专利名称：多晶硅还原炉进料喷嘴的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种喷嘴，特别是一种多晶硅还原炉的进料喷嘴。
背景技术：
目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”用氯气和氢气合成 氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提 纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内，在一定的温度和压力下， 在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成 棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备，由还原炉炉底盘、带有 夹套冷却水的钟罩式炉体、电极、视镜孔、混合气进料管、混合气进料喷嘴、混合气尾气管、 炉底盘冷却水管等组成。在实际生产中，为了使产品表面光滑、有灰金属光泽度，同时提高产品的致密度 等，经常需要在工艺上进行调整，还原炉内的工况情况本身就比较复杂，如果进料喷嘴固 定，单纯的依靠工艺调节来优化产品质量比较困难，具体体现在如果喷嘴一定，要改变喷 流速度或者是喷流流量，那么就要改变其进料管道上的进料装置的温度、压力、流量等参 数，但是在整个系统中，如果要改变这些参数，将要对系统或者部分系统重新做平衡，使得 整个过程复杂化。目前由于多晶硅还原炉生产成本高，一般情况下，已经成形的还原炉不会做相应 的改动，炉底盘的进料喷嘴的位置也就不会改变，如果可以改变喷嘴的大小，那么在不改变 工艺管道和设备的情况下，就可以结合自己的工况情况进行调整以达到自己的产品生产要 求，大大降低了生产成本。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述情况，提供一种方便拆卸的、可调整的多晶 硅还原炉进料喷嘴。为了达到上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案一种多晶硅还原炉进料喷嘴，连接在还原炉炉底盘的进料口处，所述进料喷嘴上 部为喷嘴段，下部为连接段，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔，所述进料喷嘴与还原炉底盘的 连接方式为可拆卸式连接。作为优选方式，所述还原炉炉底盘的进料口内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连 接段外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。作为优选方式，所述进料喷嘴内部的喷嘴孔的直径为5-20mm。作为优选方式，所述进料喷嘴的喷嘴段的高度为3_20mm。作为优选方式，所述进料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的扳手夹持段。本实用新型的有益效果是可以根据现场实际情况调节喷嘴大小，而不需要对系统做任何大规模的调整，简化了工艺调节过程，节约了生产成本，通过更换不同直径的喷嘴 孔的喷嘴来改变进料管道上的进料流速、流量等参数从而使产品表面光滑、有灰金属光泽 度，喷嘴段高度过高会使喷嘴被炉内的高温灼伤，喷嘴高度过低又使喷入的料所能达到的 高度过低而影响产品的后续生产，所以设置了较佳的喷嘴段高度和喷嘴孔大小，有利于多 晶硅的沉积、产品致密度的增加，提高了产品的质量和产量，六角形的扳手夹持段便于使用 扳手进行紧固，方便操作。
图1是进料喷嘴与还原炉底盘连接示意图。图2是进料喷嘴俯视图。图中标记1为进料喷嘴，2为还原炉底盘，3为喷嘴孔，4为扳手夹持段，5为高度 为H的喷嘴段，6为连接段，7为进料口。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。实施例1如图1、图2所示，一种多晶硅还原炉进料喷嘴1，连接在还原炉底盘2的进料口 7 处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段5，其高度H为3mm，下部为连接段6，所述进料喷嘴内部设有 喷嘴孔3，喷嘴孔的直径为5mm，所述还原炉底盘的进料口 7内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴 的连接段6外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。所述进料喷嘴的喷嘴段上设 有六角形的扳手夹持段4，用扳手进行固定封死。根据实际生产情况调节喷嘴段5的高度H和喷嘴孔3的直径大小来优化混合气体 气场的分布。实施例2一种多晶硅还原炉进料喷嘴1，连接在还原炉炉底盘的进料口 7处，所述进料喷嘴 上部为喷嘴段5，其高度H为20mm，下部为连接段6，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔3，喷嘴 孔的直径为20mm，所述还原炉炉底盘的进料口 7内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连接段6 外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的外螺纹。所述进料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的 扳手夹持段4，用扳手进行固定封死。根据实际生产情况调节喷嘴段5的高度H和喷嘴孔3的直径大小来优化混合气体 气场的分布。
权利要求1.一种多晶硅还原炉进料喷嘴，连接在还原炉底盘的进料口处，其特征在于所述进 料喷嘴上部为喷嘴段，下部为连接段，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔，所述进料喷嘴与还原 炉底盘的连接方式为可拆卸式连接。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉进料喷嘴，其特征在于所述还原炉炉底盘的 进料口内壁设有内螺纹，所述进料喷嘴的连接段外部设有和底盘进料口内壁内螺纹配合的 外螺纹。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉进料喷嘴，其特征在于所述进料喷嘴内部的 喷嘴孔的直径为5-20mm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉进料喷嘴，其特征在于所述进料喷嘴的喷嘴 段的高度为3-20mm。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的多晶硅还原炉进料喷嘴，其特征在于所述进 料喷嘴的喷嘴段上设有六角形的扳手夹持段。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅还原炉进料喷嘴，连接在还原炉底盘的进料口处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段，下部为连接段，所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔，所述进料喷嘴与还原炉底盘的连接方式为可拆卸式连接，可以根据现场实际情况调节喷嘴大小，简化了工艺调节过程，通过更换不同直径的喷嘴孔的喷嘴来改变进料管道上的进料流速、流量等参数从而使产品表面光滑、有灰金属光泽度，喷嘴段高度过高会使喷嘴被炉内的高温灼伤，喷嘴高度过低又使喷入的料所能达到的高度过低而影响产品的后续生产，所以设置了较佳的喷嘴段高度和喷嘴孔大小，有利于多晶硅的沉积、产品致密度的增加，提高了产品的质量和产量，六角形的扳手夹持段便于使用扳手进行紧固。
文档编号C01B33/03GK201785200SQ20102024252
公开日2011年4月6日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者王勃, 邱健源, 陈强, 龙兴文 申请人:峨嵋半导体材料研究所