50nm，在镀制完第一五氧化二铌膜层后进入硅靶靶位，优选Ar气量在200sccm，O2气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在3 X 10 3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射法在第一五氧化二铌膜层031上镀制第一二氧化硅膜层032。第一二氧化硅膜层032对应于550nm的折射率为1.40?1.50，厚度为30?lOOnm。玻璃基片01继续经过加热段，在温度达到350°C左右进入AZO靶位，AZO靶为2%以上掺杂，优选Ar气量在300sccm，优选溅射气压在5 X 10 3，为高温高压溅射工艺，采用直流磁控溅射在第一二氧化硅膜层032上镀制AZO膜层04。AZO膜层04的厚度为50?300nm，对应550nm的折射率为1.80?1.95，电阻率为5 X 10 4Q/cm0从而完成消影层03和AZO膜层04的镀制。
[0029]进一步地，使已镀好消影层03和AZO膜层04的玻璃依次进入铌靶靶位和硅靶靶位，在玻璃空气面镀制增透膜。首先进入五氧化二银革E位，优选Ar气量在200sccm,优选O2气量在lOOsccm，优选溅射气压在3X10 3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片01的空气面上镀制第二五氧化二铌膜层022。在镀制完第二五氧化二铌膜层022后进入硅靶靶位，优选Ar气量在200sccm，O2气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在3 X 10 3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在第二五氧化二铌膜层022上镀制第二二氧化硅膜层021。得到增透膜。从而完成了增透型消影AZO导电玻璃的制作。
[0030]通过上述方法制作的增透型消影AZO导电玻璃同时具有消影和增加透光率的效果，使该产品的性能、外观达到在电子显示领域应用的要求。并且将增透层02和消影层03分设于玻璃基片01的两侧，使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。该方法操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。
[0031]在其他实施例中，消影层03可以厚度为1.0mm电子级钠钙硅玻璃为基片，运用磁控溅射镀膜机，采用中频交流磁控溅射镀制折射率匹配层(頂层)，Ar气量在180SCCm，02气量在60SCCm，保证溅射气压在2.5 X 10 3，所用铌靶为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片Ol上镀制第一五氧化二铌膜层031，此工艺镀出的膜厚大概在12nm。随后在第一五氧化二铌膜层031上镀制38nm的第一二氧化硅膜层032，优选Ar气量在150?200sccm，O2气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在2.5 X 10 3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射法。镀好的折射率匹配层(IM层)的玻璃基片01继续经过加热段，在温度达到350°C左右进入AZO靶位，AZO靶为2%掺杂，优选Ar气量在250sccm，优选溅射气压在6.5 X 10 3，采用直流磁控溅射在第一二氧化硅膜层032上镀制120nmAZ0膜层04。
[0032]本发明提供的增透型消影AZO导电玻璃适用于含有触摸屏的装置，本发明进一步提供一种触控装置，其至少包括一基板，该基板即可以采用上述的增透型消影AZO导电玻璃，其中的AZO膜层04蚀刻成触控电极。采用该AZO导电玻璃的触控装置的画面清晰细腻，无刻蚀纹干扰，且亮度高，进一步提升了用户体验，适合广泛采用。
[0033]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、层叠设置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2%，所述增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87%。2.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述消影层包括自所述玻璃基片起依次层叠设置的第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，所述第一五氧化二银膜层对应于550nm的折射率为2.20?2.40，厚度为5?50nm，所述第一二氧化娃膜层对应于550nm的折射率为1.40?1.50，厚度为30?lOOnm。3.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述增透层包括自所述玻璃基片起依次设置的第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，所述第二二氧化娃膜层对应于550nm的折射率为1.40?1.50，厚度为5?50nm，所述第二五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率为2.20?2.40，厚度为40?lOOnm。4.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述AZO膜层的厚度为50?300nm，对应550nm的折射率为1.80?1.95，电阻率为5X10 4Q/cm05.一种触控装置，其特征在于，至少包括一基板，所述基板采用权利要求1?4任一项所述的增透型消影AZO导电玻璃，所述增透型消影AZO导电玻璃的AZO膜层蚀刻成触控电极。6.一种增透型消影AZO导电玻璃的制造方法，其特征在于，包括下述步骤: 选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片； 在所述玻璃基片的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，得到消影层； 在所述消影层表面镀制AZO膜层； 在所述玻璃基片的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，得到增透层，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基片采用厚度为0.5?2.0mm的钠钙硅玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃。8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一五氧化二银膜层对应于550nm的折射率为2.20?2.40，厚度为5?50nm，所述第一二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40?1.50，厚度为30?10nm09.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二五氧化二银膜层对应于550nm的折射率为2.20?2.40，厚度为40?lOOnm，所述第二二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40?1.50，厚度为5?50nm。10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述AZO膜层的厚度为50?300nm，对应550nm的折射率为1.80?1.95，电阻率为5X10 4Q/cm0
【专利摘要】本发明适用于导电玻璃技术领域，提供了一种增透型消影AZO导电玻璃，包括玻璃基片、层叠设置于玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于玻璃基片另一表面的消影层，消影层的表面设有AZO膜层；消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。本发明在玻璃基片的两侧分别设置了消影层和增透层，有效消除了AZO膜层的刻蚀纹，提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，将消影层与增透层分设玻璃基片两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。
【IPC分类】C03C17/23, C03C17/34
【公开号】CN105084773
【申请号】CN201510243017
【发明人】董清世, 李晓东, 邵世强, 王润, 陈曦
【申请人】信义光伏产业(安徽)控股有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月13日