1.一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法，其特征在于，将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使所述Cl2活化得到氯自由基，所述氯自由基与所述氢化物反应得到含氯化合物，将所述含氯化合物与所述循环氢气分离。
2.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，所述等离子体装置的电极上设置有电介质。
3.根据权利要求2所述的深度净化方法，其特征在于，所述电介质为石英或氧化铝。
4.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，向所述等离子体装置中加入络合剂，以使生成的所述含氯化合物与所述络合剂反应得到络合物实现所述含氯化合物与所述循环氢气的分离。
5.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，将具有所述含氯化合物的所述循环氢气通入液化装置中，使所述含氯化合物液化从而实现所述含氯化合物与所述循环氢气分离。
6.根据权利要求5所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在温度为-20℃～10℃的条件下进行。
7.根据权利要求5所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在压强为1×106Pa～5×106Pa的条件下进行。
8.根据权利要求5所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在温度为-20℃～10℃、压强为1×106Pa～5×106Pa的条件下进行。
9.根据权利要求5所述的深度净化方法，其特征在于，所述液化装置为精馏塔。
10.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，向所述等离子体装置中加入络合剂，以使生成的所述含氯化合物与所述络合剂反应得到络合物，将剩余的所述含氯化合物与所述循环氢气通入液化装置中，使所述含氯化合物液化从而实现所述含氯化合物与所述循环氢气分离。