低阻NTC热敏电阻及其制备方法与流程

文档序号:16748346发布日期:2019-01-28 13:58阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种低阻NTC热敏电阻包括如下质量份的各组分:48~52份的Mn3O4、18份~24份的Ni2O3、18份~24份的CuO、2份~8份的SiO2、1份~2份的Al2O3。本发明的低阻NTC热敏电阻的各组分通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后,得到低阻NTC热敏电阻,根据实验测试结果,低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105(Ω·mm),低阻NTC热敏电阻的B值为2500K~2950K,从而具有电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的特点。

技术研发人员:张少钰
受保护的技术使用者:惠州嘉科实业有限公司
技术研发日:2018.10.29
技术公布日:2019.01.25
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