本发明涉及光伏领域，尤其涉及一种新型硅单晶炉。
背景技术：
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于石英坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。
目前，硅单晶炉在生产过程中，通过导流筒对氩气进行导流，氩气流动过程中，不断的从晶体表面带走热量，然而，现有导流筒难以有效控制氩气的流动速度，一旦流动速度快，易造成固液界面凹陷，进而会影响硅单晶的成型质量，由此，急需解决。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对上述问题，提供一种新型硅单晶炉，以解决现有导流筒难以有效控制氩气的流动速度，易影响硅单晶成型质量的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现：
一种新型硅单晶炉，包括炉体，所述炉体上开有抽真空口，且炉体内设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅的内部设置有石英钳锅，所述保温筒内位于石英钳锅的上部设置有导流筒，所述导流筒的下部设置有导流板，所述导流板由驱动装置驱动，并可转动安装于导流筒的下部。
作为本发明的一种优选方案，所述驱动装置为电机，所述导流筒的下部可转动连接有旋转轴，所述旋转轴由电机驱动，所述导流板固定安装于旋转轴上。
作为本发明的一种优选方案，所述导流板与旋转轴键连接。
作为本发明的一种优选方案，所述保温筒与炉体之间设置有保温毡。
本发明的有益效果为，所述一种新型硅单晶炉通过在导流筒的下部转动连接导流板，进而可根据需要调节导流板的角度，从而改变氩气的流动速度，避免氩气流动速度过快对硅单晶的成型质量造成影响，结构简单、易于实现。
附图说明
图1为本发明一种新型硅单晶炉的结构示意图。
图中:
1、炉体；2、抽真空口；3、保温筒；4、保温毡；5、托架；6、石墨钳锅；7、加热器；8、电极；9、石英钳锅；10、导流筒；11、导流板。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。
请参照图1所示，图1为本发明一种新型硅单晶炉的结构示意图。
于本实施例中，一种新型硅单晶炉，包括炉体1，所述炉体上开有抽真空口2，且炉体1内设置有保温筒3，所述保温筒3与炉体1之间设置有保温毡4，且保温筒3内通过托架5设置有石墨钳锅6，所述石墨钳锅6的外侧设置有加热器7，所述加热器7与电极8相连，所述石墨钳锅6的内部设置有石英钳锅9，所述保温筒3内位于石英钳锅9的上部设置有导流筒10，所述导流筒10的下部可转动连接有旋转轴，所述旋转轴由电机驱动，所述导流板11键连接于旋转轴上。
上述一种新型硅单晶炉通过在导流筒10的下部转动连接导流板11，进而可根据需要调节导流板11的角度，从而改变氩气的流动速度，避免氩气流动速度过快对硅单晶的成型质量造成影响，结构简单、易于实现。
以上实施例只是阐述了本发明的基本原理和特性，本发明不受上述实施例限制，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书界定。