1.一种二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料，其特征在于，所述二维三硫化二铟上耦合碲量子点是将云母片平放在三硫化二铟粉末的上方，然后放置在管式炉中间；在氩气气氛下，温升温至900～980℃并保温，自然冷却，在云母片上制得二维三硫化二铟单晶；将带着二维三硫化二铟单晶的云母片放置于匀胶机上，在云母片上旋涂碲量子点制得。
2.根据权利要求1所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料，其特征在于，所述三硫化二铟粉末和碲量子点的质量比为1：(10～100)。
3.根据权利要求1所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料，其特征在于，所述保温的时间为10～20min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
s1.将三硫化二铟粉末放置在干净的石英舟上，将清洗的云母片平放在石英舟的上方，然后将石英舟放置在管式炉中间；
s2.完全打开管式炉的进气阀与出气阀，打开氮气瓶，调节气体流量计气流量为500～600sccm，向管式炉的石英管通入氮气，排尽空气杂质；
s3.打开管式炉，从室温升至500～550℃时将气流减少至10～20sccm，继续升温至900～980℃保温后自然冷却，在云母片上制得二维三硫化二铟单晶；
s4.将带着二维三硫化二铟的云母片放置于匀胶机上，在云母片上旋涂碲量子点，制得二维三硫化二铟耦合碲量子点。
5.根据权利要求4所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述清洗的云母片是将云母片依次放进丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声处理，然后再用去离子水冲洗，最后用氮气快速吹干得到。
6.根据权利要求5所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述超声的时间为5～30min。
7.根据权利要求4所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤s2中所述通入氮气的时间为30～60min。
8.根据权利要求4所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤s3中所述保温的时间为10～20min。
9.根据权利要求4所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料的制备方法，其特征在于，步骤s4中所述旋涂的参数为：转速：2000～3500r/s，保持时间：60～120s。
10.权利要求1-3任一项所述的二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料在光探测领域中的应用。