专利名称：一种耐辐射电缆用半导电硅橡胶屏蔽材料及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种电缆屏蔽材料，更具体地说，本发明涉及一种耐辐射电缆用半导电硅橡胶屏蔽材料及其制备方法，属于电缆屏蔽材料技术领域。
背景技术：
在电线电缆行业，导体屏蔽和绝缘屏蔽主要采用半导电高分子材料，即是在高分子基体材料中加入导电填料，如乙炔炭黑、导电石墨粉、导电碳纤维等。这两种屏蔽在电力电缆中通常以EVA为基体。EVA为热塑性弹性体，其柔软程度不及橡胶，常应用于固定敷设的电缆中，而对于移动式电缆，EVA因其VA含量的限制而显得捉襟见肘。原因在于VA含量越高，EVA弹性越好越柔软，但其价格更贵且加工性能较差(因其对温度敏感而容易粘辊)。因此，移动式电缆的导体屏蔽和绝缘屏蔽通常采用橡胶做为基体。目前，电线电缆行业常用橡胶有氯化聚乙烯橡胶(CM)、乙丙橡胶(EPDM)和硅橡胶。将导电填料加入氯化聚乙烯橡胶制成的半导电屏蔽材料，因其硬度和门尼粘度较大而给炼胶和挤橡带来困难。其原因一方面在于导电填料的结构性强，另一方面在于氯化聚乙烯橡胶因分子链具有极性而致使自身的门尼粘度较大。为解决这个问题，通常采用的做法是将导电填料加入门尼粘度低的乙丙橡胶中，或者加入硅橡胶中。由于导电填料和乙丙橡胶的价格都比较昂贵，因此生产成本剧增。从控本增效的角度出发，有些厂家用硅橡胶作为基体来生产半导电屏蔽胶料，并取得了良好的效果。然而，行业内都从耐热性、导电性、成本这三个方面来考量半导电屏蔽材料的性能，这对通常的电缆屏蔽来讲是完全可行的，而对有辐射的场合这些屏蔽材料则显得性能不足。本发明从耐辐射的角度考虑，选用苯撑硅橡胶和苯醚撑硅橡胶作为基体，再加入相应导电炭黑，制成耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料。该屏蔽材料除了耐高温，导电性好的优点 夕卜，还可以在一定剂量的伦琴射线下拥有较好的力学性能保持率。可应用于核电站、紫外光照、热辐射等对电缆的耐热性和耐辐射性有要求的场合。国家知识产权局于2009. 5. 13公开了一件申请号为200810244511. 2，名称为“一种硅橡胶聚烯烃合金电缆材料的工业制备方法”的发明专利，该专利公开了一种硅橡胶聚烯烃合金电缆材料的工业制备方法，包括捏合混炼、双辊混炼以及过滤、薄通、切条和挤出，捏合混炼包括(一)在其真空捏合机中对硅橡胶和干燥后的白炭黑进行混炼得到补强混炼胶(I)，(二)在电控温捏合机中对聚烯烃与自由基捕捉剂和补强混炼胶(I)进行混炼得到改性混炼胶(II);双辊混炼是在双辊机中对改性混炼胶(II)、甲基乙烯基硅油和羟基硅油进行混炼,再加入交联剂继续混炼得到橡胶合金电缆材料。本材料抗拉强度大于6. OMPa,抗撕强度13. 6kN/m以上，可长时期耐受100-120°C的环境温度，不仅可作为电缆绝缘材料，尤其适合作为耐高温型电缆护套材料。对比文件的缺点如下
1、良好的绝缘性能致使它不能用作电缆屏蔽材料；
2、需要特殊的混炼工艺制备，使其生产成本增大，材料使用受限；3、所用原料为硅橡胶和聚烯烃，硅橡胶为橡胶，聚烯烃为塑料，这两种材料的相容性较差，因而产品容易开裂和老化；
4、上述专利中的电缆材料无法在需要耐热和耐辐射的场合使用。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中的屏蔽材料不耐光照、不耐辐射等问题，提供一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料及其制备方法，该半导电屏蔽材料具有耐热、耐辐射、力口工性能好的特点。为了实现上述目的，其具体的技术方案如下
一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，其特征在于包括以下按照重量份数计的原料组分
硅橡胶100份
导电炭黑20 40份
白炭黑40 50份
过氧化二异丙苯I. O 2. 5份
助硫化剂2. O 3. O份
二苯基娃二醇5 15份
硬脂酸I. O 2. O份
氧化锌4 6份
三氧化二铁2 5份；
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；
苯醚撑硅橡胶和苯撑硅橡胶是在聚硅氧烷主链上分别引入苯醚撑和苯撑基团的一类硅橡胶。苯醚撑基和苯撑基的引入，使硅橡胶的耐辐射性能大大提高，同时因芳环的存在使分子链的刚性增大，因而耐热性和机械性能较好。优先选用苯醚撑硅橡胶，因为苯醚撑硅橡胶的耐辐射性能要优于苯撑硅橡胶；
所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯(TAIC)；
三烯丙基氰脲酸酯(TAIC)的优点是能与硫化剂过氧化二异丙苯(DCP)的交联有效配合，当DCP发挥交联作用时，由于TAIC具有三个分子链端双键，而这三个双键通过碳碳单键都接在同一个分子环上，形成三个遥爪状结构，能够起到促进作用，提高交联速度和交联程度。优选的，本发明所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。上述苯醚撑硅橡胶的标准为苯醚撑基含量30% 60%，甲基含量10% 15%，乙烯基含量O. 1% O. 3%O所述的导电炭黑为常规的标准为平均粒径小于20nm，比电阻介于O. 35
O.50 Ω ^cm之间的导电炭黑。优选的，本发明所述的导电炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%,比电阻为
O.35 Ω · cm, pH 值为 7. 4。所述二苯基硅二醇，是一种低分子量物质，可作为抗辐射添加剂使用。优选的，本发明所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化硅含量> 99%，pH值3. 7 4.5,吸油值3. 46 3. 60cm3/g,比表面积350 410m2/g,为一种补强剂。所述硬脂酸，为常规产品，加入硅橡胶中与氧化锌起活化作用。所述氧化锌，为常规产品，与硬脂酸配合使用，起活化作用。所述三氧化二铁，为常规产品，加入硅橡胶可改善其耐热老化性能。一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于包括以下工艺步骤
A、称料
按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入100 105°C的烘箱中加热2 3h ; B、混炼
依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通4 5次即可下胶出片；
C、停放和返炼
混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片；
D、硫化
返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片；
E、检测
硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。优选的，在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为1:1. 35 1:1.4。优选的，在步骤B中，所述的混炼的温度为40°C以下。优选的，在步骤C中，所述的停放时间为24 36小时。优选的，在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. O
2.5mm左右。优选的，在步骤D中，所述的硫化的温度为160 165°C，硫化时间为13 15min，硫化期间保持模腔压力不小于3. 5MPa。本发明带来的有益技术效果
I、本发明选用的硅橡胶耐辐射性能好，用作电线电缆屏蔽层时，可在辐射场合长时间发挥其规定功能。2、本发明选用的硅橡胶塑性高、柔软度好，做为半导电屏蔽材料的基体材料，可避免因导电炭黑结构性强而导致胶片变硬的弊端，从而使得半导电屏蔽材料具有良好的生产加工性能。3、本发明选择的硅橡胶耐高温可达250 300°C，在作为导体屏蔽材料时，可在导体的正常工作温度下长期使用，甚至在过电压和短路情况下不至于损坏，而且本发明的屏蔽材料的制备工艺简单，投入很小。4、本发明选用三氧化二铁作为耐热添加剂，可在不明显影响苯醚撑硅橡胶耐辐射性能的前提下，改善其耐热老化性能。5、本发明选用的硫化剂为过氧化二异丙苯(DCP)，助硫化剂为三烯丙基异氰脲酸酯(TAIC)，一方面加入TAIC后可提高硫化效率，另一方面，与同样采用DCP做硫化剂的乙丙绝缘材料有较好的生产匹配性。6、本发明选用的低分子量的二苯基硅二醇作为添加剂，二苯基硅二醇可在一定程度内改善硅橡胶的耐辐射性能，同时也不会对硅橡胶胶料的硫化产生不利影响。
7、本发明选用硬脂酸和氧化锌作为活化剂，可改善各组分在胶料中的分散均匀性，同时，硬脂酸作为内润滑剂，可降低硅橡胶的粘辊性能，方便进行生产加工。
具体实施例方式实施例I
一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，包括以下按照重量份数计的原料组分
硅橡胶100份
导电炭黑20份
白炭黑40份
过氧化二异丙苯I. O份
助硫化剂2. O份
二苯基娃二醇5份
硬脂酸I. O份
氧化锌4份
二氧化二铁2份；
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。实施例2
一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，包括以下按照重量份数计的原料组分
硅橡胶100份
导电炭黑40份
白炭黑50份
过氧化二异丙苯2. 5份
助硫化剂3. O份
二苯基娃二醇15份
硬脂酸2. O份
氧化锌6份
二氧化二铁5份；
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。实施例3
一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，包括以下按照重量份数计的原料组分 硅橡胶100份
导电炭黑30份
白炭黑45份过氧化二异丙苯I. 75份
助硫化剂2. 5份
二苯基娃二醇10份
硬脂酸I. 5份
氧化锌5份 三氧化二铁3. 5份；
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。实施例4
一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，包括以下按照重量份数计的原料组分
硅橡胶100份
导电炭黑33份
白炭黑41份
过氧化二异丙苯I. 8份
助硫化剂2. 7份
二苯基硅二醇12份
硬脂酸I. 2份
氧化锌5. 6份
二氧化二铁2. I份；
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。实施例5
在实施例1-4的基础上，优选的
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。所述的导电炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比电阻为O. 35 Ω · cm, pH值为7. 4。所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值3. 7，吸油值3. 46cm3/g，比表面积350m2/g。实施例6
在实施例1-4的基础上，优选的
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。所述的导电炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比电阻为O. 35 Ω · cm, pH值为7. 4。所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值4. 5，吸油值3. 60cm3/g，比表面积410m2/g。实施例7
在实施例1-4的基础上，优选的
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。所述的导电炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%,比电阻为0.35 Ω · cm, pH值为7. 4。所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值4. 1，吸油值3. 53cm3/g，比表面积380m2/g。实施例8
在实施例1-4的基础上，优选的
所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。所述的导电炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比电阻为O. 35 Ω · cm, pH值为7. 4。所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化娃含量彡99%, pH值4,吸油值3. 5cmVg 比 表面积400m2/g。实施例9
一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，包括以下工艺步骤
A、称料
按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入100°C的烘箱中加热2h ；
B、混炼
依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通4次即可下胶出片；
C、停放和返炼混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片。D、硫化
返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片；
E、检测
硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。实施例10
一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，包括以下工艺步骤
A、称料
按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入105°C的烘箱中加热3h ；
B、混炼
依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通5次即可下胶出片；
C、停放和返炼混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片。D、硫化
返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片；
E、检测硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。实施例11
一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，包括以下工艺步骤
A、称料
按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入101°C的烘箱中加热2. 5h ；
B、混炼
依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通4次即可下胶出片；
C、停放和返炼混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片。D、硫化
返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片；
E、检测
硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。实施例12
一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，包括以下工艺步骤
A、称料
按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入104°C的烘箱中加热2. 75h ；
B、混炼
依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通5次即可下胶出片；
C、停放和返炼混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片。D、硫化
返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片；
E、检测
硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。实施例13
在实施例9-12的基础上，优选的
在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为I: I. 35。在步骤B中，所述的混炼的温度为20 V。在步骤C中，所述的停放时间为24小时。在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. Omm左右。在步骤D中，所述的硫化的温度为160°C，硫化时间为13min，硫化期间保持模腔压力为 3. 5MPa。实施例14
在实施例9-12的基础上，优选的
在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为1:1.4。在步骤B中，所述的混炼的温度为390C。 在步骤C中，所述的停放时间为36小时。在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. 5mm左右。在步骤D中，所述的硫化的温度为165°C，硫化时间为15min，硫化期间保持模腔压力为5MPa。实施例15
在实施例9-12的基础上，优选的
在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为I: I. 38。在步骤B中，所述的混炼的温度为30 V。在步骤C中，所述的停放时间为30小时。在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. 25mm左右。在步骤D中，所述的硫化的温度为162°C，硫化时间为14min，硫化期间保持模腔压力为4MPa。实施例16
在实施例9-12的基础上，优选的
在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为I: I. 36。在步骤B中，所述的混炼的温度为35 V。在步骤C中，所述的停放时间为35小时。在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. Imm左右。在步骤D中，所述的硫化的温度为164°C，硫化时间为14. 5min，硫化期间保持模腔压力为4. 5MPa。实施例17
本发明涉及的半导电硅橡胶屏蔽材料的制备包括以下步骤
I、称料。称取所述硅橡胶100份，导电炭黑20 40份，白炭黑40 50份，硫化剂
I.O 2. 5份，硫化助剂2. O 3. O份，二苯基硅二醇5 15份，硬脂酸I. O 2. O份，氧化锌4 6份，三氧化二铁2 5份待用。要求硫化剂的称量应精确至O. 02g,其它各组分的称量应精确至±1%。导电炭黑在称量之前要进行调节，即将导电炭黑放入105±5°C的烘箱中加热2h。在调节过程中，导电炭黑应放置在一个开放的尺寸适宜的容器中，以使其堆积厚度不超过10mm。2、混炼。优先选用辊筒速比I: I. 35的开炼机，辊筒必须通有冷却水，混炼温度宜在40°C以下，以防止焦烧或硫化剂的挥发损失。加料顺利依次为硅橡胶、小料、导电炭黑、气相白炭黑、二苯基硅二醇、硫化剂和硫化助剂。硫化剂和硫化助剂加入后薄通五次即可下胶出片。由于硅橡胶比较软，薄通时不能象普通橡胶那样拉下薄片，须采用钢、尼龙或耐磨塑料刮刀刮下。3、停放和返炼。混炼后的胶片应经过一段时间的停放(一般不少于24小时)，使各种配合剂(特别是结构控制剂)能与生胶充分发生作用。经停放后，胶料变硬，塑性降低，使用前必须进行返炼。返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片。下胶前，混炼胶要在开炼机上过辊四次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊以获得压延效应。调整辊距使压出胶片的厚度为2. 5mm左右，以用于制备哑铃片试样。返炼应在室温下进行，温度较高则胶料发粘容易粘辊。4、硫化。返炼后的胶片可直接用于硫化压片，裁剪适宜大小的胶片放入平板硫化机的模具中硫化。硫化条件为160°C，15min，硫化期间保持模腔压力不小于3. 5MPa。5、检测。硫化片至少放置16h后，方可进行相关性能检测。
实施例18
检测组配方见表I所示，制备方法见上述制备步骤。表I检测组配方
权利要求
1.一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，其特征在于包括以下按照重量份数计的原料组分硅橡胶100份 导电炭黑20 40份 白炭黑40 50份 过氧化二异丙苯I. O 2. 5份 助硫化剂2. O 3. O份 二苯基娃二醇5 15份 硬脂酸I. O 2. O份氧化锌4 6份 三氧化二铁2 5份； 所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。
2.根据权利要求I所述的一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，其特征在于所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶。
3.根据权利要求I所述的一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，其特征在于所述的导电炭黑的水分≤I. 75%，灰分≤I. 75%，比电阻为O. 35Ω · cm, pH值为7. 4。
4.根据权利要求I所述的一种电缆用耐辐射半导电硅橡胶屏蔽材料，其特征在于所述的白炭黑为气相法白炭黑，二氧化硅含量≥99%，pH值3. 7 4. 5，吸油值3. 46 3.60cm3/g,比表面积 350 410m2/g。
5.一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于包括以下工艺步骤 A、称料 按照配方称取原料待用，将导电炭黑放入100 105°C的烘箱中加热2 3h ; B、混炼 依次向开炼机中加入硅橡胶、硬脂酸、氧化锌、三氧化二铁、导电炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和过氧化二异丙苯进行混炼，过氧化二异丙苯加入后薄通4 5次即可下胶出片； C、停放和返炼 混炼后的胶片经停放，然后在室温下进行返炼，返炼采用开炼机，待胶料变软，表面光滑平整后，即可下胶出片； D、硫化 返炼后的胶片放入平板硫化机的模具中硫化得到硫化片； E、检测 硫化片至少放置16h后，进行相关性能检测。
6.根据权利要求5所述的一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于在步骤B中，所述的开炼机的辊筒速比为I: I. 35 1:1.4。
7.根据权利要求5所述的一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于在步骤B中，所述的混炼的温度为40°C以下。
8.根据权利要求5所述的一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于在步骤C中，所述的停放时间为24 36小时。
9.根据权利要求5所述的一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于在步骤C中，在所述的下胶出片前，混炼胶在开炼机上过辊4次，每次过辊后沿混炼胶纵向对折，并让胶片总以同一方向过辊，调整辊距使压出胶片的厚度为2. O 2. 5_左右。
10.根据权利要求5所述的一种电缆用耐辐射型半导电硅橡胶屏蔽材料的制备方法，其特征在于在步骤D中，所述的硫化的温度为160 165°C，硫化时间为13 15min，硫化期间保持模腔压力不小于3. 5MPa。
全文摘要
本发明涉及一种耐辐射电缆用半导电硅橡胶屏蔽材料及其制备方法，属于电缆屏蔽材料技术领域。包括以下按照重量份数计的原料组分硅橡胶100份、导电炭黑20～40份、白炭黑40～50份、过氧化二异丙苯1.0～2.5份、助硫化剂2.0～3.0份、二苯基硅二醇5～15份、硬脂酸1.0～2.0份、氧化锌4～6份、三氧化二铁2～5份；所述的硅橡胶为苯醚撑硅橡胶或者苯撑硅橡胶；所述的助硫化剂为三烯丙基氰脲酸酯。本发明的硅橡胶屏蔽材料耐辐射性能好，用作电线电缆屏蔽层时，可在辐射场合长时间发挥其规定功能。
文档编号C08K5/09GK102964841SQ20121051188
公开日2013年3月13日 申请日期2012年12月4日 优先权日2012年12月4日
发明者张圣博, 李广元, 沈卢东, 盛业武, 陈光高, 王娟, 陈超 申请人:四川明星电缆股份有限公司