一种单层釉面窑变砖及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种建筑陶瓷釉面砖生产，具体涉及一种单层釉面窑变砖及其制备方法。
【背景技术】
[0002]建筑陶瓷内墙釉面砖是由腊石、硅灰石、石英、粘土等组成坯体，素烧后在其坯体表面施一层底釉再施一层面釉，经丝网或滚筒印刷，或数字喷墨打印图案再经辊道窑1100-1120度烧制而成。每片砖图案基本一致，缺乏自然质感。而传统窑变釉是在素坯上反复施上二次或多次釉水在间歇式窑炉经1280度高温烧10-12小时后分段冷却而成，釉色及花纹随着产品码窑的位置及窑内的烧成温度和气氛不同而变化，花纹自然生成且各不相同，给人一种律动感，韵律美以及所能触发的丰富联想，古代就有“峡谷飞瀑兔丝缕”来形容窑变釉的神奇美妙。但传统的窑变釉工艺主要用在艺术陶瓷制作上，并且全靠烧制师傅的经验来掌握，不知其原理，人们对窑变釉始终抱着一种神秘感，只知窑内在烧制的过程中不同的施釉手法和烧制方式会得到不同的窑变釉产品，有的甚至是“绝”版，由于传统的窑变釉烧制工艺纷繁复杂，不仅产品合格率一直很低；而且也很难予适应工业机器现代化大规模工业化生产。
[0003]二是传统的窑变釉工艺施釉时分底釉和面釉，即在素坯上要反复施上二次或多次釉水才能完成施釉，现在市面上出现的窑变釉产品，其釉面均包含坯体、底釉或熔块层、面釉等三层或三层以上结构。例如:专利号为ZL201120165220.1，实用新型名称为“窑变釉白云陶”，具体公开了包含白云陶坯体、直接施在白云陶坯体表面的底釉层和施于底釉面上的面釉层三层结构；又如:专利号为ZL200920179036.5，实用新型名称为“一种窑变抛釉砖”，具体公开了包含砖坯、烧结成形于砖坯上面的熔块层及由熔块层与釉料进行窑变反应形成的窑变釉层三层结构。这种三层或三层以上结构的窑变釉产品，不仅施釉工艺复杂，而且常因底釉、面釉两者厚薄不一而产生色差，影响建筑装饰大面积铺贴的整体效果。
[0004]三是传统的窑变釉工艺要在间歇式窑炉经1280度高温烧10-12小时后分段冷却而成制作，烧制温度高、时间长，耗能大。
[0005]四是用传统的窑变釉工艺生产的陶瓷产品，由于磁化好、硬度大，造成施工时切割很困难。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种新型的单层釉面窑变砖产品及其制备方法，以解决上述【背景技术】中所存在的不足。
[0007]本发明技术方案如下:
一种单层釉面窑变砖的制备方法，包括以下步骤:
(I)坯体泥浆的制备:将叶腊石、硅灰石、石灰石、混合泥、按坯体配方称重入球磨机内，并按照重量比，组合物料:球:水为1: 1.5:0.7的比例，加入球和水一起进行球磨12—15小时，球磨细度控制在250目，筛余量0.6—0.8% ；
(2)釉面料的制备:将长石、氧化锌、白云石、高岭土、石英、熔块、氧化物着色剂按釉面配方称重入球磨机内，并按照重量比，组合物料:球:水为1: 1.6:0.5的比例，加入球和水一起进行球磨16—17小时，球磨细度控制在过350目，筛余量0.7-1%，将球磨好的釉面料放入釉浆桶中，经搅拌、过筛、除铁，釉浆比重控制在1.6—1.65kg/L;
(3)坯体成型与素烧:将步骤(I)中的坯体泥浆放入泥浆池中，经搅拌，用栗抽取过筛、除铁、脱水、泥饼烘干、造粒、过筛、陈腐、成型、素烧，坯体用窑素烧，素烧移动速度控制在25-35m/h，烧成温度控制在1010-1030°C ;
(4)坯体施釉:在施釉线上将坯体先经过喷水箱，再经过淋釉箱进行施釉；
(5 )窑变砖烧制:施釉后的坯体经干燥后在窑内烧制，烧制时间控制在9小时，烧成温度控制在1250°C以内，并经过二次变温升降使其发生窑变反应，得到单层釉面窑变砖。
[0008]步骤(I)所述的还体配方为:叶腊石25—45%wt、娃灰石10—25%wt、石灰石5—20%wt、混合泥 10_60%wt ；
步骤(I)所述的还体配方优选为:叶腊石33—37%wt、娃灰石13一 17%wt、石灰石8—12%wt、混合泥30-50%wt。其中所述的混合泥选自余江泥、苏州土、镁质泥、吉安白泥的一种或几种；
进一步的所述的混合泥配方优选为:余江泥8—12%wt、苏州土12—18%wt、镁质泥5—10%wt、吉安白泥 5—10%wt。
[0009]步骤(2)所述的釉面配方为:长石10—30%wt、氧化锌10—30%wt、白云石2—20%wt、高岭土 2—20。/_1:、石英10—30。/_1:、恪块10—40%wt、氧化物着色剂 0_5%wt。
[0010]步骤(2)所述的釉面配方优选为:长石18—22%wt、氧化锌18—22%wt、白云石6—10%wt、高岭土 5—9%wt、石英18—22%wt、恪块21—25%wt、氧化物着色剂I _2%wt。所述的氧化物着色剂选自二氧化猛、氧化铜、三氧化二铁、氧化钴、氧化锂、氧化钡、氧化铅、氧化络、钴兰中的一种或几种。
[0011]步骤(2)所述的球磨机为高铝内衬球磨机。釉浆比重控制在1.6-1.65KG/L。釉浆比重低于1.6 KG/L时，则施釉时既达不到重量和厚度，又容易产生流釉；釉浆比重高于1.65KG/L时，则施釉时难予展开，造成施釉不平，易产生针孔;另外如果釉浆磨得太细，则容易缩釉;如果釉浆磨得太粗，则难以结出晶花。
[0012]步骤(3)所述的坯体成型，其坯体成型水份控制在6—7%之间；所述的用栗抽取为用双缸隔膜栗抽取;所述的用窑素烧为用辊道窑素烧，其素坯要比坯体成熟温度低5—10°C。烧成温度控制在1010-1030°C。如果烧成温度高于1030°C，则影响釉面吸附率，造成坯釉结合不好;如果烧成温度低于1lOtC，一则窑变时收缩大，产品形状变化大，容易使坯体产生破损，造成合格率低;二则因上层与下层收缩不一，造成尺寸不一致，也造成合格率低。
[0013]步骤(4)采用将坯体先经过喷水箱，再经过淋釉箱进行施釉，而不采用外购施釉整套机器自动施釉或人工施釉，是为了保证施釉质量，做到施釉重量和厚度能够成一定比例，致密度不会太高，厚度也有，便于窑变反应时能产生所需求的花纹;如果采用外购施釉整套机器全自动施釉，则由于施釉致密度太好，窑变反应时无法产生花纹;如果采用人工施釉，则效率太低。
[0014]步骤(5)所述的窑内烧制为梭式电窑内烧制;所述的二次变温升降为:常温-升至1240 ± 5 °C-快速降至1080 ± 5 °C_再升至1100 ± 5 °C -保温80 土 5分钟-降至室温;传统的烧成温度控制在1280°C左右高温烧制10-12小时后分段冷却而成制作，烧制温度高、时间长，耗能极大。而本发明的烧成温度控制在1250°C以内，烧制时间控制在9小时以内，降低了烧制温度，缩短了烧制时间，在完全满足工艺要求的同时，还节约了大量能耗。另外第一次降温要求力求快速，即从1240±5°C_快速降至1080±5°C，是为了使窑变砖的强度和硬度既能达到标准要求，又不会太致密太硬化，便于切割施工。
[0015]步骤(5)所述的单层釉面窑变砖其吸水率<0.1%，所述的坯体其厚度为6-8mm，所述的单层釉面其厚度为0.5—0.9mm;严格控制坯体与釉面的厚度是为了便于发生窑变釉化学反应，便于釉面晶花图案的自然生成；所述的单层釉面窑变砖其外形可制成三角形、方形、菱形、五角形、六角形等任意形状。
[0016]本发明的有益效果:一是解决了坯釉结合问题，提高了产品合格率，适应于规模化生产;二是将底釉、面釉二合为一成为单层釉面，既简化施釉工艺，又避免底釉、面釉两者厚薄不一而产生色差，能适应建筑装饰大面积铺贴;三是降低窑变釉烧成温度和减少烧成时间，节能降耗；四是通过坯体配方优化和烧制工艺优化，使得单层釉面窑变砖既产生磁化又不致于太硬化，便于施工切割；五是由于单层釉面窑变砖的釉面花纹为自然生成且各不相同，给人一种律动与自然质感，满足了现代人们崇尚自然的审美要求。
【附图说明】
[0017]图1为单层釉面窑变砖生产工