一种铟柱的制备方法、红外焦平面阵列探测器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体技术领域，具体地讲，涉及一种铟柱的制备方法，还涉及该铟柱在红外焦平面阵列探测器中的应用。
【背景技术】
[0002]红外焦平面阵列是现代红外成像系统的核心部件，其制造过程包括红外焦平面器件的制备、读出电路的制备，以及器件和电路的倒装互连。倒装互连一般采用铟柱的倒装互连，要使互连的成功率达到最高，制备高质量的铟柱尤为重要。目前常用的铟柱的制备方法是热蒸发铟柱结合湿法剥离工艺，即通过有机溶剂或去胶液溶解光刻胶掩膜，使得掩膜上的铟薄膜脱落，但是铟是一种非常“粘”的金属，容易出现光刻胶已溶解，但是铟薄膜反粘到芯片上的现象，一旦金属铟反粘到芯片上，就很难剥离下来，将导致很多像元短路的问题，严重影响器件性能；而且湿法剥离工艺，一般要先在溶剂里浸泡一定的时间，浸泡时间一般超过I小时，再将溶剂加热或者超声震动，促使铟膜裂开脱落，这种方式不仅耗费时间长，而且对于器件中的砷化镓等脆性材料容易出现裂开等致命性损伤，影响成品率。
【发明内容】
[0003]为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种铟柱的制备方法，该制备方法可缩短铟柱制备的工艺时间，同时可提高铟柱的成品率。
[0004]为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案:
[0005]一种铟柱的制备方法，包括步骤:A、在芯片上涂布光刻胶层；B、在所述光刻胶层上形成沉积孔；C、依次沉积金属和铟，在所述光刻胶层上依次形成底金属层和铟层，并在所述沉积孔内依次形成底金属层和铟柱；D、去除所述光刻胶层以及位于其上的底金属层和铟层。
[0006]进一步地，所述步骤D中，通过粘性贴片将所述铟层剥离。
[0007]进一步地，所述步骤B的具体方法包括:通过紫外掩膜曝光，在所述光刻胶层上形成沉积孔。
[0008]进一步地，所述沉积孔的截面形状为梯形，其中，所述梯形的侧壁与所述芯片的表面的夹角不大于90°。
[0009]进一步地，所述步骤C的具体方法包括:首先采用电子束蒸发底金属的方法，然后采用热蒸发铟的方法，在所述光刻胶层上依次形成底金属层和铟层，并在所述沉积孔内依次形成底金属层和铟柱。
[0010]进一步地，所述底金属层包括粘附金属、阻挡金属和浸润金属；其中，所述底金属层的沉积顺序依次为粘附金属、阻挡金属和浸润金属，所述粘附金属包括钛、镍中的任意一种，所述阻挡金属包括钼，所述浸润金属包括金。
[0011]进一步地，所述底金属层包括粘附金属和浸润金属；其中，所述底金属层的沉积顺序依次为粘附金属和浸润金属，所述粘附金属包括钛、镍中的任意一种，所述浸润金属包括金。
[0012]进一步地，所述粘性贴片包括胶带。
[0013]进一步地，所述步骤D中，在去除所述铟层后，将芯片浸泡在去胶溶剂中，去除所述光刻胶层及所述光刻胶层上的底金属层，在所述芯片上形成所述铟柱。
[0014]本发明的另一目的还在于提供一种红外焦平面阵列探测器，至少包括红外焦平面器件和读出电路，所述红外焦平面器件和所述读出电路之间的倒装互连采用上述的制备方法所制备的铟柱。
[0015]本发明的铟柱的制备方法，相比于目前常用的热蒸发铟柱结合湿法剥离工艺，避免了湿法剥离工艺带来的负面影响；根据本发明的制备方法通过利用粘性贴片剥离铟层的方法制备铟柱，可缩短铟柱制备的工艺时间，提高工作效率；同时，该制备方法不用超声、力口热等方法进行剥离，也可避免器件中的砷化镓等易碎样品的碎裂，提高铟柱成品率。
【附图说明】
[0016]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0017]图1是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法的流程图；
[0018]图2是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤110的结构示意图；
[0019]图3是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤120的结构示意图；
[0020]图4是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤130的结构示意图；
[0021]图5是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤140的结构示意图；
[0022]图6是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤150的结构示意图；
[0023]图7是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法中步骤160的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。
[0025]图1是根据本发明的实施例的铟柱的制备方法的流程图。
[0026]参照图1，在步骤110中，在芯片10上涂布光刻胶层20。该步骤的具体方法请参照图2。
[0027]其中，光刻胶层20的厚度不可小于预制备的铟柱42的高度。
[0028]在步骤120中，在光刻胶层20上形成沉积孔21。
[0029]步骤120的具体方法包括:通过紫外掩膜曝光，在光刻胶层20上形成沉积孔21，参照图3。其中，为了有利于后续铟层41的剥离，沉积孔21的截面形状为矩形或梯形，且所述梯形的侧壁与芯片10的表面的夹角不大于90° ;也就是说，沉积孔21的截面形状为梯形时，所述梯形的下底临近芯片10的表面，而梯形的上底朝向沉积孔21的开口端。在本实施例中，沉积孔21的截面的形状为矩形，但本发明并不限制于此。
[0030]在步骤130中，依次沉积金属和铟，在光刻胶层20上依次形成底金属层30和铟层41，并在沉积孔21内依次形成底金属层30和铟柱42。参照图4。具体地，首先采用电子束蒸发底金属的方法，然后采用热蒸发铟的方法，在光刻胶层20上及沉积孔21内沉积金属和铟，在光刻胶层20上依次形成底金属层30和铟层41，并在沉积孔21内依次形成底金属层30和铟柱42 ;其中，底金属层30至少包括粘附金属和浸润金属，也可包括阻挡金属，且底金属层30的沉积顺序依次为粘附金属和浸润金属，或粘