技术特征：
技术总结
本发明涉及一种降低CZ法制备单晶的杂质含量的方法，在一个坩埚中同时生长多于一颗单晶，一般可同时生长2‑4颗单晶，各个单晶到坩埚轴心距离相同，均匀分布在坩埚同心圆轨道上，坩埚旋转方向与各个单晶自转方向相反，使得多个单晶能够均匀稳定的成晶，并保持一致的均一质地。本发明的有益效果是：拉制单晶时成晶界面的氧化物挥发的更加充分，单晶体内杂质含量会更低，产品品质更好；每个坩埚同时能生长2‑4颗单晶，产能更高，成本更低。
技术研发人员：高鹏;郝勇;赵存凤;武皓洋;郭志荣;李娜
受保护的技术使用者：内蒙古中环光伏材料有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.04.05