一种多晶硅铸锭用提纯炉的制作方法

文档序号:13334974阅读:499来源:国知局
一种多晶硅铸锭用提纯炉的制作方法

本实用新型涉及多晶硅领域,尤其涉及一种多晶硅铸锭用提纯炉。



背景技术:

冶金法多晶硅是采用物理法对冶金级的硅进行造渣、精炼、酸洗(湿法冶金)、凝固等方式,将杂质去除后得到的高纯多晶硅,是光伏转换的基础材料,具有广泛的应用前景。但是,在多晶硅生产和提纯的过程中,通常需要先采用真空感应炉进行熔炼去杂,再进行多次凝固去杂,过程比较繁琐,且提纯得到的多晶硅不符合晶硅太阳能对多晶硅纯度的要求。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型提供了一种多晶硅铸锭用提纯炉,能够提高多晶硅纯度的要求。

本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种多晶硅铸锭用提纯炉,包括:

导热筒体;

所述导热筒体外绕有螺旋盘管式加热电极;所述螺旋盘管式加热电极外套有炉体;所述炉体与所述螺旋盘管式加热电极之间填充有保温材料;

所述导热筒体内设置有坩埚;

所述炉体外壁上设置有抽真空装置。

离心装置设于所述炉体下方,并与所述坩埚通过所述离心装置的主轴固定连接。

优选地,所述坩埚包括坩埚体,所述坩埚体的内部设置有容纳槽;所述容纳槽的下方、所述坩埚体的底部设置有冷却腔,所述冷却腔内设置有冷却流道。

优选地,所述冷却流道为费马螺线流道。

优选地,所述坩埚的数量与所述离心装置的数量相同为2~100个。

优选地,所述保温材料为耐火保温纤维。

优选地,所述螺旋盘管式加热电极为石墨电极。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型提供了一种多晶硅铸锭用提纯炉,导热筒体及其外围的螺旋盘管式加热电极能够提高加热效果,使得炉体内温度均匀,节省导热筒体空间,提高炉体空间利用率消除了盲区,避免了原料的浪费,同时降低了能耗;通过采用离心装置对多晶硅进行提纯,提高了晶硅太阳能对多晶硅纯度的要求。实验结果表明,采用本发明的提纯炉得到的多晶硅中磷在5ppm以下,硼在0.3ppm以下,符合晶硅太阳能对多晶硅纯度的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型多晶硅铸锭用提纯炉的结构示意图;

图2为图1中坩埚的结构示意图;

图3为图1中冷却流道的结构示意图。

图中:

1、炉体;2、坩埚;3、导热筒体;4、螺旋盘管式加热电极;5、保温材料;6、离心装置;7、抽真空装置;8、坩埚体;9、容纳槽;10、冷却腔;11、冷却流道。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示,本实用新型提供的一种多晶硅铸锭用提纯炉,包括:

导热筒体3;

导热筒体3外绕有螺旋盘管式加热电极4;螺旋盘管式加热电极4外套有炉体1;炉体1与螺旋盘管式加热电极4之间填充有保温材料5;

导热筒体3内设置有坩埚2;

炉体1外壁上设置有抽真空装置7。

离心装置6设于炉体1下方,并与坩埚2通过离心装置6的主轴固定连接。

上述技术方案中,导热筒体3及其外围的螺旋盘管式加热电极4能够提高加热效果,使得炉体1内温度均匀,节省导热筒体3空间,提高炉体1空间利用率消除了盲区,避免了原料的浪费,同时降低了能耗;通过采用离心装置6对多晶硅进行提纯,提高了晶硅太阳能对多晶硅纯度的要求。实验结果表明,采用本发明的提纯炉得到的多晶硅中磷在5ppm以下,硼在0.3ppm以下,符合晶硅太阳能对多晶硅纯度的要求。

在本实施方式中,为了使提纯炉具有定性提纯的功能,坩埚2包括坩埚体8,坩埚体8的内部设置有容纳槽9;容纳槽9的下方、坩埚体8的底部设置有冷却腔10,冷却腔10内设置有冷却流道11,具体参见附图2;冷却管道内的冷却介质冷却容纳槽9内的液体硅,从而提高冷却效率。

在本实施方式中,参见附图3,冷却流道11为费马螺线流道,能够提高容纳槽9内物质的冷却均匀均匀性,进而优化多晶硅的品质。

在本实施方式中,离心装置6通过带动主轴旋转,实现对多晶硅的提纯,可设置2~100个坩埚2和离心装置6,可实现多组多晶硅同时提纯,保证高纯度多晶硅的批量化生产,提高了高纯度多晶硅的生产效率。

保温材料5用来减少炉内热量流失,从而保证提纯炉的保温性能。在本实施方式中,保温材料5为耐火保温纤维,该材料能够保证提纯炉的保温性能。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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