一种用于热顶窑炉的顶插电极的制作方法

文档序号:12088448阅读:353来源:国知局

本发明涉及电熔玻璃窑炉技术领域,尤其涉及一种用于热顶窑炉的顶插电极。



背景技术:

传统玻璃窑炉均为冷顶结构,在冷顶窑炉上使用顶插电极已经是成熟技术,冷顶窑炉的顶插电极工作原理是将电极头部直接浸入下部高温熔体中实现加热,熔体上部由冷态原料覆盖以减少热损失(即冷顶),电极除前端加热区域外的其余部位采用长水套保护,且水套的一端需埋设在窑炉上部的粉状原料中,从而防止电极氧化。顶插电极安装方便,操作简单,并可以避免因熔体下部耐材开孔(用于安装电极)带来的耐材烧穿漏料风险,且水套会带走一定的热量。一般情况下,玻璃窑炉均采用高电流密度的钼电极加热,但钼电极在氧化性气氛中380℃开始氧化,600℃时加速氧化,超过700℃时迅速氧化,氧化物主要为挥发性气体,因此确保钼电极的表面温度小于380℃,或避免接触氧化性气氛,才能避免电极氧化。在电极外部采用水冷套保护既可以降低电极表面温度,又可以减少电极与氧气性气体直接接触。

伴随电熔玻璃窑炉技术的发展,如采用热态熔渣改性加工等,采用热顶窑炉已经成为其他新产业的发展趋势。虽然侧插电极和底插电极能够实现加热功能,但需在熔体下部的耐材上开孔(即安装电极),且在电极与耐材之间需预留一定的空隙,从而会带产生耐材烧穿漏料的风险,同时实施对钼电极的防氧化保护与电极续进功能均有较大的难度。对任何窑炉而言,采用顶插钼电极结构是最安全的加热技术,但因热顶窑炉中的空间温度会超过1200℃以上,且无论火焰窑还是电熔窑的空间均会含有一定量的氧化性气体,故采用顶插电极必须解决电极防氧化问题,同时减少顶插电极水套带走的热量,以防止空间温度下降导致熔体表面结壳影响正常生产。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是提供一种用于热顶窑炉的顶插电极,其具有的保护套结构取代传统钼电极的水冷套结构,能够防止电极本体的氧化,且该顶插电极具有使用方便的优点。

为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:

一种用于热顶窑炉的顶插电极,包括电极本体、保护套和密封部,所述保护套套在所述电极本体上,所述保护套的两端开口和所述电极本体之间的间隙通过所述密封部密封,所述保护套和所述电极本体之间填充惰性气体。

较佳的,所述电极本体包括钼棒和不锈钢棒,所述钼棒与所述不锈钢棒固定连接,且固定连接处位于所述保护套内。

进一步地,露出于所述保护套底端的所述钼棒用于加热玻璃熔渣,露出于所述保护套顶端的所述不锈钢棒设有一电极接线孔。

较佳的,所述密封部包括绝缘垫、绝缘密封罩和密封垫,所述保护套的顶端开口处和所述电极本体之间依次通过所述密封垫、绝缘密封罩来密封,所述保护套的底端开口处和所述电极本体之间通过所述绝缘垫来密封。

较佳的,当熔体为酸性物质,则所述保护套采用抗酸性材料;当熔体为碱性物质,则所述保护套采用抗碱性材料。

较佳的,所述顶插电极悬挂在窑炉顶部的耐火砖上。

本技术方案的有益技术效果是:

本发明取消传统钼电极的水冷套结构,并对高温空间区域加装保护套保护,并在保护套与电极本体之间的缝隙内填充惰性气体,以杜绝钼电极本体的氧化。在电极本体受到熔体长期侵蚀需要更换时,仅需将本顶插电极直接从窑炉顶部拔出更换即可。

附图说明

图1是本发明一实施例的顶插电极结构示意图。

图中,1-电极本体;2-绝缘垫;3-保护套;4-耐火砖;5-绝缘密封罩;6-电极接线孔;7-惰性气体7;8-密封垫8。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。

请参考图1,一种用于热顶窑炉的顶插电极,包括电极本体1、保护套3和密封部,保护套3套在电极本体1上,保护套3的两端开口和电极本体1之间的间隙通过密封部密封,保护套3和电极本体1之间填充惰性气体7。惰性气体7用以隔绝电极本体1与氧化性气体直接接触。

电极本体1包括钼棒和不锈钢棒,钼棒与不锈钢棒固定连接,且固定连接处位于保护套3内。露出于保护套3底端的钼棒用于直接加热玻璃熔渣,露出于保护套3顶端的不锈钢棒设有一电极接线孔。

密封部包括绝缘垫2、绝缘密封罩5和密封垫8,保护套3的顶端开口处和电极本体1之间依次通过密封垫8、绝缘密封罩5来密封,保护套3的底端开口处和电极本体1之间通过绝缘垫2来密封。

当熔体为酸性物质,则保护套3采用抗酸性材料;当熔体为碱性物质,则保护套3采用抗碱性材料。同时,保护套3需要根据熔体的特性选用具有防氧化和耐高温材料。

顶插电极悬挂在窑炉顶部的耐火砖4上。

当电极本体1受到熔体长期侵蚀需要更换时,仅需将本顶插电极直接从窑炉顶部拔出更换即可。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

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