排气口。随后，这些气体通过栗送端口 116离开腔室体104。
[0037]图5示出处理腔室100中的工艺套件500的一个实施例的放大截面图。工艺套件500包括隔离器502、C形通道114和衬层组件506，衬层组件506具有顶部衬层508、中间衬层(未示出)和底部衬层(未示出)。顶部衬层508可以是缸体，用于限制工艺气体并且保护侧壁122免受工艺气体。顶部衬层508还包括外壁512和顶表面514。外壁512和顶表面514以半径516相交。该半径控制顶部衬层的曲率或边缘倒圆角。例如，外壁512与顶表面514的相交可以具有25mm的半径。其中隔离器502接触顶部衬层508的几何配置基本上防止沉积材料在工艺套件500上的积聚。顶部衬层(如图1和图2所示)的边缘被修整成具有更陡的斜度以防止其后方的气流再循环。另外，隔离器502的内壁518可成形为避免气体积聚在顶部衬层508上。例如，隔离器502的内壁518可以包括35mm倒角以辅助防止隔离器502后方的气流再循环。
[0038]在处理期间，底部净化用于防止基座组件下方的腔室区域免受工艺气体的污染。底部净化有助于显著地减少清洁处理腔室100所需的时间。隔离器502和顶部衬层508的配置将净化气体引导至隔离器502与顶部衬层508之间区域，这显著地减少了顶部衬层上的再循环，并且显著地防止粉末残留。
[0039]图6示出处理腔室100的另一实施例。处理腔室100包括工艺套件600，所述工艺套件600配置成减少其上的颗粒沉积，这有利地减少缺陷并且增大保养间隔。
[0040]工艺套件602环绕基座组件120。工艺套件602包括隔离器604、C形通道114和衬层组件118中的至少一个或多个。在一个实施例(诸如，图6所示的实施例)中，隔离器604具有L形。L形衬层设置在处理腔室100的内部容积108中。隔离器604环绕基座组件120和衬层组件118。隔离器604在衬层组件118的上方延伸。隔离器604辅助跨基板126来引导工艺气体并将该工艺气体引入栗送区域148中，该栗送区域148被限定在C形通道114的环形体146中。
[0041 ]图7示出隔离器604的一个实施例的放大图。隔离器604包括顶部环形体700和底部环形体702 ο顶部环形体700耦接至底部环形体702以形成L形形状。隔离器604还包括内表面704 ο内表面704由顶部环形体700和底部环形体702形成。内表面704配置成在处理期间接收等离子体堆积。内表面704与基座组件间隔开，使得等离子体堆积与基板表面相隔得更远。内表面704与基板之间的增加的距离减小了等离子体堆积将落在基板的表面上的可能性。
[0042]尽管上述内容是针对具体实施例，但也可设计其他和进一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由所附权利要求书来确定。
【主权项】
1.一种用于处理基板的处理腔室，所述处理腔室包括: 腔室体，所述腔室体具有内部容积； 盖，所述盖封闭所述内部容积； 衬层组件，所述衬层组件设置在所述腔室体的所述内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室体的所述内部容积内，并且包围所述衬层组件，所述C形通道进一步包括: 顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口； 底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；以及 中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定栗送区域，所述栗送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积。2.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述衬层组件进一步包括: 底部衬层，所述底部衬层设置在所述处理腔室的底部上； 中间衬层，所述中间衬层设置在所述底部衬层上；以及 顶部衬层，所述顶部衬层设置在所述中间衬层上，所述底部衬层、所述中间衬层和所述顶部衬层形成连续的表面。3.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述顶部衬层进一步包括: 外壁； 顶表面，所述顶表面基本上垂直于所述外壁，并且所述顶表面与所述外壁以一半径相交。4.根据权利要求3所述的处理腔室，其特征在于，所述边缘的半径为25mm。5.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，进一步包括: 隔离器。6.根据权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述隔离器为L形。7.根据权利要求5所述的处理腔室，其特征在于，所述隔离器为T形。8.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述C形通道进一步包括: 排气口，其中，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。9.一种在处理腔室的内部容积中的工艺套件，所述工艺套件包括: 衬层组件，所述衬层组件配置成对处理腔室的内部容器加衬层； C形通道，所述C形通道尺寸设置成包围所述衬层组件，所述C形通道进一步包括: 顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口； 底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；以及 中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定栗送区域，所述栗送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及隔离器，所述隔离器配置成包围所述衬层组件。10.根据权利要求9所述的工艺套件，其特征在于，所述衬层组件进一步包括: 底部衬层，所述底部衬层设置在所述处理腔室的底部上； 中间衬层，所述中间衬层设置在所述底部衬层的顶部，并且耦接至所述底部衬层；以及 顶部衬层，所述顶部衬层设置在所述中间衬层的顶部，并且耦接至所述中间衬层，所述底部衬层、所述中间衬层和所述顶部衬层形成连续的表面，所述连续的表面具有外径，所述外径小于所述C形通道的内径。11.根据权利要求10所述的工艺套件，其特征在于，所述顶部衬层进一步包括: 外壁； 顶表面，所述顶表面基本上垂直于所述外壁，并且所述顶表面与所述外壁以一半径相交。12.根据权利要求11所述的工艺套件，其特征在于，所述半径为25mm。13.根据权利要求9所述的工艺套件，其特征在于，所述隔离器为L形。14.根据权利要求9所述的工艺套件，其特征在于，所述隔离器为T形。15.一种将娃基材料沉积在基板上的方法，所述方法包括: 使前体气体流入处理腔室中； 引导所述前体气体穿过形成在C形通道中的多个竖直开口而进入栗送通道；以及 将所述前体气体从所述C形通道栗送出所述处理腔室。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所处理腔室进一步包括: 腔室体，所述腔室体具有内部容积； 盖，所述盖封闭所述内部容积； 衬层组件，所述衬层组件设置在所述腔室体的所述内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室体的所述内部容积内，并且包围所述衬层组件，所述C形通道进一步包括: 顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口； 底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；以及 中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，所述顶部环形部、所述底部环形部所述中间环形部限定栗送区域，所述栗送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个孔流体地耦接至所述内部容积。17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括: 升高设置在所述处理腔室的内部容积中的基座组件，其中，所述基座组件配置成限制所述处理腔室的处理容积。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，升高所述基座组件，使得在设置在所述处理腔室中的顶部衬层与所述基板支撑件之间形成2_的径向间隙。19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，升高所述基座组件，使得在设置在所述处理腔室中的隔离器与所述基板支撑件之间形成5_的间隙。20.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括: 使净化气体在所述基座的下方流过所述处理腔室的所述内部容积。
【专利摘要】本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
【IPC分类】C23C16/44
【公开号】CN105714269
【申请号】CN201510964982
【发明人】K·高希, M·G·库尔卡尼, S·巴录佳, 祝基恩, S·金, 王彦杰
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月21日
【公告号】US20160181088