1.一种单晶硅平收尾方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤S01：关闭自动温度控制系统，将坩埚的运动上升速度降为零；
步骤S02：手动升温10～20℃，晶体的提拉速度降低至0.1～0.4mm/min，保持晶体继续生长20～30min，此时晶体与固液界面接触的一端由凹面生长为平面；
步骤S03：关闭晶体提拉速度的自动控制系统，手动调节晶体的提拉速度，使得晶体的提拉速度小于0.1mm/min，保持晶体继续生长20～30min，此时晶体与固液界面接触的一端由平面生长为凸面；
步骤S04：将坩埚一次性下降20～50mm，使得晶体脱离坩埚内熔硅液面，然后降低晶体转速和坩埚转速；
步骤S05：晶体降温，继续提拉晶体获得产品。
2.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S02中，一次性手动升温15℃。
3.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S02中，所述晶体的提拉速度降低至0.35mm/min。
4.根据权利要求3所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S02中，所述晶体的生长时间为25min。
5.根据权利要求4所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S03中，所述晶体的提拉速度降低至0.02mm/min或0.03mm/min。
6.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述晶体转速和坩埚转速降低至1～3转/min。
7.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S05中，通过手动调节加热装置的加热功率使得晶体温度降低，具体步骤如下：将所述加热器的加热功率设为50kW，保持10min；将所述加热器的加热功率设为30kW，保持10min；将所述加热器的加热功率设为0kW。
8.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步骤S05中，所述晶体以6mm/min的速度上升20～50min。
9.根据权利要求1所述的单晶硅平收尾方法，其特征在于，所述收尾工序耗用时间为1～3小时。
10.一种单晶硅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括多晶硅的装料和熔化、种晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾，所述收尾为权利要求1～9任意一项所述的单晶硅平收尾方法。