[0033]制得的环状样品的尺寸为:外径Φ40ι?πι,内径32mm,高8mm。利用NIM-2000S软磁直流测量仪对软磁合金涂层进行磁性能测量,得到在0.lA/m的直流磁场下,磁环的初始磁导率ui值为322。
【主权项】
1.一种软磁合金涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)软磁合金粉末分级:将软磁合金粉末进行粒度过筛分级,选取粒径为50-70um的软磁合金粉末混合,得到分级后的软磁合金粉末; (2)软磁合金粉末热处理:将分级后的软磁合金粉末在真空或氢气条件下进行热处理,热处理温度为700°C -900°C,保温1小时;然后经2小时冷却到600°C,最后快速降温到150°C后出炉;其中,快速降温时的速度大于300°C /h ; (3)配料:将热处理后的软磁合金粉末和环氧树脂浇注料按各自的质量百分比混合,制成混合浆料;其中,软磁合金磁粉末的质量百分比为70% -90%,环氧树脂浇注料的质量百分比为10% -30% ; (4)制模:将制得的浆料通过100目的丝网均匀刷涂在模具中制成湿膜; (5)固化:将制得的湿膜,在真空下,90°C保温0.5-1小时,然后在常压下固化成型,得到所述的软磁合金涂层。2.根据权利要求1所述的一种软磁合金涂层的制备方法,其特征在于,所述的固化成型工艺为:90°C保温0.5-1小时,消除气泡;常压下90°C保温4-5小时,105°C保温2小时,135 °C保温7小时后自然冷却。3.根据权利要求1所述的一种软磁合金涂层的制备方法,其特征在于,所述的环氧树脂浇注料是由JY-9715A和JY-9715B按1:1的质量比例混合而成。4.根据权利要求1所述的一种软磁合金涂层的制备方法,其特征在于,所述的软磁合金粉末采用氮气喷雾制成,粉末形貌呈球形,表面光滑。5.根据权利要求1所述的一种软磁合金涂层的制备方法,其特征在于,所述的软磁合金粉末采用200-300目过筛进行粒径分级。
【专利摘要】本发明属于电磁屏蔽技术领域,公开了一种具有良好导磁功能的软磁合金涂层的制备方法。所述软磁合金涂层的制备方法包括的步骤为:软磁合金粉末分级、软磁合金粉末热处理、配料、制模和固化。所制备的软磁合金涂层在直流磁场下具有较好的初始磁导率,可应用于低频磁场屏蔽领域,而且制备涂层工艺简单,较易加工,适用于任何形状的屏蔽产品。
【IPC分类】H01F1/26, B22F1/00, B22F3/22
【公开号】CN105364078
【申请号】CN201510796590
【发明人】刘坤, 马书旺, 杨剑, 梁秋实, 王健, 毛昌辉, 杨志民
【申请人】北京有色金属研究总院
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年11月18日
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