1.陶瓷-铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于所述陶瓷层与所述铜层之间的钎料层的平板状陶瓷-铜复合体，
将该陶瓷-铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域p时，
至少一部分存在于区域p1中的铜晶体的平均晶体粒径d1为30μm以上且100μm以下，所述区域p1为所述区域p中的、从所述陶瓷层与所述钎料层的界面起在所述铜层侧的50μm以内的区域。
2.根据权利要求1所述的陶瓷-铜复合体，其中，
将所述区域p整体中的铜晶体的平均晶体粒径设为d2时，
d2/d1的值为0.5以上且2.0以下。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷-铜复合体，其中，
至少一部分存在于所述区域p1中的铜晶体中，不含粒径超过350μm的晶体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，
在所述切断面中，将不同于所述区域p的、长边方向的长度为1700μm的区域设为区域p'时，
至少一部分存在于区域p1'中的铜晶体的平均晶体粒径d1'为30μm以上且100μm以下，所述区域p1'为所述区域p'中的、从所述陶瓷层与所述钎料层的界面起在所述铜层侧为50μm以内的区域。
5.根据权利要求4所述的陶瓷-铜复合体，其中，
至少一部分存在于所述区域p1'中的铜晶体中，不含粒径超过350μm的晶体。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，
所述铜层由压延铜板构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，
所述钎料层包含ag、cu及ti、和sn及/或in。
8.权利要求1至7中任一项所述的陶瓷-铜复合体的制造方法，其包括下述接合工序：在真空下或非活性气体气氛下，于770℃以上且830℃以下的温度加热10分钟以上且60分钟以下，由此用钎料将陶瓷板和铜板接合，
所述钎料包含85.0质量份以上且95.0质量份以下的ag、5.0质量份以上且13.0质量份以下的cu、1.5质量份以上且5.0质量份以下的ti、合计量为0.4质量份以上且3.5质量份以下的sn及in。
9.陶瓷电路基板，其去除了权利要求1至7中任一项所述的陶瓷-铜复合体的所述铜层的至少一部分而形成了电路。
10.功率模块，其搭载有权利要求9的陶瓷电路基板。