本实用新型涉及一种密封装置，具体涉及一种高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置。
背景技术：
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将晶体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。其中生产出的钽酸锂晶体是一种重要的具有多功能压电、铁电和电光、声光、非线性、光折变及激光活性等特点的晶体材料，是一种光学性能多、综合指标好的人工晶体。伴随着激光技术的迅猛发展，铌酸锂晶体在电光调制器、二次谐波发生器、Q开关、声表面滤波器及集成光学等方面得到了广泛的应用。现有的单晶炉是直接采用密封螺母进行密封，放气时直接将螺母旋下进行放气，这种放气装置容易发生惰性气体的泄漏，影响惰性气体的质量。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足而提供一种高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置，它包括：
阀座组件，所述阀座组件包括阀座本体、开设于所述阀座本体内的内孔道以及一体设置于所述阀座本体端部的容置环体，所述容置环体具有与所述内孔道相连通的容置腔，所述阀座本体外壁上开设有多个限位孔；
阀盖组件，所述阀盖组件包括设置于所述容置环体一侧的阀板、设置于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接环体、安装在所述卡接环体上且与所述限位孔相配合的多个螺栓、设置于所述阀板表面上的支撑杆、可拆卸地安装在所述支撑杆自由端且与所述内孔道相配合的密封头、开设于所述阀板表面上且与所述容置环体相配合的卡接槽以及设置于所述卡接槽内的密封圈。
优化地，所述支撑杆的自由端设置有与所述密封头相配合的卡接凸起。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置，通过采用特定结构的阀座组件和阀盖组件进行配合，这样能够利用容置环体和卡接槽、密封头和内孔道以及密封圈实现三道密封，从而确保了铌酸锂单晶提升炉密封装置的高稳定性。
附图说明
图1为本实用新型高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本实用新型作以下详细描述：
如图1所示的高稳定性铌酸锂单晶提升炉密封装置，主要包括阀座组件1 和阀盖组件2等。
其中，阀座组件1包括阀座本体11、开设在阀座本体11内的内孔道12 以及一体设置在阀座本体11端部的容置环体13，容置环体13具有与内孔道12 相连通的容置腔14，阀座本体11外壁上开设有多个限位孔15。阀盖组件2包括设置在容置环体13一侧的阀板21、设置在阀板21表面上且与容置环体13相配合的卡接环体25、安装在卡接环体25上且与限位孔15相配合的多个螺栓27、设置在阀板21表面上的支撑杆22、可拆卸地安装在支撑杆22自由端且与内孔道12相配合的密封头23、开设在阀板21表面上且与容置环体13相配合的卡接槽24以及设置在卡接槽24内的密封圈26；在本实施例中，支撑杆22的自由端设置有与密封头23相配合的卡接凸起221；这样能够利用容置环体13和卡接槽 24、密封头23和内孔道13以及密封圈26(密封圈26也与容置环体13相配合) 实现三道密封，从而确保了铌酸锂单晶提升炉密封装置的高稳定性。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。