技术总结
本实用新型公开了一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置，包括釜体，釜体内设有坩埚，坩埚中装设有生长溶液，生长溶液的表面处通过漂浮体固定有籽晶，漂浮体通过拉绳限制在中心区域，坩埚的下端设有转盘，转盘通过转轴连接有位于釜体外的转动电机。本实用新型中籽晶通过漂浮体漂浮于生长溶液，转动电机通过转轴驱动转盘旋转，坩埚也随之旋转，通过这种方式加快N在氮气氛围与生长溶液界面处溶解，改善生长溶液中N浓度分布均衡性，利于结晶，同时漂浮体在拉绳限制作用下始终处于生长溶液表面处的中心区域，进一步保障结晶效果。
技术研发人员：张新峰
受保护的技术使用者：张新峰
文档号码：201620579824
技术研发日：2016.06.15
技术公布日：2016.11.30