技术总结
本发明公开了一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法,该方法通过对金属基底先进行高温退火处理,再进行降温退火处理,然后通过化学气相沉积法,在金属基底表面获得石墨烯薄膜。本发明方法提高了金属基底的催化活性,从而降低了石墨烯的生长温度,因此降低了工业生产石墨烯薄膜的能耗及成本,相比传统的化学气相沉积法合成石墨烯薄膜,本发明方法工艺简单,碳源来源广泛,制备的石墨烯薄膜质量高、层数均一且可控。
技术研发人员:胡宝山;赵文斌
受保护的技术使用者:重庆大学
技术研发日:2017.01.11
技术公布日:2018.07.10