专利名称：一种单晶硅边皮料的清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种单晶硅边皮料的清洗方法。
背景技术：
目前，在单晶硅行业中，一般将氢氟酸、硝酸按一定比例进行配制后，对单晶硅边皮料进行酸洗，这种方法成本既高，又会对人体产生危害，不利于环境保护。
发明内容
本发明的目的是提供成本低，且有利于环境保护的一种单晶硅边皮料的清洗方法。本发明采取的技术方案是一种单晶硅边皮料的清洗方法，其特征在于将单晶硅边皮料先采用洗洁精和清水进行混合清洗，然后又用清水冲洗即可。所述的单晶硅边皮料与洗洁精的重量百分比在20 0. 5 1之间。采用本发明方法，据实践结果表明，清洗效果与原来的酸洗方法一样，但成本可以降低五倍以上，且排放的清洗用水对环境影响小。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。该一种单晶硅边皮料的清洗方法包括下列步骤一、准备300公斤的单晶硅边皮料，将其浸没入水池的清中。二、根据单晶硅边皮料表面污渍情况，勺情在水池中加入7. 5 15公斤的洗洁精浸泡一定时间。即单晶硅边皮料与洗洁精的重量百分比在20 0.5 1之间。三、采用清水对单晶硅边皮料进行冲洗，将表面洗洁精及污渍冲洗干净即可。采用上述方法，虽然洗洁精在生活中用处颇多，但将其应用于工业方面的单晶硅边皮料的清洗尚未发现，据实践结果表明，清洗效果与原来的酸洗方法一样，但成本至少可以降低五倍以上，且排放的清洗用水对环境影响小。
权利要求
1.一种单晶硅边皮料的清洗方法，其特征在于将单晶硅边皮料先采用洗洁精和清水进行混合清洗，然后又用清水冲洗即可。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅边皮料的清洗方法，其特征在于单晶硅边皮料与洗洁精的重量百分比在20 0.5 1之间。
全文摘要
本发明涉及一种单晶硅边皮料的清洗方法，该方法是将单晶硅边皮料先采用洗洁精和清水进行混合清洗，然后又用清水冲洗即可。采用本发明方法，据实践结果表明，清洗效果与原来的酸洗方法一样，但成本可以降低五倍以上，且排放的清洗用水对环境影响小。
文档编号C01B33/02GK102417180SQ20111024427
公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月23日 优先权日2011年8月23日
发明者方中期, 汪国锋 申请人:开化县同欣硅业有限公司