重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法
【专利摘要】本发明公开了一种重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，属于碳化硅生产技术领域。解决了现有技术成本高、生产周期长、劳动强度大，所得产品在配制重结晶用碳化硅泥浆时固含量较低，不能用于注浆等工艺成型的问题。其包括以下步骤：将混合改性剂和电导率为30?50μs/cm的去离子水加入搅拌桶中混合搅拌20?50分钟；取碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合20?50分钟；取碳化硅研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌55?60小时；将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；将筛除碳化硅研磨介质的物料烘干、破碎后过300?500目筛即得改性重结晶用碳化硅微粉。本发明可用于对重结晶用碳化硅微粉进行表面改性。
【专利说明】
重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，属于碳化硅生产技术领域。
【背景技术】
[0002]碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在许多领域大显身手，并日益受到人们的重视。对于碳化硅陶瓷，制备均匀稳定分散的粉体是成功烧结的关键。但是，由于碳化硅微粉粒径小、表面能高、易引起团聚，形成二次粒子，使超细粉体的优势难以发挥，最终影响成品的优异性能。
[0003]现有的重结晶用碳化硅微粉的改性方法包括湿法和干法，其中湿法改性存在能耗大、颗粒分散性不好，生产周期长、劳动强度大、产品稳定性差等缺点，而且所得产品在配制重结晶用碳化硅泥浆时固含量较低，不能用于注浆等工艺成型。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，工艺简单，生产成本低，所得产品性能稳定。
[0005]所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，包括以下步骤:
[0006](I)将混合改性剂和电导率为30_50ys/cm的去离子水加入搅拌桶中混合搅拌20-50分钟;
[0007](2)取碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合20-50分钟；
[0008](3)取碳化娃研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌55-60小时；
[0009](4)将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；
[0010](5)将筛除碳化硅研磨介质的物料烘干、破碎后过300-500目筛即得改性重结晶用碳化硅微粉。
[0011]步骤(I)所述的混合改性剂是由分散剂MQ-568、分散剂DOLAPIX CE 64和分散剂PRODUKT KV 5088按照2-5:1-3:1-2的质量比混合而成的。
[0012]步骤(I)所述的混合改性剂和去离子水的质量比为0.5-5:80-100。
[0013]步骤(2)所述的碳化硅微粉D50值为1.8-3.4μπι，比表面积为5-7m2/g，碳化硅含量不小于98.5%。
[0014]步骤(2)所述的碳化硅微粉和去离子水的质量比为0.5-1:1-2。
[0015]步骤(3)所述的碳化娃研磨介质粒径为3-5mm，碳化娃含量不小于99%。
[0016]步骤(3)所述的碳化娃研磨介质和去离子水的质量比为0.1-0.5:1。
[0017]步骤(5)所述的烘干温度为60_80°C。
[0018]步骤(5)所述的改性重结晶用碳化硅微粉含水量为0.5-1%。
[0019]与现有技术相比本发明的有益效果是:
[0020]本发明采用多种改性剂复配对碳化硅微粉进行湿法改性，工艺简单易操作，生产周期短，大大降低了生产成本，经过改性的碳化硅微粉，在配制重结晶用碳化硅泥浆时，固含量可达86%以上，适合注浆等工艺成型，烧结后的重结晶碳化硅制品体积密度在2.7g/cm3以上，本发明有效解决了碳化硅微粉配置料浆时的固含量问题，大大提高了碳化硅微粉的附加值。
【具体实施方式】
[0021 ]下面结合具体实施例对本发明做进一步说明。
[0022]实施例1
[0023]所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，包括以下步骤:
[0024](I)将由分散剂MQ-568、分散剂DOLAPIX CE 64和分散剂PRODUKT KV 5088按照2:1:1的质量比混合而成的混合改性剂和电导率为30ys/cm的去离子水以0.5:80的质量比加入搅拌桶中混合搅拌20分钟；
[0025](2)取050值为1.8口111，比表面积为51112/^，碳化硅含量不小于98.5%的碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合20分钟，其中碳化硅微粉和去离子水的质量比为0.5:1 ；
[0026](3)取粒径为3mm，碳化硅含量不小于99%的碳化硅研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌55小时，其中碳化硅研磨介质和去离子水的质量比为0.1:1 ；
[0027](4)将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；
[0028](5)将筛除碳化硅研磨介质的物料在60°C条件下烘干、破碎后过500目筛即得含水量为0.5%的改性重结晶用碳化硅微粉。
[0029]其中，分散剂MQ-568，改性高分子离子型聚合物，购买于武汉美琪林新材料有限公司；
[0030]分散剂DOLAPIXCE 64，羧酸制剂，购买于武汉美琪林新材料有限公司；
[0031]分散剂PRODUKT KV 5088，氨基醇，购买于司马化工(佛山)有限公司。
[0032]实施例2
[0033]所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，包括以下步骤:
[0034](I)将由分散剂MQ-568、分散剂DOLAPIX CE 64和分散剂PRODUKT KV 5088按照5:3: 2的质量比混合而成的混合改性剂和电导率为50ys/cm的去离子水以5:100的质量比加入搅拌桶中混合搅拌20-50分钟；
[0035](2)取D50值为3.4μπι，比表面积为7m2/g，碳化硅含量不小于98.5%的碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合50分钟，其中碳化硅微粉和去离子水的质量比为1:2 ；
[0036](3)取粒径为5mm，碳化硅含量不小于99%的碳化硅研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌60小时，其中碳化硅研磨介质和去离子水的质量比为0.5:1;
[0037](4)将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；
[0038](5)将筛除碳化硅研磨介质的物料在80°C条件下烘干、破碎后过300目筛即得含水量为I %的改性重结晶用碳化硅微粉。
[0039]实施例3
[0040]所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，包括以下步骤:
[0041 ] (I)将由分散剂MQ-568 j^l^ljDOLAPIX CE 64和分散剂PRODUKT KV 5088按照3:2:1的质量比混合而成的混合改性剂和电导率为40ys/cm的去离子水以1: 50的质量比加入搅拌桶中混合搅拌30分钟；
[0042](2)取D50值为2.5μπι，比表面积为6m2/g，碳化硅含量不小于98.5%的碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合30分钟，其中碳化硅微粉和去离子水的质量比为1:1 ；
[0043](3)取粒径为4mm，碳化硅含量不小于99%的碳化硅研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌50小时，其中碳化硅研磨介质和去离子水的质量比为0.3:1;
[0044](4)将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质；
[0045](5)将筛除碳化硅研磨介质的物料在70°C条件下烘干、破碎后过400目筛即得含水量为0.8 %的改性重结晶用碳化硅微粉。
【主权项】
1.一种重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于包括以下步骤: (1)将混合改性剂和电导率为30-50yS/Cm的去离子水加入搅拌桶中混合搅拌20-50分钟； (2)取碳化硅微粉加入搅拌桶，搅拌混合20-50分钟； (3)取碳化娃研磨介质加入搅拌桶，混合搅拌55-60小时； (4)将搅拌好的物料过筛，筛除碳化硅研磨介质； (5)将筛除碳化硅研磨介质的物料烘干、破碎后过300-500目筛即得改性重结晶用碳化硅微粉。2.根据权利要求1所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(I)所述的混合改性剂是由分散剂MQ-568、分散剂DOLAPIX CE 64和分散剂PRODUKT KV 5088按照2-5:1-3:1-2的质量比混合而成的。3.根据权利要求2所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(I)所述的混合改性剂和去离子水的质量比为0.5-5:80-100。4.根据权利要求3所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(2)所述的碳化硅微粉D50值为1.8-3.4μπι，比表面积为5-7m2/g，碳化硅含量不小于98.5%。5.根据权利要求4所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(2)所述的碳化硅微粉和去离子水的质量比为0.5-1:1-2。6.根据权利要求5所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(3)所述的碳化娃研磨介质粒径为3-5_，碳化娃含量不小于99%。7.根据权利要求6所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(3)所述的碳化硅研磨介质和去离子水的质量比为0.1-0.5:1。8.根据权利要求7所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(5)所述的烘干温度为60-80°C。9.根据权利要求8所述的重结晶用碳化硅微粉的表面改性方法，其特征在于:步骤(5)所述的改性重结晶用碳化硅微粉含水量为0.5-1 %。
【文档编号】C04B35/626GK106083054SQ201610392565
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月2日 公开号201610392565.8, CN 106083054 A, CN 106083054A, CN 201610392565, CN-A-106083054, CN106083054 A, CN106083054A, CN201610392565, CN201610392565.8
【发明人】郝文虎, 龚志刚, 周强, 马光明, 韩宇, 张霞, 刘文兵
【申请人】山田研磨材料有限公司