本发明涉及硅材料加工技术领域，具体涉及一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂。
背景技术：
硅材料，是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能，硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平，单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。
硅片是硅材料存在的一种物理形式，在正常的应用中，硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力，科学技术的发展不断推动着半导体的发展，自动化和计算机等技术发展，使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度，然而硅片在加工时，不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。
硅片一般都是通过相应的硅碇进行切片而成，由于在切割时，应用大量的切削液，润滑液等化学试剂，因此硅片在切割后，在其本身会存留有大量的化学污渍，此类污渍附着在加工成型后的硅片表面，会影响硅片本身性能，因此必须进行相应的清洗，硅片清洗相对于普通材料清洗不同，如果清洗不当，很容易将硅片表面划伤或者磕伤，因此超声波清洗时相对较为温和的清洗方法，但是现有的技术中，利用超声波技术进行清洗的清洗剂一般都是普通的清洗试剂，或为酸性，或为碱性，直接应用于硅片表面，很容易对硅片本身造成一定的腐蚀，影响实际的硅片性质。
技术实现要素：
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本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方合理，性能温和，清洗效果显著的用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种用于硅片清洗的混合型超声波清洗剂，其特征在于，由以下重量份的原料制成：
丙醇52-54份、苯酚10-20份、胶体粒子5-7份、氯化亚锡6-8份、抗坏血酸6-8份、乙酸钠2-4份、腐植酸钠2-4份、三聚磷酸钠3-5份、六偏磷酸钠2-4份、表面活性剂5-7份、拉丝粉6-8份、滑石粉3-5份、去离子水260-270份。
各原料的优选分量为：
丙醇53份、苯酚15份、胶体粒子6份、氯化亚锡7份、抗坏血酸7份、乙酸钠3份、腐植酸钠3份、三聚磷酸钠4份、六偏磷酸钠3份、表面活性剂6份、拉丝粉7份、滑石粉4份、去离子水265份。
所述的表面活性剂是十二烷基苯磺酸盐、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基磺酸钠的一种或几种；
所述的胶体粒子由硅藻土、氧化硅、白土、膨润土中意任意一种或几种复配而成，胶体粒子起研磨和吸附作用，达到洗净的目的。
上述清洗剂的制备方法为：
1)将上述原料中丙醇、苯酚、乙酸钠、腐植酸钠、三聚磷酸钠和六偏磷酸钠溶于原料中的去离子水中，高速搅拌直至各物料混合均匀；
2)将原料中的胶体粒子与原料中的拉丝粉和滑石粉预先研磨至颗粒细度为20-22um后，与步骤1中的原料进行合并混合，并搅拌直至混合均匀；
3)将原料中的剩余原料预先采用放入搅拌罐中，并加热至25-28℃，然后开启搅拌，搅拌均匀后，与步骤2中的原料混合，控制转速3500-3800r/min，高速搅拌35-45min后，出料，即可得到。
本发明的有益效果是：本发明制备方法简单，配方合理，制备的清洗剂，配合超声波清洗技术，能高效去除附着硅片上的各种污垢，同时清洗剂为中性温和型，有效的呵护硅片表壁不受损伤，使用效果良好，不会对硅片造成腐蚀，无残留，无污染，清洗效果显著，原料易得，成本低下。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
实施例1
称取：丙醇52kg、苯酚10kg、胶体粒子5kg、氯化亚锡6kg、抗坏血酸6kg、乙酸钠2kg、腐植酸钠2kg、三聚磷酸钠3kg、六偏磷酸钠2kg、表面活性剂5kg、拉丝粉6kg、滑石粉3kg、去离子水260kg。
实施例2
称取：丙醇53kg、苯酚15kg、胶体粒子6kg、氯化亚锡7kg、抗坏血酸7kg、乙酸钠3kg、腐植酸钠3kg、三聚磷酸钠4kg、六偏磷酸钠3kg、表面活性剂6kg、拉丝粉7kg、滑石粉4kg、去离子水265kg。
制备上述实施例1或2的方法为：
1)将上述原料中丙醇、苯酚、乙酸钠、腐植酸钠、三聚磷酸钠和六偏磷酸钠溶于原料中的去离子水中，高速搅拌直至各物料混合均匀；
2)将原料中的胶体粒子与原料中的拉丝粉和滑石粉预先研磨至颗粒细度为20-22um后，与步骤1中的原料进行合并混合，并搅拌直至混合均匀；
3)将原料中的剩余原料预先采用放入搅拌罐中，并加热至25-28℃，然后开启搅拌，搅拌均匀后，与步骤2中的原料混合，控制转速3500-3800r/min，高速搅拌35-45min后，出料，即可得到。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。