一种新型正硅酸乙酯气体供应装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体硅抛光片生产加工技术领域，主要涉及一种新型正硅酸乙酯气体供应装置。
【背景技术】
[0002]在半导体硅抛光片加工制造过程中，有一道工序是需要在硅抛光片晶圆背面催生长成一层二氧化硅膜。这种二氧化硅膜的催生方法有二种，一种是硅烷氧化催生方法，另一种是大部分生产制造单位都采用的正硅酸乙酯加热氧化分解法，通过加热，将正硅酸乙酯气体输送到背封炉内，以达到使硅抛光片晶圆背面生长一层二氧化硅膜的目的。而目前为生长二氧化硅膜用背封炉设备提供正硅酸乙酯气体的装置是一种专用不锈钢加热槽，盛装正硅酸乙酯的罐是生产厂家提供的专用罐，不具备通用性，因背封炉设备型号不同，而不利于更换，且价格较贵。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术中所存在的问题，本实用新型设计并提出了一种新型正硅酸乙酯气体供应装置。本实用新型利用正硅酸乙酯液体在20度以上即可生成饱和蒸汽压的特性，采用水域在100度以内进行调温的方法，在一定温度内控制正硅酸乙酯的饱和蒸汽压力稳定，通过真空栗产生真空并与饱和蒸汽产生一个压力差使正硅酸乙酯气体在工艺制造过程中稳定，安全可靠的流向背封炉的炉内。本实用新型用来盛装正硅酸乙酯的容器可以根据设备情况自己制做，并可满足任一型号的背封炉在为硅抛光片晶圆背面催生二氧化硅膜的工艺中使用。
[0004]为实现上述发明目的，本实用新型所采取的具体技术方案是:一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，主要由水箱、不锈钢支架、加热棒、桶式容器、水箱盖、液体输入管道，液体输入管道阀门、气体输出管道、气体输出管道阀门、热电偶构成；其中，水箱是一个双层不锈钢箱体，在水箱的下部水箱的内壁上装有一个加热器；在加热器的上方安装了一个不锈钢支架；水箱的上部装有一个可开启的水箱盖；热电偶穿过水箱盖垂直于水箱内壁的一侧；两个盛放正硅酸乙酯液体的桶式容器分别水平放在不锈钢支架上；在两个桶式容器内，穿过水箱盖分别装有正硅酸乙酯液体的液体输入管道和气体输出管道；液体输入管道和气体输出管道上分别装有液体输入管道阀门和气体输出管道阀门；两个桶式容器上的液体输入管道分别与外部正硅酸乙酯液体供给系统连接；气体输出管道分别与背封炉上的炉管相连接。所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，其中水箱壁内之间填有保温材料；所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，其中两个桶式容器上的气体输出管道前端部分分别包裹加热保温层，加热保温层上装有热电偶。
[0005]本实用新型所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，设计结构简单，操做方便，价格便宜。在催生半导体硅晶片的晶圆背面生长一层二氧化硅膜的工艺制造过程中，能稳定、安全可靠的向背封炉设备提供正硅酸乙酯气体。本实用新型中采用的盛装正硅酸乙酯液体的桶式容器可以自行制做，更换简单，不同规格、型号的背封炉设备均可使用。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型的结构示意图。
[0007]图中:1、第一热电偶；2、第二热电偶；3、第一气体输出管道；4、第二气体输出管道；5、加热保温层；6、第三热电偶；7、水箱；8、不锈钢支架；9、第一液体输入管道阀门；10、加热器；11、2号桶式容器；12、1号桶式容器；13、保温层；14、第一液体输入管道；15、第二液体输入管道；16、第一气体输出管道阀门；17、第二液体输入管道阀门；18、第二气体输出管道阀门；19、水箱盖；20、加热保温层。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图给出本实用新型的【具体实施方式】如下:
[0009]如图1所示，本实用新型所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，主要是由水箱7、不锈钢支架8、加热棒10、I号桶式容器12、2号桶式容器11、水箱盖19、第一液体输入管道14、第二液体输入管道15、第一液体输入管道阀门9、第二液体输入管道阀门17、第一气体输出管道阀门16、第二气体输出管道阀门18、第一热电偶1、第二热电偶2、第三热电偶6构成；其中水箱7是一个双层不锈钢箱体，在水箱7下部的内壁一侧装有一个加热器10，在加热器10的上方装有一个不锈钢支架8，水箱7上部设有一个可开启的水箱盖19，双层不锈钢箱体壁之间填有保温层13 ;热电偶6穿过水箱盖19垂直在水箱7内的一侧位置。盛装正硅酸乙酯液体的I号桶式容器12和2号桶式容器11分别水平放在不锈钢支架8上面，不锈钢支架8还可以起到保护加热器10不受重压的作用。I号桶式容器12和2号桶式容器11内穿过水箱盖19分别装有第一液体输入管道14、第二液体输入管道15、第一气体输出管道3和第二气体输出管道4 ;第一液体输入管道14上安装有第一液体输入管道阀门9 ;第二液体输入管道15上安装有第二液体输入管道阀门17 ;第一气体输出管道3上装有第一气体输出管道阀门16 ;第二气体输出管道4上安装有第二气体输出管道阀门18 ;第一液体输入管道14和第二液体输入管道15分别与外部正硅酸乙酯液体供给系统连接；第一气体输出管道3和第二气体输出管道4分别与背封炉设备上的炉管相连接；第一气体输出管道3和第二气体输出管道4的前端部分分别包裹有带加热带的加热保温层20和加热保温层5 ;加热保温层20和加热保温层5上装有第一热电偶和第二热电偶2。
[0010]本实用新型在操作使用中具体程序如下:打开第一液体输入管道阀门9和第二液体输入管道阀门17，使正娃酸乙酯液体通过第一液体输入管道14和第二液体输入管道15进入I号桶式容器12和2号桶式容器11，打开水箱7的水箱盖19加入纯水，加热器10把水箱7中的水加热到使用温度，同时也使I号桶式容器12和2号桶式容器11满足设定的温度并用第三热电偶6进行温度检测，正硅酸乙酯液体在20度以上即可生成饱和蒸汽压，这时打开第一气体输出管道阀门16和第二气体输出管道阀门18，利用真空设备产生真空并与饱和正硅酸乙酯蒸汽产生一个压力差，使正硅酸乙酯气体通过背封炉管道进入背封炉进行工艺使用。第一气体输出管道3和第二气体输出管道4的前端包裹的加热保温层20和加热保温层5，通过第一热电偶I和第二热电偶2使正硅酸乙酯始终处于气体状态。水箱盖19方便添加水或更换罐式容器。
【主权项】
1.一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，其特征是:所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置主要是由水箱(7)、不锈钢支架(8)、加热棒(10)、1号桶式容器(12)、2号桶式容器(11)、水箱盖(19 )、第一液体输入管道(14 )、第二液体输入管道(15)、第一气体输出管道(3)、第二气体输出管道(4)、第一热电偶(1)、第二热电偶(2)、第三热电偶(6)构成；其中，水箱(7)是一个双层不锈钢箱体；水箱(7)下部内壁一侧装有一个加热器(10)，加热器(10)的上方是一个不锈钢支架(8)，水箱(7)上部设有一个可开启的水箱盖(19);热电偶(6)穿过水箱盖(19)垂直在水箱(7)内的一侧位置；I号桶式容器(12)和2号桶式容器(11)分别水平放在不锈钢支架(8)上面；I号桶式容器(12)和2号桶式容器(11)上穿过水箱盖(19)分别装有第一液体输入管道(14)、第一气体输出管道(3)、第二液体输入管道(15)和第二气体输出管道(4);第一液体输入管道(14)和第二液体输入管道(15)分别与外部正硅酸乙脂液体供应系统连接；第一气体输出管道(3)和第二气体输出管道(4)分别与背封炉设备上的炉管相连接；第一液体输入管道(14)和第二液体输入管道(15)、第一气体输出管道(3)和第二气体输出管道(4)上分别装有第一液体输入管道阀门(9)第二液体输入管道阀门(17)、第一气体输出管道阀门(16)和第二气体输出管道阀门(18);第一气体输出管道(3)和第二气体输出管道(4)前端部分分别包裹有加热保温层(20)和加热保温层(5)。2.根据权利要求1所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，其特征是:水箱(7)的双层箱体内壁间填加有保温层(13)。3.根据权利要求1所述的一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，其特征是:第一气体输出管道(3)和第二气体输出管道(4)前端部分包裹的加热保温层(20)和加热保温层(5)上装有第一热电偶(I)和第二热电偶(2)。
【专利摘要】一种新型正硅酸乙酯气体供应装置，适用于在硅抛光片晶圆背面催生长成一层二氧化硅时，向背封炉设备内提供正硅酸乙酯气体。本实用新型利用正硅酸乙酯在20度以上即可生成饱和蒸汽压的特性，通过对放置在水箱（7）内盛装正硅酸乙酯液体的1号桶式容器（12）和2号桶式容器（11）进行水温加热和温度控制，使正硅酸乙酯液体生成饱和蒸汽压并与真空泵产生的真空形成一个压力差，通过第一气体输出管道（3）和第二气体输出管道（4）分别经背封炉管道进入背封炉内以达到催生氧化的目的。本实用新型结构简单，操做方便，桶式容器可以自行制做、更换，不同规格、型号的背封炉设备均可选用本实用新型所述的供应装置。
【IPC分类】C30B33/12
【公开号】CN204874831
【申请号】CN201520601865
【发明人】李建刚, 焦二强, 王晓飞, 李海涛
【申请人】麦斯克电子材料有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月12日