CoSiNBC陶瓷材料的制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种陶瓷材料的制备方法。
【背景技术】
[0002]硅基陶瓷由于其具有较高的热稳定性、抗氧化性以及抗蠕变等性能被广泛应用在国防、化学、航空航天及医学等领域。前驱体聚合物转化法制备的高技术硅基陶瓷(PDCs)，已深入到分子水平从探讨其结构的角度有利于人们对rocs的高化学稳定性，高温稳定性或半导体特性等各种优越和独特的性能研宄，同时具有极强的可加工性，例如通过超高压热压烧结、放电等离子烧结或液相烧结转化成陶瓷纤维、高空隙率的器件、微机电系统或者锂电池的阳极等。近年来，已取得一些重要进展，如发现各种与MOPDCs相关的功能特性。含有过渡金属(如铁、镍、钯、Pt、铜、和金)的rocs具有独特的光学、电学，磁学和催化性能等优异的性能，因此在工程领域的具有特别的优势。含有过渡金属的硅基陶瓷的一大优点是可以在较低的温度下制备和加工，故提高了材料的组分、微观结构及最终形状的可控性。目前已有的MOPDCs合成方法中包括将纳米金属氧化物与液相前驱体混合烧结的方法、先合成金属聚合物在裂解的方法及通过金属配合物对前驱体进行改性引入金属离子的方法这三种途径。现有的合成路线制备的MOPDCs陶瓷的陶瓷化产率较低，工艺复杂，有些具有局限性，不利于陶瓷的可控性、功能性及工业化生产，且对CoOPDCs的报道尚少见。因此，本专利着眼于CoOPDCs的合成方法，为CoOPDCs的合成、性能研宄及工业化奠定坚实的理论依据。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决现有方法制备的CoOPDCs材料工艺复杂、合成条件有局限性的技术问题，提供了一种CoOSiNBC陶瓷材料的制备方法。
[0004]CoiSiNBC陶瓷材料的制备方法按照以下步骤进行:
[0005]一、将硅氮源或硅源与氮源的混合物、硼源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应16h，合成聚硅硼氮烷，其中硅氮源与硼源的摩尔比为(I?3):1，硅氮源与溶剂的摩尔比为1: (2?5)，硅氮源与缚酸剂的摩尔比为1:3 ;
[0006]二、向钴盐的水溶液里添加胺盐，通空气3小时使其氧化，过滤后在水浴锅上蒸发浓缩至溶液有晶膜出现，加入浓盐酸和乙醇的混合液没过晶膜，浓盐酸和乙醇的混合液中浓盐酸与乙醇的物质的量比为1:2，进行冷却，即可得到钴金属配合物晶体；
[0007]三、将聚硅硼氮烷与钴金属配合物晶体按照(15?27): 3的质量比球磨，氧化铝磨球与前驱体聚合物按照质量比1: (8?20)的球料比，球磨12个小时，使其混合充分，得陶瓷前驱体；
[0008]四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，在温度为800?1600°C、惰性气氛下保温0.5?2小时，然后随炉冷却至室温，即得到CoOSiNBC陶瓷材料。
[0009]步骤一中所述的硅氮源为甲基乙烯硅氮烷基甲基氢硅氮烷共聚物、甲基乙烯基二氯硅烷中的一种或两种按任意比组成的混合物。
[0010]步骤一中所述硅源为甲基乙烯基氯硅烷，所述氮源为乙二胺，所述或硅源与氮源的混合物中硅源与氮源的物质的量比为1:2。
[0011]步骤一中所述的硼源为硼烷四氢呋喃络合物，所述溶剂为甲苯，所述的惰性气氛为氩气气氛。
[0012]步骤一中所述的缚酸剂为三乙胺。
[0013]步骤二中所述的胺盐为乙二胺，所述的钴盐为六水氯化钴。
[0014]本发明以聚硅氮烷及有机硼为原料，合成出了 SiCNB前驱体聚合物，再进一步将该聚合物与有机钴金属配合物进行球磨，使其粒径降低，混合均匀，并发生反应，然后对该前驱体进行裂解处理即得到CoOSiNBC陶瓷材料，反应条件温和，操作简单，产率较高，污染少。
[0015]本发明以聚硼硅氮烷和有机钴金属配合物为CoOSiNBC陶瓷前驱体为原料，通过高能球磨法使原料发生反应，探索了以有机钴金属配合物为金属原料与硅基陶瓷前驱体聚合物反应的可行性，并简化了操作步骤，降低工艺的复杂性，提高了材料组分的可控性，同时也提高了产物的产率，因而提高了材料体系的可工业化性。
[0016]本发明的CoOSiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200?800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。本发明应用于硅基功能陶瓷材料领域。
【附图说明】
[0017]图1是实验一制备的陶瓷前驱体光学图片；
[0018]图2是实验一制备的CoOSiNBC陶瓷材料的光学图片；
[0019]图3是实验一步骤四中经过1000°C、1300°C、1600°C热处理后所得CoOSiNBC陶瓷材料的X-射线粉末衍射图谱，图中?表示CoSi，?表示SiCN，☆表示CoSi2, Λ表示BN ；
[0020]图4是实验一制备的CoOSiNBC陶瓷材料的紫外-可见光光谱图；
[0021]图5是实验一制备的CoOSiNBC陶瓷材料的光致发光光谱图。
【具体实施方式】
[0022]本发明技术方案不局限于以下所列举【具体实施方式】，还包括各【具体实施方式】间的任意组合。
[0023]【具体实施方式】一:本实施方式CoOSiNBC陶瓷材料的制备方法按照以下步骤进行:
[0024]一、将硅氮源或硅源与氮源的混合物、硼源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应16h，合成聚硅硼氮烷，其中硅氮源与硼源的摩尔比为(I?3):1，硅氮源与溶剂的摩尔比为1: (2?5)，硅氮源与缚酸剂的摩尔比为1:3 ;
[0025]二、向钴盐的水溶液里添加胺盐，通空气3小时使其氧化，过滤后在水浴锅上蒸发浓缩至溶液有晶膜出现，加入浓盐酸和乙醇的混合液没过晶膜，浓盐酸和乙醇的混合液中浓盐酸与乙醇的物质的量比为1:2，进行冷却，即可得到钴金属配合物晶体；
[0026]三、将聚硅硼氮烷与钴金属配合物晶体按照(15?27): 3的质量比球磨，氧化铝磨球与前驱体聚合物按照质量比1: (8?20)的球料比，球磨12个小时，使其混合充分，得陶瓷前驱体；
[0027]四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，在温度为800?1600°C、惰性气氛下保温0.5?2小时，然后随炉冷却至室温，即得到CoOSiNBC陶瓷材料。
[0028]本实施方式制备的CoOSiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200?800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。
[0029]【具体实施方式】二:本实施方式与【具体实施方式】一不同的是步骤一中所述的硅氮源为甲基乙烯硅氮烷基甲基氢硅氮烷共聚物、甲基乙烯基二氯硅烷中的一种或两种按任意比组成的混合物。其它与【具体实施方式】一相同。
[0030]【具体实施方式】三:本实施方式与【具体实施方式】一或二之一不同的是步骤一中所述硅源为甲基乙烯基氯硅烷，所述氮源为乙二胺，所述或硅源与氮源的混合物中硅源与氮源的物质的量比为1:2。其它与【具体实施方式】一或二之一相同。
[0031]【具体实施方式】四:本实施方式与【具体实施方式】一至三之一不同的是步骤一中所述的硼源