由常规非可裂化的直接法残留物合成有机基卤代硅烷单体的制作方法
【专利摘要】本申请公开了用于由四有机基二卤代二硅烷和在直接法残留物的常规氢氯化反应期间不裂化的其它化合物合成有机基卤代硅烷单体的催化方法。该方法的特征在于使用了如下催化剂：所述催化剂含有(1)一种或多种杂环胺和/或一种或多种杂环卤化铵，和(2)一种或多种15族的季鎓化合物。
【专利说明】由常规非可裂化的直接法残留物合成有机基卤代硅烷单体
【技术领域】
[0001] 本发明涉及采用由烷基卤代硅烷和芳基卤代硅烷的直接合成形成的高沸点副产 物进行的有机基卤代硅烷单体的合成。具体地，本发明公开了由Cl(CH3)2SiSi(CH 3)2Cl和 在直接法残留物的常规氢氯化期间不裂化（cleaved)的其它化合物进行的（CH3)2SiHCl、 0^^(：1 2和（CH3)2SiClJA合成。
[0002] 发明背景
[0003] 烧基齒代娃烧和芳基齒代娃烧是广泛用于工业的有机娃和有机基官能娃烧的有 价值的前体。甲基氯硅烷和苯基氯硅烷是尤其有价值的，且它们是这些种类中最普遍生产 的产品。制备烷基卤代硅烷和芳基卤代硅烷的主要商业方法是通过Rochow-MUller直接 法（也称为直接合成和直接反应），其中使铜活化的硅与相应的有机基卤化物在气-固或 淤浆相反应器中反应。从反应器中连续地除去气体产物和未反应的有机基卤化物以及细颗 粒。从反应器中出来的热的流出物包括铜、金属齒化物、硅、硅化物、碳、气体有机基齒化物、 有机基齒化硅烷、有机基齒化二硅烷、碳硅烷和烃的混合物。通常，首先使该混合物在旋风 器和过滤器中经受气-固分离。然后在沉降器或含尘液储罐中使气体混合物和超细固体凝 结，从沉降器或含尘液储罐中使有机基齒代硅烷、烃和一部分有机基齒代二硅烷和碳硅烷 挥发，并将它们进行分馏以回收有机基卤代硅烷单体。通常将留在蒸馏后残留物中的有机 基卤代二硅烷和碳硅烷供给到二级处理（如氢氯化）中。定期地冲洗（purge)累积在沉降 器中的固体以及较为不挥发的含硅化合物，并将它们送至废物处理或二级处理。
[0004] 在从反应器中冲洗出来的淤浆或蒸馏后残留物中的有机基卤代二硅烷、有机基卤 代聚硅烷和碳硅烷、有关的硅氧烷和烃在有机基卤代硅烷单体之上沸腾。它们共同地称为 直接法残留物（DPR)。术语较高沸点物质（higher boilers)、高沸点残留物和二硅烷馏 分（disilane fraction)也可与DPR互换使用。DPR可以占直接合成产物混合物的1至 10wt%，由于随之而来的可观吨数，所以DPR可以占 Rochow-Miiller法总原料成本的约1% 至8%。在当前的商业实施中，使DPR发生氢氯化反应，在氢氯化反应中，使DPR的一些组分 与HC1在叔胺催化剂如三（正丁基）胺的存在下反应，从而提供有机基卤代硅烷单体。然 而，DPR的一些组分在该过程中是不反应的，且被排出到废物处理中。商业的甲基氯硅烷工 厂每年以可观的成本和原料价值的损失处理上千吨淤浆和氢氯化反应废物。还存在所使用 的废物处理方法的环境影响。
[0005] 已存在多个关于通过裂化（cleavage)、再分配（redistribution)和歧化过程从 DPR回收有机基卤代硅烷单体和其它有价值物质的公开。
[0006] 裂化是用于描述如下过程的术语：通过该过程，使二硅烷、三硅烷、聚硅烷和碳硅 烷反应，从而制得单体硅烷。氢氯化反应和氢解作用是裂化方法的实例。再分配是键合于 硅原子的基团的重排，使得在反应期间产生新的分子。例如，在如下所示的化学方程式中， 通过R^SiX和Ι^?Χ 3的再分配形成#2SiX2类化合物。通过可逆反应将#2SiX 2转化成原始 的反应物，该可逆反应称为歧化反应。
[0007] RJ I . ?Ο I 〇'"V" /1 \ 3?Μλ 十 R IbiAs **# 2lx 2^1^2 \l)
[0008] 示例性地，在得自甲基氯硅烷的直接合成的DPR的二级处理的情况下，文献已公 开了以下：如 US 2,598,435;US 2,681，355;US 2,709，176;US2,842,580;US 3,432,537; US 5, 627, 298 和 EP 861844;以及 H.Matsumoto 等在 Bulletin Chemical Society Japan, vol 51 (1978) 1913 - 1914中所公开的催化氢氯化；如DE 4, 207, 299中所公开的采用固定 叔胺催化剂的催化氢氯化；在EP 1533315和US 5, 292, 912 ;以及K. Shiina等在Chemical Abstracts.，vol53 (1957) 17889b 中所公开的热氢氯化；在 US 2, 787, 627 ;US 3, 639, 105 ; US4, 070, 071 ;US 4,059,608;US 5,292,909;US 5, 326, 896 以及在 Κ·Μ· Lewis，203rd ACS National Meeting，San Francisco, 1992 年 4 月，Abstract INOR 52 ;和 A. Taketa 等， Chemical Abstracts，vol 53(1957) 17888i 中所公开的催化氢解；在 US 4,393,229 ;US 4, 552, 973 ;US 4, 888, 435 以及 J. Urenovitch 等，了.六1^1\〇16111.5〇(3.^〇1 83(1963)3372 -3375, ibid.5563 - 5564 ;Η· Matsumoto 等，J.Organometallic Chemistry, vol 142(1977) pp 149 - 153 ;Sakurai 等，Tetrahedron Letters, #45(1966)5493 - 5497;和 Ishikawa 等，J. Organometallic Chemistry, vol 23(1970)63 - 69 中所公开的采用路易斯酸的催 化再分配 / 歧化；如已在 US 4,393,229;DE 3,208,829;DE 3,436,381;DE 3,410,644; US2005/0113592A1 和 Zhang 等，Res. Chem. Intermed.，vol 33(2007)pp613-622 中公开 的含有甲基硅烷单体的直接法残留物（包括得自直接法的较低沸点组分（沸点<43°C )) 的路易斯酸催化的催化再分配；如在US 4, 298, 559 ;US5, 416, 232 ;Fr. Pat. 2, 427, 302以 及 R. Trandwell 等，J. Inorg. Nucl. Chem.，vol40 (1978) 1405 - 1410 ;C. Garcia-Escomel 等，Inorg.Chim. Acta·, vol 350(2003)407 - 413 和 R.Calas 等，J. Organometallic Chemistry，vol 71 (1974) 371 - 376中所公开的采用路易斯碱的催化再分配/歧化。
[0009] 尽管所引证的现有技术方法可以提供甲基氯硅烷单体的回收，且一些进 行了商业实施，但是这些方法将高度甲基化的氯二硅烷（如（CH 3)3SiSi(CH3)2Cl和 Cl (CH3)2SiSi (CH3)2C1)或碳硅烷（如Cl2CH3Si-CH 2-Si (CH3)2C1)转化成有机基齒代硅烷单 体的能力还不够令人满意。示例性地，Trandell等，（J. Inorg. Nucl. Chem.，40 (1978) 1305 -1308)报导了甚至在加热至65°C四个月和加热至100°C两个月时，Cl(CH3)2SiSi(CH 3)2Cl 在三甲基胺的存在下不发生歧化。Garcia-Escomel等，（Inorg. Chim，Acta, Vol 350(2003)407-413)陈述了在140 - 150°C用各种膦、亚磷酸盐（酯）、氧化膦和卤化四烷基 铵路易斯碱对Cl (CH3) 2SiSi (CH3) 2C1进行处理时，Cl (CH3) 2SiSi (CH3) 2C1不反应。根据Baney 等，（0找311〇1116七311;^8,2(1983)859 - 864)，当在氯化四丁基鱗的存在下加热至至多1501€ 时，Cl (CH3)2SiSi(CH3)2C1 仍不反应。Herzog 等（J. Organometallic Chem. 507(1996)221 -229)使用了较高的、非特定的温度和使用了 N-甲基咪唑作为催化剂，并且观察到白色固体 的形成，所述白色固体的特征在于与两分子催化剂络合的（CH3) 2SiCl2以及三硅烷和四硅 烧。
[0010] 近来，已有公开描述了由高度甲基化的氯二硅烷制备单体硅烷。例如，JP A 54-9228公开了采用[(C6H5)3P]4Pd作为催化剂进行的Cl(CH 3)2SiSi(CH3)2Cl的氢氯化，以 制备（CH3)2SiHCl。出于同一目的，US5,502,230公开了由Pd(0)或Pt(0)和添加剂组成 的催化剂组合物的用途，所述添加剂选自叔胺、羧酰胺（carboxylic amide)、烧基脲、叔 膦、磷酰胺（phosphoric amide)、季铵卤化物或季鱗卤化物。US 7, 655, 812公开了通过 Cl(CH3)2SiSi(CH3)2Cl的氢氯化制备（CH 3)2SiHCl的方法，包括Pd(0)、叔胺和叔膦的使用， 其中烃基中的至少一种是官能化的芳基。然而，所有这些方法需要在催化剂组合物中使用 昂贵的贵金属，因而使得它们过于昂贵而无法商业实施。
[0011] 此外，甚至对于常规可裂化的DPR，与理想状况相比，通过现有技术方法制备的单 体趋向于含有较多的CH 3SiCl3单体。通常认为具有通式fSiA的有机基卤代硅烷单体的 价值低于具有通式P 2SiX2、R^SiX、fSiHA和R^SiHX的那些。在甲基氯硅烷的情况中，可 以基于商业量的售价或用于实验室研究的较低量的售价来在价值上对化合物分级。使用在 互联网上或在特种化学品目录（如Gelest，Inc.)中公布的价格时，甲基氯硅烷单体的价值 分级为（CH 3) 2SiHCl>CH3SiHCl2> (CH3) 3SiCl> (CH3) 2SiCl2>CH3SiCl3。遗憾地，相对于其它更为 有价值的单体而言，通过该商业方法制备的单体混合物富含价值较低的CH 3SiCl3，且重量比 (CH3SiCl^(CH3) 2SiCl2)通常大于 1.0。
[0012] 因此，本发明的目的在于提供用于由常规非可裂化直接法残留物制备有机基卤代 硅烷单体的方法，所述方法不涉及昂贵的贵重催化剂的使用，与常规的商业方法（如叔胺 催化的氢氯化反应）相比，其提供了减少的Ι^?Χ 3和增加的R^SiHX、Ι^?ΗΧ2和R^SiA，且 其易于在适中的温度以相对较短的反应时间进行。
【发明内容】
[0013] 在一方面，本发明涉及用于由高沸点残留物制备有机基卤代硅烷单体组合物的催 化方法。所述方法包括如下步骤：
[0014] (A)在大气压力或超大气压力于约75°C至约300°C的温度，在催化剂的存在下，任 选地在有机基卤化物和/或卤化氢和/或惰性气体的存在下，加热所述高沸点残留物，所述 催化剂包括（1) 一种或多种杂环胺和/或一种或多种杂环卤化铵，和（2) -种或多种15族 的季鎗化合物，
[0015] 从而将高沸点残留物转化成含有至少一种有机基卤代硅烷单体的有机基卤代硅 烷单体组合物，所述有机基卤代硅烷单体具有选自RiSiHX 2、R^SiHX、R^SiA和R^SiX的通 式，R1为芳族，脂族，烷芳基或脂环族单价烃基，X为选自氟、氯、溴、和碘的--素原子，和
[0016] (Β)任选地回收所述催化剂，
[0017] 其中所述高沸点残留物包含（1)含有至少一种四有机基二卤代二硅烷和任选的 一种或多种选自碳娃烧、有机基齒代聚娃烧、7Κ有机基-娃烧、和五有机基齒代-娃烧的化 合物的非可裂化组分；和（2)任选的包含二有机基四卤代二硅烷和三有机基三卤代二硅烷 中的至少一种的可裂化组分，条件是如果存在所述可裂化组分的话，所述可裂化组分的浓 度低于所述非可裂化组分的浓度；和
[0018] 其中所述15族季鎗化合物具有通式R4Q+X_，其中R各自独立地为具有1至30个碳 原子的以下基团：烷基、环烷基、芳基或烷芳基，Q为磷、砷、锑和铋，X为选自F、Cl、Br或I 的卤素。
[0019] 本发明的方法通过使用容易获得的催化剂在适中的温度和以相对短的反应 时间将常规非可裂化化合物如C1 (CH3) 2 S i S i (CH3) 2 C1有效地转化为有价值的单体（如 (CH3) 2SiHCl、CH3SiHCl2 和（CH3) 2SiCl2)。
【具体实施方式】
[0020] 本发明提供了用于将高沸点残留物转化成具有通式fSiHXy R^SiHX、R^SiX和 fSiXj特别是fSiHXy R^SiHX和R^SiXj的有机基卤代硅烷单体的催化方法。本申请所 使用的R1为芳族，脂族，烷芳基或脂环族单价烃基，X是齒素原子如氟、氯、溴、或碘。R 1的 实例为甲基、乙基、苯基、环己基、稀丙基、乙稀基和节基。有利地，R1为甲基、乙基或苯基且 X是氯或溴。更有利地，R1为甲基且X是氯。在一种实施方式中，本发明的催化方法提供了 含有（CH 3)2SiHCl、CH3SiHCl2、（CH3) 3SiCl、（CH3)2SiCl2 和 CH3SiCl3 的有机基卤代硅烷单体组 合物，其中（CH3)2SiCl2和CH 3SiHCl2的含量单独地或共同地超过了 CH3SiCl3的含量。
[0021] 合适的高沸点残留物含有非可裂化组分和任选的可裂化组分，条件是如果可裂化 组分存在，则所述可裂化组分的浓度低于所述非可裂化组分的浓度。
[0022] 如本申请所使用的那样，将未通过叔胺催化的氢氯化转化为单体硅烷的有机基卤 代二硅烷、有机基卤代聚硅烷和碳硅烷称为"非可裂化"或"常规非可裂化"。将可以转化为 单体硅烷的那些称为"可裂化"或"常规可裂化"。
[0023] 适合于本发明的非可裂化组分含有至少一种四有机基二卤代二硅烷和任选的如 下物质中的至少一种：碳娃烧、有机基齒代聚娃烧、7K有机基-娃烧、和五有机基齒代-娃 烧。
[0024] 用通式XR^SiSiR^X表示四有机基二卤代二硅烧，其中R1和X的意义与 上文针对有机基卤代硅烷单体所定义的相同。四有机基二卤代二硅烷的实例包括 Cl (CH3) 2SiSi (CH3) 2C1 和 (CH3) 2SiSi (CH3) 2fc。
[0025] 六有机基二硅烷和五有机基卤代二硅烷各自用通式R^SiSiRijP XR^SiSiR、 表不，其中R1和X的意义与上文针对有机基齒代娃烧单体所定义的相同。实例包括 (CH 3) 3SiSi (CH3) 3 和 Cl (CH3) 2SiSi (CH3) 3。
[0026] 碳硅烷具有一个或多个亚甲基（-CH2_)，且可以用通式R^XjSi- (CH2) w-SiXkR^ 表示，其中h、j、k和1独立地彡0,条件是h+j = 3和k+1 = 3, w彡1，优选1 - 4, R1和 X的意义与上文针对有机基卤代硅烷单体所定义的相同。碳硅烷的实例包括具有通式 RXSi-CHfSiXR、和 RXSi-CHfCHfSiX#1 的化合物，其中 R1 = CH3 和 X = C1。在硅原子 之间含有单个_CH2-基团的碳娃烧也称为甲娃烧基亚甲基（silylmethylenes)或二娃甲烧 (disilamethanes)〇
[0027] 有机基卤代聚硅烷是具有通式的那些，其中下标m和q 独立地彡0,其中总和m+q = 3,η为大于2的整数，R1和X的意义与上文针对有机基卤代硅 烷单体所定义的相同。
[0028] 在高沸点残留物中的可裂化组分含有二有机基四卤代二硅烷和三有机基三卤代 二硅烷中的至少一种。合适的二有机基四卤代二硅烷用通式 示。合适的三有机基三卤代二硅烷用通式XySiSiR^X和R^SiSiA表示。R1和X的意义 与上文针对有机基卤代硅烷单体所定义的相同。示例性二有机基四卤代二硅烷和三有机 基三卤代二硅烷包括 Cl2(CH3)SiSi(CH3)Cl2、Cl(CH 3)2SiSiCl3、（CH3)3SiSiCl 3 和 C12(CH3) SiSi(CH3)2Cl。
[0029] 在一种实施方式中，本发明的高沸点残留物是得自DPR的常规氢氯化的非可裂 化残留物。除了二硅烷、（〇13)即51(013)3、（：1(01 3)如51(013)3和（：1(013)如51(01 3)2(：1 之外，该高沸点残留物包括三硅烷、碳硅烷以及用于实现氢氯化的叔胺/叔胺盐酸盐催 化剂。相较于CH3SiCl 3，得自该常规非可裂化原料的裂化的甲基氯硅烷单体组合物富含 (CH3)2SiHCl、CH 3SiHCl2、（CH3)3SiCl 和（CH3)2SiCl2。
[0030] 在本发明方法中，在催化剂的存在下加热上述高沸点液体残留物，所述催化剂含 有（1) 一种或多种杂环胺，和/或一种或多种杂环卤化铵，和（2) -种或多种具有通式 R4Q+X_的15族季鎗化合物，其中R各自独立地为具有1至30个碳原子的以下基团：烷基、环 烷基、芳基或烷芳基，Q为15族元素如磷、砷、锑和铋，X为卤素原子如F、Cl、Br或I。应认 识到R基团不必全部相同。催化剂可以在反应器外部形成并且随后添加到反应器中，或通 过将催化剂的单独的各组分直接添加到反应器中从而在反应器内部形成。类似地，催化剂 和高沸点残留物可以在反应器之外合并，或可以单独地将它们添加到反应器中。
[0031 ] 1?沸点残留物向有机基齒代娃烧单体的转化包括-娃烧、碳娃烧和单体娃烧的化 学反应如再分配/歧化以及二硅烷、聚硅烷和碳硅烷的裂化。因此，本发明还旨在如下式所 说明的碳硅烷和二硅烷上的R1、X和Η基团的催化歧化和再分配：
【权利要求】
1. 用于由高沸点残留物制备有机基卤代硅烷单体组合物的催化方法，所述方法包括： (A)在大气压力或超大气压力于约75°C至约300°C的温度，在催化剂的存在下，任选地 在有机基卤化物和/或卤化氢和/或惰性气体的存在下，加热所述高沸点残留物，所述催化 齐抱括⑴一种或多种杂环胺和/或一种或多种杂环齒化铵，和⑵一种或多种15族的季 鐵化合物， 从而将所述高沸点残留物转化成含有至少一种有机基卤代硅烷单体的有机基卤代硅 烷单体组合物，所述有机基卤代硅烷单体具有选自RiSiHX2、R^SiHX、R^SiA和R^SiX的通 式，R 1为芳族，脂族，烷芳基或脂环族单价烃基，X为选自氟、氯、溴、和碘的--素原子，和 (Β)任选地回收所述催化剂， 其中所述高沸点残留物包含（1)含有至少一种四有机基二卤代二硅烷和任选的一种 或多种选自碳硅烷、有机基齒代聚硅烷、六有机基二硅烷、和五有机基齒代二硅烷的化合物 的非可裂化组分；和（2)任选的包含二有机基四卤代二硅烷和三有机基三卤代二硅烷中的 至少一种的可裂化组分，条件是如果存在所述可裂化组分的话，所述可裂化组分的浓度低 于所述非可裂化组分的浓度；和 其中所述15族季鎗化合物具有通式R4Q+r，其中R各自独立地为具有1至30个碳原子 的以下基团：烷基、环烷基、芳基或烷芳基，Q为磷、砷、锑和铋，X为选自F、Cl、Br或I的卤 素。
2. 权利要求1的方法，其中所述杂环胺在至少一个4元至8元烃环中具有至少一个氮 原子，其中与所述氮相邻的环原子为碳或氮，一个或多个烃环彼此独立地为芳族或非芳族 烃环。
3. 权利要求2的方法，其中所述杂环胺的pKa为约6. 9至约7. 9。
4. 权利要求2的方法，其中所述杂环胺含有具有1至3个氮原子的五元环。
5. 权利要求4的方法，其中所述杂环胺是咪唑或选自以下物质的取代的咪唑：1_甲 基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-异丙基咪唑、4-甲基咪唑、2, 4-二甲基咪唑、2-(咪 唑-2-基）咪唑、2-苯基咪唑、咪唑啉、四氢咪唑、吡唑、3-甲基吡唑、吡咯烷酮、N-甲基吡 咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，2, 3-三唑和1，2, 4-三唑。
6. 权利要求1的方法，其中所述杂环卤化铵源自在至少一个4元至8元烃环中具有至 少一个氮原子的杂环胺，其中与所述氮相邻的环原子独立地为碳或氮原子，一个或多个烃 环彼此独立地为芳族或非芳族烃环，其中卤素为氟、氯、溴或碘。
7. 权利要求6的方法，其中所述杂环卤化铵源自在5元环中具有1至3个氮原子的杂 环胺，卤素为氟、氯、溴或碘。
8. 权利要求7的方法，其中所述杂环卤化铵为1，2-二甲基-3-(正丙基）-咪唑鎗氯化 物，1-乙基-3-甲基咪唑鎗溴化物，1，2-二甲基-3-(正丁基）咪唑鎗氯化物，1- 丁基-3-甲 基-咪唑鎗氯化物，1-(3-氰基丙基）-3-甲基咪唑鎗氯化物，或1-甲基咪唑鎗氯化物。
9. 权利要求6的方法，其中所述杂环卤化铵是选自以下的离子液体：1_甲基咪唑鎗氯 化物，1_ 丁基_3_甲基-咪唑鐵氯化物，和1-(3-氰基丙基）_3_甲基咪唑鐵氯化物。
10. 权利要求1的方法，其中所述15族季鎗化合物R4Q+X_含有具有通式R3OHX和HX的 化合物，其中R为具有1至30个碳原子的以下基团：烷基、环烷基、芳基或烷芳基，Q是磷、 锑或砷，且X为F、Cl、Br或I。
11. 权利要求1的方法，其中所述15族季鎗化合物R4Q+X^为氯化四（正丁基）鱗、溴化 四（正丁基）鱗、溴化三己基（十四烷基）鱗、溴化甲基三（异丁基）鱗、氯化甲基三（异 丁基）鱗、氯化四（正辛基）鱗、氯化三（正丁基）十四烷基鱗、或氯化辛基三（丁基）鱗。
12. 权利要求11的方法，其中所述15族季鎗化合物是选自以下的离子液体：氯化三 (正己基）十四烷基鱗，溴化四（正丁基）鱗，氯化四（正丁基）鱗，氯化三（正丁基）十四 烷基鱗、和氯化甲基三（异丁基）鱗。
13. 权利要求1的方法，其中步骤（A)在有机基卤化物的存在下进行，所述有机基卤化 物为氯代甲烷或溴代甲烷。
14. 权利要求1的方法，其中步骤（A)在卤化氢的存在下进行，所述卤化氢为HC1或 HBr。
15. 权利要求1的方法，其中步骤㈧在惰性气体的存在下进行，所述惰性气体为氮气 或氦气。
16. 权利要求1的方法，其中R1为甲基、乙基或苯基，X为氯或溴。
17. 权利要求1的方法，其中所述有机基卤代硅烷单体组合物包括（CH3)2SiHCl、 CH3SiHCl2、（CH3)3SiCl、（01 3)251(：12和01351(：13,其中（01 3)251(：12和(：!1351!1(：12 的含量单独 地或共同地超过了 CH3SiCl3的含量。
18. 权利要求1的方法，其中在至多7MPa的超大气压力于150°C至250°C在机械搅拌的 反应器中加热所述高沸点残留物30至120分钟。
19. 权利要求1的方法，其中在环境大气压力于150°C至250°C加热所述高沸点残留物。
20. 权利要求1的方法，其中所述催化剂含有0. Olwt%至99. 95wt%的（1)至少一种 或多种杂环胺和/或一种或多种杂环齒化铵，和〇. 〇5wt %至99. 9wt %的（2) -种或多种15 族季鎗化合物，基于组分（1)和（2)的总重量。
21. 权利要求20的方法，其中所述催化剂含有5wt %至85wt %的2-甲基咪唑和95wt % 至15wt%的氯化四（正丁基）鱗，基于2-甲基咪唑和氯化四（正丁基）鱗的总重量。
22. 权利要求21的方法，其中2-甲基咪唑与氯化四（正丁基）鱗的摩尔比为1. 1至 100。
23. 权利要求21的方法，其中2-甲基咪唑含有约0. 05重量百分数至约5重量百分数 的咪唑，氯化四（正丁基）鱗含有约0. 05重量百分数至约5重量百分数的HC1和约0. 05 重量百分数至约5重量百分数的（n-C4H9)3PHCl。
24. 权利要求1的方法，其中所述催化剂的重量为所述高沸点残留物重量的1 %至 50%。
25. 权利要求1的方法，其中所述催化剂进行回收和再利用。
26. 权利要求1的方法，其中以单次催化剂投料将多批所述高沸点残留物转化成有机 基卤代硅烷单体组合物，且定义为l〇〇x(所述催化剂的重量/所述高沸点残留物的总重量） 的最终催化剂用量为约〇. 1重量百分数至约5重量百分数。
27. 权利要求1的方法，其中所述催化方法包括选自以下的反应：歧化反应、再分配反 应、亚甲硅基挤出、亚甲硅基插入及其组合。
28. 权利要求27的方法，其中所述反应在机械搅拌的反应器、喷气式反应器或泡罩塔 中间歇地或连续地在离子液体中进行。
【文档编号】C07F7/12GK104144934SQ201280070926
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2012年12月20日 优先权日:2011年12月30日
【发明者】K.M.刘易斯, J.D.尼里 申请人:莫门蒂夫性能材料股份有限公司