1.一种硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：其由以下质量份的原料制备而成：
母粒基体：100份；
薄膜基体：1000～2000份；
硫铟量子点转光剂：0.005～2份；
润滑剂：1.5～2.5份；
光稳定剂：5～15份；
抗氧剂：3～10份。
2.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的硫铟量子点转光剂为Cu1-xNxInS2：Zn1-yMyS，其中0≤x≤1，0<y≤1，M为Ca、Zn、Sr、Mg、Ba、Fe中的一种或几种元素，N为K、Na、Li、Ag、Au中的一种或几种元素。
3.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的母粒基体为聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的薄膜基体为聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的润滑剂为N，N'-乙撑双硬脂酰胺、聚乙烯蜡、硬脂酸钙、硬脂酸锌、硬脂酸、硬脂酸丁酯、油酰胺、铝酸酯、钛酸酯、石蜡中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的光稳定剂为受阻胺类、邻羟基二苯甲酮类、苯并三唑类、水杨酸酯类、三嗪类、取代丙烯腈类中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的抗氧剂为芳香胺类抗氧剂、受阻酚类抗氧剂、硫代二丙酸双酯类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜，其特征在于：所述的转光薄膜的厚度为60～200μm。
9.权利要求1～8中任意一项所述的硫铟化合物体系量子点转光薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）造粒：将母粒基体、硫铟量子点转光剂、润滑剂、光稳定剂和抗氧剂加入高速混合机，充分混合均匀，再将物料转入双螺杆挤出机，挤出造粒，得到转光剂母粒；
2）吹膜：将转光剂母粒和薄膜基体充分混合均匀，再将物料加入吹塑机，进行吹塑，得到硫铟化合物体系量子点转光薄膜。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：步骤1）所述的双螺杆挤出机的操作温度为180～200℃，螺杆转速为300～500r/min；步骤2）所述的吹塑机中物料的熔融温度为170～190℃，吹塑机模头温度为160～205℃。