1.一种SiC宝石的热处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将加工后的SiC宝石颗粒放入多孔小石墨坩埚中，用于将所述SiC宝石与SiC粉料隔离；
（2）将所述多孔小石墨坩埚放入大石墨坩埚中，使所述多孔小石墨坩埚的中心与大石墨坩埚的中心位于同一轴线上；
（3）在所述大石墨坩埚内、多孔小石墨坩埚外四周填充所述SiC粉料，用于热处理过程中，所述SiC粉料发生升华，产生的气相组分透过所述多孔小石墨坩埚进入其内部，提高SiC宝石周围的气相组分浓度，抑制SiC宝石表面升华；
（4）将所述多孔小石墨坩埚与大石墨坩埚组成的石墨坩埚组放入感应加热炉中，在所述大石墨坩埚外部四周放置保温毡，逐步升温至1000℃-1500℃；
（5）向所述感应加热炉内通入惰性气体，且所述感应加热炉内压力保持在0.5atm-1atm，完成SiC宝石的热处理。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述多孔小石墨坩埚为圆柱形，圆柱顶端具有封闭所述多孔小石墨坩埚的上盖，所述多孔小石墨坩埚的孔隙率大于20%，用于所述SiC粉料发生升华，产生的气相组分透过所述多孔小石墨坩埚进入其内部，提高SiC宝石周围的气相组分浓度，抑制SiC宝石表面升华。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的热处理方法，其特征在于，所述气相组分为Si、Si2C 或 SiC2。
4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述大石墨坩埚为圆柱形，体积比所述多孔小石墨坩埚大，将所述多孔小石墨坩埚置于所述大石墨坩埚内中心处，组成所述石墨坩埚组，所述大石墨坩埚的孔隙率小于10%。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的热处理方法，其特征在于，所述SiC粉料的粒径小于1mm。
6.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气和氦气。