in，得到所述再生的芯片。
[0019]上文中，所述检测汞离子的芯片可为基于T-T错配原理的检测汞离子的芯片，如表面固定了名称为TS的含有单链DNA探针的芯片，所述TS为含有聚脱氧胸苷酸的单链DNA，所述TS中的聚脱氧胸苷酸的个数可为12-16个，具体可为14个。
[0020]本发明提供的所述使检测汞离子的芯片再生的成套试剂在使检测汞离子的芯片再生中的应用也属于本发明保护的范围。
[0021]本发明提供的所述使检测汞离子的芯片再生的方法在检测汞离子中的应用也属于本发明保护的范围。
[0022]实验证明，使用本发明的使检测汞离子的芯片再生的成套试剂进行芯片再生得到的再生芯片具有很好的可重复性，与新制备的芯片相比，使用再生方法I获得的再生次数为1-10的再生芯片的百分比信号值偏差均在4.8%以下，使用再生方法2获得的再生次数为1-10的再生芯片的百分比信号值偏差均在4.4%以下，使用再生方法3获得的再生次数为1-10的再生芯片的百分比信号值偏差均在4.8%以下，使用再生方法4获得的再生次数为^10的再生芯片的百分比信号值偏差均在4.7%以下，这四种再生方法均获得了很好的再生效果。
【附图说明】
[0023]图1为使用再生方法I进行芯片再生的过程；图中I代表将使用过的检测汞离子的生物传感器芯片浸入到浓度为IM的乙二胺四乙酸水溶液中在25°C进行络合反应0.5min ;2-1代表将络合反应后的芯片首先浸入到质量百分浓度为30%的尿素水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin ;2_2代表将尿素水溶液洗脱后的芯片再浸入质量百分浓度为0.2%的十二烷基磺酸钠水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin ;3_1代表将洗脱后的芯片首先浸入超纯水中在25°C恢复0.5min ;3_2代表将水中恢复后的芯片在芯片恢复缓冲液2中在 25°C 恢复 0.5min。
[0024]图2为使用再生方法I获得的再生芯片的Hg2+重复检测效果图。
[0025]图3为使用再生方法2进行芯片再生的过程；图中I代表将使用过的检测汞离子的生物传感器芯片浸入到浓度为I μΜ的谷胱甘肽水溶液中在25°C进行络合反应0.5min ;2-1代表将络合反应后的芯片首先浸入到质量百分浓度为30%的尿素水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin '2-2代表将尿素水溶液洗脱后的芯片再浸入质量百分浓度为0.2%的十二烷基磺酸钠水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin ;3_1代表将洗脱后的芯片首先浸入超纯水中在25°C恢复0.5min ;3_2代表将水中恢复后的芯片在芯片恢复缓冲液3中在25°C恢复 0.5min。
[0026]图4为使用再生方法2获得的再生芯片的Hg2+重复检测的效果图。
[0027]图5为使用再生方法3进行芯片再生的过程；图中I代表将使用过的检测汞离子的生物传感器芯片浸入到浓度为I μ M的半胱氨酸水溶液中在25°C进行络合反应Imin ;2_1代表将络合反应后的芯片首先浸入到质量百分浓度为30%的尿素水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin '2-2代表将尿素水溶液洗脱后的芯片再浸入质量百分浓度为0.2%的十二烷基磺酸钠水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin ;3_1代表将洗脱后的芯片首先浸入超纯水中在25°C恢复0.5min ;3_2代表将水中恢复后的芯片在芯片恢复缓冲液2中在25°C恢复0.5min0
[0028]图6为使用再生方法3获得的再生芯片的Hg2+重复检测的效果图。
[0029]图7为使用再生方法4进行芯片再生的过程；图中I代表将使用过的检测汞离子的生物传感器芯片浸入到浓度为I μΜ的谷胱甘肽水溶液中在25°C进行络合反应0.5min ;
2-1代表将络合反应后的芯片首先浸入到质量百分浓度为30%的尿素水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin '2-2代表将尿素水溶液洗脱后的芯片再浸入质量百分浓度为0.2%的十二烷基磺酸钠水溶液中在25°C进行洗脱反应Imin ;3_1代表将洗脱后的芯片首先浸入超纯水中在25°C恢复0.5min ;3_2代表将水中恢复后的芯片在芯片恢复缓冲液I中在25°C恢复 0.5min。
[0030]图8为使用再生方法4获得的再生芯片的Hg2+重复检测的效果图。
【具体实施方式】
[0031]一、下述实施例中所用的检测汞离子的生物传感器芯片均是基于T-T错配原理检测汞离子的生物传感器芯片，其制备方法如下:
[0032]1、光纤基片表面羟基活化
[0033]将光纤基片浸泡于硫酸-过氧化氢溶液，80°C静置lh，取出浸泡后的光纤基片，采用超纯水冲洗3次后用N2吹干，然后120°C静置3h，得到表面羟基活化的光线基片，将表面羟基活化的光线基片置于干燥器中冷却和保存。
[0034]硫酸-过氧化氢溶液的制备方法:将质量百分含量为98.3%的浓硫酸和质量百分含量为30%的过氧化氢按照体积比3:1进行混合，得到硫酸-过氧化氢溶液。
[0035]2、表面娃烧化
[0036]将步骤I得到的表面羟基活化的光线基片浸泡于硅烷化剂溶液中，室温静置120min，取出浸泡后的光纤基片，依次用脱水甲苯和无水乙醇冲洗各3次，然后用N2吹干，180°C烘烤lh，得到表面硅烷化的光纤基片，将表面硅烷化的光纤基片置于干燥器中冷却和保存。
[0037]硅烷化剂溶液的制备方法:将3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)溶解于脱水甲苯，每2mL APTES溶于10mL脱水甲苯中，形成体积百分含量为2%的硅烷化剂溶液。
[0038]3、表面偶联化
[0039]将步骤2得到的表面硅烷化的光纤基片浸泡于戊二醛偶联剂溶液中，室温静置60min，取出浸泡后的光纤基片，依次用高纯水和浓度为50mM的Tris-HCl缓冲液(pH =7.4)各冲洗3次，然后用N2吹干，得到表面偶联化的光线基片，将表面偶联化的光线基片置于干燥器中冷却和保存。
[0040]偶联剂溶液:含2% (体积百分含量)戊二醛的浓度为50mM的Tris-HCl缓冲液(pH = 7.4) ο
[0041]4、TS探针的固定
[0042]将名称为TS的单链DNA探针溶液滴在步骤4得到的表面偶联化的光线基片的表面，然后放入湿度为55-75%，最佳湿度为65%的密闭环境中室温静置18h，依次用0.2%(质量百分含量)的SDS溶液和超纯水各冲洗3次，然后用浓度为20 μ M的甘氨酸水溶液进行封闭lh，然后再用0.2% (质量百分含量)的SDS溶液和超纯水各冲洗3次，每次lmin，用N2吹干，得到表面固定有名称为TS的单链DNA探针芯片，命名为TS探针芯片。该TS探针芯片即为下述实施例中的新制备的芯片。
[0043]名称为TS的单链DNA探针溶液的制备方法:将名称为TS的单链DNA探针和NaCl溶于浓度为50mM的Tris-HCl缓冲液(pH = 7.4)中，使名称为TS的单链DNA探针的浓度为 150nM，NaCl 的浓度为 100mM。
[0044]名称为TS 的单链 DNA 探针:5’ -NH2- (CH2) 6-TTTTTTTTTTTTTT-3’。
[0045]二、步骤一的基于T-T错配原理检测汞离子的生物传感器芯片按照如下方法检测汞离子
[0046]用于本实施例的全光纤倏逝波生物传感器见中国专利ZL200610089497.4(CN1873450A)。
[0047]含有AF-TB的杂交液的制备方法:
[0048]