一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置的制作方法

本发明涉及一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，属于多晶铸锭技术领域。

背景技术：

目前G6多晶炉在使用1-2年后，热场中的保温材料出现保温性能衰减的情况，当工艺温度达到1500度以上的时候，由于保温性能降低，坩埚底部温度没有达到漂料工艺的要求，这样化料时间需要延长，功耗变大，同时硅液体与石英坩埚底部的石英砂没有形成良好的浸润效果，在长晶后晶粒生长的质量较差，所得到的硅片位错和转换效率较差。

技术实现要素：

本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，提高多晶铸锭炉化料阶段坩埚底部的温度，实现G6全熔底部翻料的工艺要求，缩短化料时间降低功耗。

本发明是通过如下的技术方案予以实现的：

一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，包括多晶炉、下保温板、若干定向凝固块和隔热笼，其中，所述多晶炉底部设有凹槽，所述下保温板置于凹槽内，若干定向凝固块分布于下保温板四周，所述定向凝固块上设有若干螺钉，若干螺钉均匀间隔设置，通过螺钉穿过定向凝固块和下保温板实现定向凝固块和下保温板相连；

所述定向凝固块上设有软毡，所述软毡外侧设有若干凹口，所述凹口与螺钉位置对应，所述隔热笼底部至于定向凝固块上，所述隔热笼底部内壁与软毡外壁配合，且设有若干凸起，所述凸起与凹口形状配合。

上述一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，其中，相邻凹口之间的间距为d1，所述软毡长度为d2，d1：d2=1:3.8。

上述一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，其中，所述软毡宽度为d3，d3：d2=1:6.7。

上述一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，其中，所述软毡上设有若干销钉，通过销钉穿过软毡和定向凝固块实现软毡和定向凝固块相连，所述销钉外设有护套。

上述一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，其中，所述凹口包括一级凹口和二级凹口，所述一级凹口内壁包括竖直边和圆弧边，所述竖直边位于圆弧边两侧，且外切于圆弧边，所述二级凹口位于一级凹槽顶部，且形状与一级凹槽一致，尺寸大于一级凹槽，所述凸起包括一级凸起和二级凸起，所述一级凸起和二级凸起分别与一级凹槽和二级凹槽形状配合。

本发明的有益效果为：

通过加装一层软毡，由于化料的时候，多晶炉隔热笼处于零位状态，通过隔热笼与软毡配合，使热场完全达到封闭的状态，热量被控制住不再向外流失，从而提高底部温度，使硅液体能够更好的浸润到坩埚底部的石英砂表层中去。

本发明结构设计合理，拆装更换方便，软毡结构比例适宜，有利于将坩埚底部温度提高8-15℃，化料时间可以缩短3-4h，硅液体与坩埚底部的石英砂形成良好的浸润效果，晶花大小由10毫米控制到3-5毫米，位错比例由60%下降至45%，转换效率提高0.03%。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

图2为本发明A部放大图。

图3为本发明隔热笼与软毡装配示意图。

（图中，多晶炉1、下保温板2、定向凝固块3，隔热笼4，凹槽5，安装孔6，销孔7，螺钉8，软毡9，凹口10，一级凹口11，二级凹口12，竖直边13，圆弧边14，销钉15，护套16,凸起17，一级凸起18，二级凸起19）。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。

一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，包括多晶炉、下保温板、若干定向凝固块和隔热笼，其中，所述多晶炉底部设有凹槽，所述下保温板置于凹槽内，所述下保温板上设有若干安装孔和销孔，若干定向凝固块分布于下保温板四周，所述定向凝固块上设有若干螺钉，若干螺钉均匀间隔设置，通过螺钉穿过定向凝固块和下保温板实现定向凝固块和下保温板相连；

所述定向凝固块上设有软毡，所述软毡外侧设有若干凹口，所述凹口与螺钉位置对应，相邻凹口之间的间距为d1为265mm，所述软毡长度为d2为1010mm，软毡宽度为d3为150mm，厚度h为5mm，一侧凹口至软毡边缘的距离d4为182.6mm，所述凹口包括一级凹口和二级凹口，所述一级凹口内壁包括竖直边和圆弧边，所述竖直边位于圆弧边两侧，且外切于圆弧边，所述二级凹口位于一级凹槽顶部，且形状与一级凹槽一致，尺寸大于一级凹槽；

所述软毡上设有若干销钉，通过销钉穿过软毡和定向凝固块实现软毡和定向凝固块相连，所述销钉外设有护套；

所述隔热笼底部至于定向凝固块上，所述隔热笼底部内壁与软毡外壁配合，且设有若干凸起，所述凸起包括一级凸起和二级凸起，所述一级凸起和二级凸起分别与一级凹槽和二级凹槽形状配合。

通过加装一层软毡，由于化料的时候，多晶炉隔热笼处于零位状态，通过隔热笼与软毡配合，使热场完全达到封闭的状态，热量被控制住不再向外流失，从而提高底部温度，使硅液体能够更好的浸润到坩埚底部的石英砂表层中去。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。