专利名称：高分子量共聚物的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合于在半导体元件等的表面保护膜、层间绝缘膜、芯片层叠用粘接剂等中使用的绝缘树脂组合物的共聚物。本申请基于2009年8月4日申请的日本专利申请第2009-181210号主张优先权，将其内容援引于此。
背景技术：
作为电绝缘性、耐热冲击性、密合性等特性优异的固化物用的聚合物，已知具有下式(1)表示的结构单元(Al) 10 99摩尔％和下式(2)表示的结构单元(A2) 90 1摩尔％ 的共聚物(A)(其中，将构成该共聚物(A)的全部构成单元的总量设为100摩尔％)(参照专利文献1)。
权利要求
1.一种共聚物，其特征在于，含有式(I)、式(II)和式(III)表示的重复单元，其重均分子量在50000 200000的范围，
2.根据权利要求1所述的共聚物，其特征在于，式(I)和式(II)表示的重复单元与式 (III)表示的重复单元以嵌段的方式进行键合。
3.根据权利要求2所述的共聚物，其特征在于，式(I)和式(II)表示的重复单元为，式 (I)表示的重复单元与式(II)表示的重复单元以无规的方式进行键合。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的共聚物，其特征在于，重均分子量Mw与数均分子量Mn之比Mw/Mn为1.01 1.50的范围。
全文摘要
本发明的课题在于提供作为芯片层叠用粘接剂等密合性等特性令人满意的几种固化物用的共聚物。本发明为(1)一种共聚物，其特征在于，含有式(I)、式(II)和式(III)(式中，R1、R2和R3各自独立地表示氢原子或者甲基，R4表示烷基或者环烷基，R5表示氢原子或者C1～C6的烷基，m、n、k表示各重复单元的摩尔比例，m表示0以上且小于1的正数，n和k各自独立地表示正数，满足m+n+k＝1的关系。)表示的重复单元，其重均分子量在50000～200000的范围。
文档编号C08F220/10GK102471410SQ201080033928
公开日2012年5月23日 申请日期2010年8月4日 优先权日2009年8月4日
发明者三岛豪, 丸毛伸儿, 高桥荣治 申请人:日本曹达株式会社