本实用新型涉及一种晶体生产装置，具体涉及一种碳化硅晶体生产装置。
背景技术：
目前，碳化硅晶体生长装置的结构设置不合理，工作温度和压力不易控制，感应线圈不完全轴对称导致石墨坩埚产生的晶体生长温场不完全轴对称，从而产生不对称晶体生长。
技术实现要素：
发明目的：本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构设置合理，控制精确，产品质量高的新型碳化硅单晶炉。
技术方案：为了解决上述技术问题，本实用新型所述的一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚，在所述坩埚上方设有坩埚盖，在所述坩埚底部内侧设有下晶体生长平台，在所述坩埚盖下端面上设有上晶体生长平台，在所述坩埚内侧壁上设有物料室，在所述坩埚底部外侧设有旋转机构，在所述坩埚外部设有保温层，所述坩埚和坩埚盖都设在反应室内，在所述反应室外部设有感应线圈，所述感应线圈的分布高度占反应室高度的2/3-4/5，所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的3/5-4/5，在所述反应室上设有压力控制装置和监测装置。
所述坩埚和坩埚盖都由石墨制成。
所述感应线圈的分布高度占反应室高度的7/10。
所述坩埚的内径长度占反应室内径长度的7/10。
有益效果：本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：本实用新型整体结构设置合理，采用分布高度占反应室高度7/10的对称感应线圈及设在坩埚外的保温层，使反应室内温度稳定，晶体对称生长，采用内径长度占反应室内径长度7/10的坩埚，保证晶体处于最稳定生产环境，将物料室设在坩埚内侧壁上，同时设置上、下晶体生长平台，大大提高生产效率，设置压力控制装置和监测装置，控制精确。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示，本实用新型所述的一种新型碳化硅单晶炉，它包括坩埚1，在所述坩埚1上方设有坩埚盖2，在所述坩埚1底部内侧设有下晶体生长平台3，在所述坩埚盖2下端面上设有上晶体生长平台4，在所述坩埚1内侧壁上设有物料室5，在所述坩埚1底部外侧设有旋转机构6，在所述坩埚1外部设有保温层7，所述坩埚1和坩埚盖2都设在反应室8内，在所述反应室8外部设有感应线圈9，所述感应线圈9的分布高度占反应室8高度的7/10，所述坩埚1的内径长度占反应室8内径长度的7/10，在所述反应室8上设有压力控制装置10和监测装置11；所述坩埚1和坩埚盖2都由石墨制成。本实用新型整体结构设置合理，采用分布高度占反应室高度7/10的对称感应线圈及设在坩埚外的保温层，使反应室内温度稳定，晶体对称生长，采用内径长度占反应室内径长度7/10的坩埚，保证晶体处于最稳定生产环境，将物料室设在坩埚内侧壁上，同时设置上、下晶体生长平台，大大提高生产效率，设置压力控制装置和监测装置，控制精确。
本实用新型提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。