一种焰熔法数控晶体生长炉的制作方法

文档序号:14003760阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明属于新材料领域,为一种焰熔法数控晶体生长炉,包括:晶体生长系统,包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内,用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆,通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构;原料供应系统,包括锥形原料仓,在所述原料仓内设置筛网,所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构;燃料供应系统,通过管线连接至生长室;数字控制系统,向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号,并用于设置控制参数。本发明能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体,如钛酸锶、金红石等单晶体。

技术研发人员:毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东
受保护的技术使用者:沈阳工程学院
技术研发日:2017.11.28
技术公布日:2018.03.23
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