技术总结
本发明属于SiC宝石处理技术领域，具体涉及一种SiC宝石的热处理方法。包括以下步骤：（1）将加工后的SiC宝石颗粒放入多孔小石墨坩埚中；（2）将所述多孔小石墨坩埚放入大石墨坩埚中，使所述多孔小石墨坩埚的中心与大石墨坩埚的中心位于同一轴线上；（3）在所述大石墨坩埚内、多孔小石墨坩埚外四周填充所述SiC粉料；（4）将所述多孔小石墨坩埚与大石墨坩埚组成的石墨坩埚组放入感应加热炉中，在所述大石墨坩埚外部四周放置保温毡，逐步升温至1000℃‑1500℃；（5）向所述感应加热炉内通入惰性气体，且所述感应加热炉内压力保持在0.5atm‑1atm，完成SiC宝石的热处理。该方法有效防止了热处理过程中SiC宝石表面的升华，提高SiC宝石品质的均一性。
技术研发人员：乔松;杨昆;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611126162
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.10