经或流过顶部环形部300的孔、狭槽和其他类型的特征。在一个实施例中，开口330可围绕顶表面318按等间距图案390来布置，以便提供跨基板的均匀气流。在另一实施例中，如图3B所示，开口 330可定位成围绕顶表面318呈现不对称的图案392。不对称的图案392可呈多个开口 330围绕顶部环形部300不对称的分布形式，或呈开口 330开放区域围绕顶部环形部300不对称的分布形式。在一个实施例中，图3B中的开口330可在靠近栗送通道的位置处较稀疏，并且在与栗送通道相对的位置处较密集。
[0024]参考回图3A，外壁324垂直于顶表面318和底表面320，并且还包括外径328。顶部环形部300的外径328基本上等于底部环形部302的外径314。内壁322基本上平行于外壁324，并且包括内径326 ο顶部环形部300的内径326基本上等于底部环形部302的内径316。
[0025]中间环形部304包括顶部边缘332、底部边缘334、内壁336和外壁338。中间环形部304的顶部边缘332基本上平行于底部边缘334，并且耦接至顶部环形部300的底表面320。中间环形部304的底部边缘334耦接至底部环形部302的顶表面306。中间环形部304的外壁338垂直于中间环形部304的顶部边缘332和底部边缘334。中间环形部304的外壁338与顶部环形部300的外壁324和底部环形部302的外壁312是一体的(integral)。外壁338具有外径342，其中外径342基本上等于顶部环形部300的外径328和底部环形部302的外径314。内壁336基本上平行于外壁338，并还包括内径340。中间环形部304的内径340小于顶部环形部300的内径326和底部环形部302的内径316。
[0026]顶部环形部300的底表面320、中间环形部304的内壁336和底部环形部302的顶表面306限定栗送区域148。顶部环形部300的顶表面318中的多个开口 330提供处理腔室100的内部容积108与栗送区域148之间的流体连通。在处理期间，当基座组件处于升高的位置时，C形通道114位于基座组件(如图2所示)下方。栗送区域148配置成接收工艺气体，所述工艺气体通过多个开口 330而离开处理腔室100的内部容积108，所述多个开口 330是穿过顶部环形部300的顶表面318而形成。栗送区域148通过顶部衬层132的外缘与腔室体104的内部容积108分开(如图1所示)，所述顶部衬层132的外缘邻接内壁310、322、336。工艺气体通过排气口(未示出)离开栗送区域148，穿过底部环形部302的底表面308限定所述排气口。随后，工艺气体通过栗送端口 116离开腔室体104。
[0027]参考回图1，隔离器112设置在处理腔室100的内部容积108中。隔离器112环绕基座组件120以及衬层组件118。隔离器112在衬层组件118的上方延伸，并辅助引导工艺气体跨过基板126并进入在C形通道114的环形体146中限定的栗送区域148。在一个实施例中(诸如，图1所示的实施例)隔离器112具有T形主体。
[0028]图4示出隔离器112的放大图。隔离器112包括顶部环形体400和底部环形体402。顶部环形体400包括顶表面404、底表面406、内壁408和外壁410。顶表面404基本上平行于底表面406。内壁408垂直于顶表面404和底表面406，并且还包括内径412。外壁410基本上平行于内壁408，并且包括外径414，其中，外径414大于内径412。
[0029]底部环形体402包括顶表面416、底表面418、内壁420和外壁422。底部环形体402的顶表面416耦接至顶部环形体400的底表面406，使得两个主体400、402形成T形形状。底部环形体402的顶表面416基本上平行于底表面418。内壁420基本上垂直于顶表面416和底表面418两者，并还包括内径424。内径424大于顶部环形体400的内壁408的内径412。外壁422基本上平行于内壁420，并还包括外径426 ο外径426大于底部环形体402的内径424，并且小于顶部环形体400的外径414。
[0030]顶部环形体400的底表面406与底部环形体402的内壁420是一体的。能以引导工艺气体进入C形通道(未示出)以进行排放的方式来弯曲这一体的表面。顶部环形体400的底表面406与底部环形体402的外壁422也是一体的。这一体的表面配置成接触盖组件(如图1所示)的外周缘。
[0031]图2示出处理腔室100的截面图，其中基座组件120处于升高的位置200。在升高的位置200中，设置在其中的工艺套件102有助于将处理容积限制在基座组件120上方。因此，工艺套件102辅助了保持腔室的底部清洁。结果，工艺套件102辅助了减少总清洁时间。
[0032]控制器202耦接至处理腔室100，并且经由通信线缆204与运动机构通信以升高或降低基座组件120。可操作控制器202以控制在处理腔室100内对基板126的处理。控制器202包括可编程中央处理单(CPU) 206 (其可与存储器208和大容量存储设备一起操作)输入控制单元和显示单元(未示出)，诸如，电源、时钟、高速缓存、输入/输出(I/O)电路等，这些器件耦接至处理腔室100的各种部件以促进对处理基板126的工艺的控制。控制器202还可包括硬件，该硬件用于通过处理腔室100中的传感器(未示出)来监控对基板126的处理。
[0033]为了促进对处理腔室100以及对于对基板126进行处理的控制，CPU206可以是用于控制基板工艺的任何形式的通用计算机处理器中的一种。存储器208耦接至CPU 206，并且存储器208是非暂态的，并且可以是现成的存储器中的一或多种，诸如，随机存取存储器(RAM)、只读存储器(R0M)、软盘、硬盘、或任何其他形式的数字存储设备(无论是本地的还是远程的)。支援电路212耦接至CPU 206，以便以常规方式来支援CPU 116。用于处理基板126的工艺一般是存储在存储器208中。用于处理基板126的工艺还可由第二 CPU(未示出)存储和/或执行，该第二(PU是位于由CPU 206所控制的硬件的远程处。
[0034]存储器208是计算机可读存储介质形式的，该计算机可读存储介质包含指令，当由CPU 206执行这些指令时，将促进在处理腔室100中处理基板126的操作。存储器208中的指令是一种程序产品的形式，诸如，实施处理基板126的操作的程序。程序代码可符合许多不同的编程语言中的任何一种。在一个示例中，本公开可实现为存储在用于与计算机系统一起使用的计算机可读存储介质中的程序产品。程序产品的程序定义出实施例的功能。说明性的计算机可读存储介质包括但不限于:(i)不可写入的存储介质(例如，计算机内的只读存储器设备，诸如，可由⑶-ROM驱动器读取的⑶-R0M、闪存存储器、ROM芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)，在该不可写入的存储介质上，信息被永久地存储；以及(ii)写入式存储介质(例如，在软盘驱动器内的软盘、或硬盘、或任何类型的固态随机存取半导体存储器)，在该写入式存储介质上，可更改的信息被存储。此类计算机可读存储介质在载有引导本文所述的方法的功能的计算机可读指令时是本公开的实施例。
[0035]在升高的位置200中，升降机构134使基板支撑件140在处理腔室100的内部容积108内升高至高度h。该高度可以是例如使得顶部衬层132与基板支撑件140之间存在约2_的径向间隙，并且在隔离器112与基板支撑件140之间存在约5_间隙。将基板(未示出)定位在基板支撑件140上且在一垂直高度处，会使得狭缝沿该基板的侧边而排列。基板的底部位于顶部衬层的顶表面下方以防止在基座组件120下方的任何工艺气体的流动。在处理期间，控制器202与处理腔室100通信以使工艺气体从工艺气源203流入处理腔室100的内部容积108中，用以在基板126上沉积材料。所沉积的材料可以是电介质材料，诸如，硅基电介质材料。气体分配组件110将工艺气体提供给内部容积108。工艺气体可以是例如TE0S。为了辅助保持处理腔室100的下部区域清洁，可使净化气体从基座组件120下方流过处理腔室100的内部容积108。通过处理腔室100的底部124由单独的气体管线210来引入净化气体。净化气体有助于使处理腔室100的侧壁122以及处理腔室100在基座组件120下方的区域上的不想要的沉积最小化。净化气体可以是惰性气体，诸如，氮或氩。
[0036]在处理之后，将工艺气体和净化气体两者从处理腔室100的内部容积108中排出。隔离器112引导工艺气体和净化气体向下，并朝向C形通道114的上表面中的多个开口 330(在图3A和图3B中示出)。一旦工艺气体和净化气体进入了栗送区域148，则使这些气体通过排气口(未示出)流出栗送区域148，在底部环形部302的底表面308限定所述