用于mocvd反应器中的加热装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明主要涉及M0CVD设备中的加热技术，尤其涉及一种用于M0CVD反应器中的加热装置。
【背景技术】
[0002]MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposit1n)设备，即金属有机物化学气相沉积设备，其在半导体产业尤其是在LED产业中具有不可替代性的作用，是特别关键的设备。该设备集计算流体力学、热力传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体，是一种高科技、新技术高度集中的设备；是突破产业发展瓶颈，提高产业水平的战略性高技术半导体装备。
[0003]由于M0CVD在半导体薄膜生长方面突出的优势，目前M0CVD在铁电薄膜、辉钼材料生长发面也展示出了很好的应用前景，但是在铁电薄膜或者辉钼材料的生长环境中存在氧化性气体如氧气、硫化氢气体或者在工艺过程中会出现对发热体具有腐蚀作用的活性硫原子，从而对反应室内部的元器件产生腐蚀。加热器的温度是整个反应室中的最高的，所以其对氧化性气体或活性硫原子也较为敏感。因此，加热器也非常容易遭到腐蚀，导致加热器的表面形貌产生变化，从而影响加热器的性能，进而导致反应室内的温度均匀性下降，导致整个设备性能的降低。
[0004]为了解决反应室内部气氛对加热器的影响，目前一种普遍采用的方法是将保护性气体通入到加热器所在的区域，以保护加热器免受反应室中对加热器有害物质的影响。但是，目前通入到加热器区域的保护性气体一般是一根气管通入到加热器的底部区域，保护性气体气体从气管出来后通过扩散来形成保护加热器的气氛，因此保护效果并不理想，加热器的使用寿命较短。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种简单紧凑、使用稳定可靠、可延长加热组件使用寿命的用于M0CVD反应器中的加热装置。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案:
一种用于M0CVD反应器中的加热装置，包括载片盘、隔热屏蔽板和支撑底板，三者围合形成加热内腔，所述支撑底板上设有多个位于加热内腔的支撑柱，所述加热内腔由下向上均匀间隔设有多块套于所述支撑柱上的屏蔽层板，所述支撑柱顶部装设有顶部气体喷射板，所述顶部气体喷射板上装设有加热组件，支撑底板上穿设有与顶部气体喷射板相通的进气管，所述支撑底板上还装设有与加热内腔相通的底部气体喷射板。
[0007]作为上述技术方案的进一步改进:
所述顶部气体喷射板包括呈上下对接的上板和下板，所述上板和下板之间形成气腔，所述进气管与气腔相通，所述上板上开设有多个顶部喷气孔，所述加热组件装设于上板上。
[0008]所述加热组件包括发热体、支撑丝和底座，所述底座装设在上板上，所述支撑丝装设在底座上，所述发热体装设在支撑丝上。
[0009]所述底座上开设有与气腔相通的底座喷气孔。
[0010]所述底部气体喷射板上开设有多个与加热内腔相通的底部喷气孔。
[0011 ] 所述支撑底板上开设有与底部喷气孔相通的气体对接口。
[0012]所述底部气体喷射板和气体对接口均设置在支撑底板的中间位置。
[0013]所述支撑底板与其上方的屏蔽层板之间以及各相邻的屏蔽层板之间设有支撑环，各所述支撑环套装于支撑柱上。
[0014]与现有技术相比，本发明的优点在于:
本发明的用于M0CVD反应器中的加热装置，支撑底板上设有多个位于加热内腔的支撑柱，加热内腔由下向上均匀间隔设有多块套于支撑柱上的屏蔽层板，支撑柱顶部装设有顶部气体喷射板，顶部气体喷射板上装设有加热组件，支撑底板上穿设有与顶部气体喷射板相通的进气管，支撑底板上还装设有与加热内腔相通的底部气体喷射板。该结构中，保护气体从反应室外部经管道进入该加热装置的内部，部分保护气体通过底部气体喷射板进入加热内腔，使加热内腔形成一种保护气氛；另一部分保护气体通过顶部气体喷射板喷向加热组件，对加热组件形成保护气氛。上述保护气氛不但在加热内腔形成了正压，促使加热装置外部的气体不会向加热内腔流动，并且另一部分保护气体直接喷向加热组件，使加热组件附近周围始终形成保护气体气氛，避免了加热组件受反应室内部反应气体的影响，延长了加热组件的使用寿命，其结构简单紧凑、使用稳定可靠。
【附图说明】
[0015]图1是本发明用于M0CVD反应器中的加热装置的结构示意图。
[0016]图2是本发明用于M0CVD反应器中的加热装置的局部结构放大结构示意图。
[0017]图3是本发明用于M0CVD反应器中的加热装置中支撑底板的结构示意图。
[0018]图4是本发明用于M0CVD反应器中的加热装置中底部气体喷射板的结构示意图。
[0019]图5是本发明用于M0CVD反应器中的加热装置的局部结构放大结构示意图(示视出加热组件)。
[0020]图中各标号表不:
1、载片盘；2、隔热屏蔽板；3、支撑底板；31、支撑柱；32、气体对接口 ；4、加热内腔；5、屏蔽层板；6、顶部气体喷射板；61、上板；611、顶部喷气孔；62、下板；63、气腔；7、加热组件；71、发热体；72、支撑丝；73、底座；731、底座喷气孔；8、进气管；9、底部气体喷射板；91、底部喷气孔；10、支撑环。
【具体实施方式】
[0021]以下将结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。
[0022]图1至图5示出了本发明用于M0CVD反应器中的加热装置的一种实施例，包括载片盘1、隔热屏蔽板2和支撑底板3，三者围合形成加热内腔4，支撑底板3上设有多个位于加热内腔4的支撑柱31，加热内腔4由下向上均匀间隔设有多块套于支撑柱31上的屏蔽层板5，支撑柱31顶部装设有顶部气体喷射板6，顶部气体喷射板6上装设有加热组件7，支撑底板3上穿设有与顶部气体喷射板6相通的进气管8，支撑底板3上还装设有与加热内腔4相通的底部气体喷射板9。该结构中，保护气体从反应室外部经管道进入该加热装置的内部，部分保护气体通过底部气体喷射板9进入加热内腔4，使加热内腔4形成一种