1.一种厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料包括下述质量百分比的组分：
砂壁状建筑涂料乳液11.96～14.04％；
羟乙基纤维素0.1472～0.1728％；
有机胺中和剂0.046～0.054％；
消泡剂0.046～0.054％；
防发白调节剂0.276～0.324％；
防冻剂0.276～0.324％；
成膜助剂0.368～0.432％；
杀菌剂0.184～0.216％；
水性防开裂剂0.3～0.5％；
蓬松剂0.05～0.2％；
增稠剂0.0184～0.0216％；
20-40目天然彩砂34.2～50.9％；
40-80目天然彩砂12.2～32.2％；
80-120目天然彩砂0.47～4.0％；以及
水9.0784～10.8116％。
2.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的砂壁状建筑涂料乳液的挥发性有机化合物在20g/L以下，墙面附着力≤1级，固体含量48±2％，pH值6.0～8.0，在25℃时粘度800～3000mPa.s，最低成膜温度≤23℃。
3.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的羟乙基纤维素20℃的1％溶液粘度≥3000mPa·s，98％颗粒尺寸＜500μm，0.5％溶液pH值5～7。
4.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的消泡剂为聚硅氧烷-聚醚共聚型消泡剂，有效成分≥18％。
5.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的杀菌剂为广谱抑菌剂，有效成份≥2.5％，在20℃时密度1.00～1.10g/ml。
6.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的成膜助剂的质量含量≥99％，在20℃时比重为0.95、折光指数为1.4423、不溶于水；醋酸丁酯为1的挥 发速度为0.002，沸点为255℃、凝固点为-50℃。
7.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的防开裂剂为白色粉末状晶体，成单斜晶系，并以六方薄片状和鳞片状形态存在，1000℃干烧失重4.3～6.3％，比重2.78～2.82g/cm3，折射率1.55±0.05，粒径32～50μm。
8.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的蓬松剂为非离子型脂肪醇酯类蓬松剂，pH值为6.0～8.0。
9.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的20-40目天然彩砂、40-80目天然彩砂、80-120目天然彩砂均经过不锈钢分级筛网筛选，其上筛质量比不高于5％，下筛质量比不高于20％；在沸水中煮1h不掉色，500h耐人工气候老化性后不粉化、不变色。
10.根据权利要求1所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料，其特征在于，所述的防冻剂为丙二醇和/或乙二醇。
11.一种权利要求1～10中任一项所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
(1)将所述的羟乙基纤维素与50.0～80.0％的所述去离子水、30.0～50.0％的所述有机胺中和剂和30.0～50.0％的所述消泡剂进行搅拌得混合溶解液A；
(2)在搅拌状态下，向步骤(1)所得的混合溶解物A中加剩余的所述消泡剂、所述杀菌剂、所述建筑弹性乳液、所述成膜助剂、所述防冻剂、所述的防开裂剂、所述的蓬松剂、所述增稠剂和剩余的所述去离子水，搅拌得混合物B；
(3)在搅拌状态下，向步骤(2)所得的混合物B中依次加入40～80目天然彩砂、20～40目天然彩砂及80～120目天然彩砂，搅拌得所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料；
其中，百分比均为相对于各相应组分质量的质量百分比。
12.根据权利要求11所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料的制备方法，其特征在于，所述的步骤(1)具体为：
将所述的羟乙基纤维素与50.0～80.0％的所述去离子水、30.0～50.0％的所述有机胺中和剂和30.0～50.0％的所述消泡剂，1200～1500转/分钟进行15～20分钟的高速搅拌得混合溶解液A。
13.根据权利要求11所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料的制备方法，其特征在于，所述的步骤(2)具体为：
在搅拌状态下，向步骤(1)所得的混合溶解物A中加剩余的所述消泡剂、所述杀菌剂、 所述建筑弹性乳液、所述成膜助剂、所述防冻剂、所述的防开裂剂、所述的蓬松剂、所述增稠剂和剩余的所述去离子水，800～1100转/分钟进行5～15分钟的中速搅拌得混合物B。
14.根据权利要求11所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料的制备方法，其特征在于，所述的步骤(3)具体为：
在搅拌状态下，向步骤(2)所得的混合物B中依次加入40～80目天然彩砂、20～40目天然彩砂及80～120目天然彩砂，500～700转/分钟进行5～15分钟的低速搅拌得所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料。
15.根据权利要求11所述的厚质刮涂砂壁状建筑涂料的制备方法，其特征在于，所述的搅拌状态均在5～40℃的室温下进行。