专利名称：感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及激光晶体结晶工艺学领域。
背景技术：
目前感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置， 一是在侧保温系统上，几
乎都采用在铱坩埚周围使用Zr02砂，这种结构铱坩埚挥发严重、并且铱坩埚外表 面污染也很严重，降低了铱坩埚的使用寿命；二是在铱坩埚的上面采用铱环， 无形增加了晶体的生长成本；三是装调很不方便
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装 置，它很好地解决了目前感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置中存在的铱 坩埚挥发严重、表面污染严重，铱坩埚使用寿命短，成本高，装调不方便等弊 病。
本实用新型的技术方案是 一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置， 包括底部的陶瓷托盘和垫板，陶瓷托盘上设有陶瓷保温筒，陶瓷保温筒外侧设 有感应线圈，陶瓷保温筒内侧设有Zr02保温砖，垫板上面设有铱坩埚，且铱坩 埚位于Zr02保温砖的内侧，铱坩埚内装有熔体，陶瓷保温筒和Zr02保温砖上端 设有带有观察口的上保温筒和陶瓷观察挡板，且陶瓷观察挡板位于上保温筒观 察口的外侧，铱坩埚上方设有籽晶杆，籽晶杆下端装有籽晶，籽晶下端位于熔 体的上方，且籽晶杆、籽晶均位于上保温筒的内侧。
本实用新型在使用时，下降籽晶与铱坩埚内的熔体接触，通过向上提拉、 旋转籽晶，调整加热功率，就可不断生长出晶体。
本实用新型的有益效果是结构简单、温场稳定、装调方便、铱坩埚挥发 轻、铱坩埚表面不受污染、使用寿命长等优点，并且相对投入小、功率低、生 长成本低。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。
附图是本实用新型的结构示意图；附图标记l是籽晶杆，2是籽晶，3是晶体，4是熔体，5是上保温筒，6是 陶瓷观察挡板、7是铱坩埚，8是感应线圈，9是Zr(U呆温砖，IO是陶瓷保温筒， ll是垫板，12是陶瓷托盘，13为观察口。
具体实施方式
如附图所示， 一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置，包括底部的 A1A陶瓷托盘12和Zr02垫板11， Ah03陶瓷保温筒10置于A1A陶瓷托盘12上， A1A陶瓷保温筒10的外侧为感应线圈8，八1203陶瓷保温筒10的内侧设有Zr02 保温砖9，装有熔体4的铱坩埚7置于Zr02垫板11的上面，且铱坩埚7位于Zr02 保温砖9的内侦lj， Al203陶瓷保温筒10和Zr02保温砖9上端设有带有观察口 13 的Zr02上保温筒5和Ah03陶瓷观察挡板6,八1203陶瓷观察挡板6位于Zr02上保 温筒5观察口 13的外侧，铱坩埚7上方有铱籽晶杆1，铱籽晶杆1下端装有籽 晶2，使用时，通过向上提拉、旋转籽晶2，调整加热功率，就可不断生长出晶 体3，籽晶杆1、籽晶2、晶体3位于Zr02上保温筒5的内侧。陶瓷保温筒10 是可采用刚玉莫莱石制成。
需要说明的是虽然上述实施例已经详细描述了本实用新型的结构，但本 实用新型并不限于上述实施例，凡是本领域技术人员从上述实施例中不经过创 造性劳动就可以想到的替换结构，均属于本实用新型的保护范围。
权利要求1、一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置，其特征在于包括底部的陶瓷托盘(12)和垫板(11)，陶瓷托盘(12)上设有陶瓷保温筒(10)，陶瓷保温筒(10)外侧设有感应线圈(8)，陶瓷保温筒(10)内侧设有ZrO2保温砖(9)，垫板(11)上面设有铱坩埚(7)，且铱坩埚(7)位于ZrO2保温砖(9)的内侧，铱坩埚(7)内装有熔体(4)，陶瓷保温筒(10)和ZrO2保温砖(9)上端设有带有观察口(13)的上保温筒(5)和陶瓷观察挡板(6)，且陶瓷观察挡板(6)位于上保温筒观察口(13)的外侧，铱坩埚(7)上方设有籽晶杆(1)，籽晶杆(1)下端装有籽晶(2)，籽晶(2)下端位于熔体(4)的上方，且籽晶杆(1)、籽晶(2)均位于上保温筒(5)的内侧。
专利摘要本实用新型公开了一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置，属于激光晶体结晶工艺学领域；包括底部的陶瓷托盘和垫板，陶瓷托盘上设有陶瓷保温筒，陶瓷保温筒外侧设有感应线圈，陶瓷保温筒内侧设有ZrO<sub>2</sub>保温砖，垫板上面设有铱坩埚，且铱坩埚位于ZrO<sub>2</sub>保温砖的内侧，铱坩埚内装有熔体，陶瓷保温筒和ZrO<sub>2</sub>保温砖上端设有带有观察口的上保温筒和陶瓷观察挡板，且陶瓷观察挡板位于上保温筒观察口的外侧，铱坩埚上方设有籽晶杆，籽晶杆下端装有籽晶，籽晶下端位于熔体的上方，且籽晶杆、籽晶均位于上保温筒的内侧；本实用新型具有结构简单、温场稳定、装调方便、铱坩埚挥发轻、铱坩埚表面不受污染、使用寿命长等优点，并且相对投入小、功率低、生长成本低。
文档编号C30B15/14GK201241194SQ20082006360
公开日2009年5月20日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者茂 叶, 周世斌, 王国强, 石全洲, 邓丽华 申请人:成都东骏激光有限责任公司