丁酮（methylisobutylketone)与它们的组 合。
[0085] 根据本发明的另一实施例，制造二氧化硅基层的方法包括：在基底上涂布用以形 成二氧化硅基层的组成物；干化涂布有形成二氧化硅基层的组成物的基底；以及在大于或 等于约200°C的惰性气体环境（inert gas atmosphere)中，固化生成物（resultant)。
[0086] 例如，用以形成二氧化硅基层的组成物可以使用溶液制程来进行涂布，像是旋转 涂布（spin-〇n coating)方法。
[0087] 基底例如可以是像是半导体、液晶及其类似物的装置基底，但并不限于此。
[0088] 根据本发明的另一实施例，提出一种包含二氧化硅基层的电子装置，所述二氧化 硅基层是根据所述方法而制造。此电子装置可以是例如显示装置（像是LCD或LED)或半 导体装置，并且二氧化硅基层可以是电子装置的绝缘层或是填充层。
[0089] 根据本发明的又一实施例，提出一种制造半导体电容的方法以及根据此方法制造 出的半导体电容。以下，参照图1到图9,将描述制造半导体电容的方法以及制造出的半导 体电容。
[0090] 图1到图9是剖面图，依序显示根据本发明的一实施例的制造半导体电容的方法。
[0091] 参照图1，在半导体基底1上配置模制氧化层3 (mold oxide layer)。在半导 体基底1上，已经配置有：电晶体（未显示）、接触垫（未显示）、接触插塞（未显示）以 及其类似物。例如，模制氧化层3可以由氧化物制成，像是硅氧化物（Si02)、四乙氧基硅 烧（tetraethylothosilicate，TE0S)、硼磷娃玻璃（boron phosphorus silicate glass, BPSG)以及磷娃玻璃（phosphor silicate glass，PSG)，形成方法例如是气相沉积法（CVD)。
[0092] 参照图2,利用对于模制氧化层3进行光微影（photolithography)而形成间隙2， 所述间隙2暴露位于半导体基底1上的接触插塞。间隙2可以微小到小于50nn。间隙2可 具有大于1的在高度与宽度之间的高宽比（aspect ratio)。
[0093] 参照图3,在半导体基底1与模制氧化层3上层压（laminate)导电层5。导电层5 可以是单一层或多层。例如，导电层5可以由具有低电阻系数的金属（像是铝、铜、银与它 们的合金）、像是镍、钛与类似的金属、多晶硅或其类似物制成。导电层5可以以溅镀或化学 气相沉积以及类似的方式而形成。
[0094] 参照图4,在导电层5上设置填充层7。所述填充层7可以是由包含有氢化聚硅氮 烷或氢化聚环氧硅氮烷的组成物制成的二氧化硅基层。此二氧化硅基层与前面描述的一 样。这组成物可以与涂布溶剂混合以提供溶液，且可以以像是旋转涂布的溶液制程进行涂 布。
[0095] 接着，对填充层7进行热处理。所述热处理可以在含有蒸气的环境下以约200°C或 更高的温度执行。
[0096] 参照图5,填充层7可以使用显影液（developing solution)来进行显影。据此， 去除设置在下方的导电层5上的填充层7,而留下一部分填充间隙2,形成预定的填充物图 案7a。
[0097] 参照图6,去除配置在模制氧化层3上的导电层5,留下模制氧化层3与填充物图 案7a之间的部分，以分离具有预定形状的下电极5a。此处，去除下方的导电层5的方法可 以是化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP)法或回蚀刻法。
[0098] 参照图7,同时去除模制氧化层3与填充物图案7a，而留下了下电极5a。模制氧化 层3与填充物图案7a是以湿式蚀刻法而去除，此处，湿式蚀刻溶液可以包含任何能同时去 除模制氧化层3与填充物图案7a的材料，但不特别限制。例如，可以包含含氟蚀刻液，像是 氢氟酸（HF)与氟化氨（NH4F)。
[0099] 参照图8,在包含下电极5a的基底的所有表面上，配置介电层9。
[0100] 参照图9,在介电层9上层压导电层，然后进行光微影，而形成上电极11。
[0101] 下电极5a、介电层9与上电极11构成电容。
[0102] 下面的例子更详细地描绘了本发明的实施例。然而，这些实施例仅是例示，并非用 以限定本发明。
[0103] 比较例1
[0104] 以干氮气取代配备有搅拌器与温度控制器的2公升（2L)反应器的内部。接着，将 1，500g的干砒啶（pyridine)注入到反应器，且反应器保温在5°C。然后，以超过2小时的 时间，缓慢注入140g的二氯硅烷（dichlorosilane)。之后，缓慢注入85g的氨，同时搅拌 反应器4小时。接着，注入干氮气120分钟，且去除残余在反应器中的氨。获得的白色浆态 (white slurry-phased)产品在干氮气环境下经由 Ιμηι 铁氟龙（tetrafluoroethylene， TEFLON)过滤器进行过滤，得到1，000g过滤后的溶液。然后，将1，000g的干二甲苯加入过 滤后的溶液，藉由使用旋转的蒸发器将混合液（mixture)中的二甲苯以砒啶取代重复3次， 以将其固体浓度（solid concentration)调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μ m孔洞 尺寸的铁氟龙过滤器进行过滤。之后，将250g干砒啶加入所得到的氢化聚硅氮烷溶液中， 且此混合液于l〇〇°C聚合，直到重量平均分子量达到约3, 000时为止。
[0105] 当聚合终止时，藉由使用旋转的蒸发器将产品的溶剂在30 °C以二丁醚 (dibutylether)取代重复3次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有 0. 1 μηι铁氟龙过滤器进行过滤，获得氢化聚环氧娃氮烧。
[0106] 范例 1
[0107] 以干氮气取代配备有搅拌器与温度控制器的2公升（2L)反应器的内部。接着，将 1，500g的干砒啶注入到反应器，且反应器保温在5°C。然后，以超过2小时的时间，缓慢注 入140g的二氯硅烷。之后，以超过4小时的时间缓慢注入85g的氨，同时搅拌反应器。接 着，注入干氮气120分钟，且去除残余在反应器中的氨。获得的白色浆态产品在干氮气环 境下经由1 μιη铁氟龙过滤器进行过滤，得到1，000g过滤后的溶液。然后，将1，000g的干 二甲苯加入过滤后的溶液，藉由使用旋转的蒸发器将混合液中的二甲苯以砒啶取代重复3 次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μ m孔洞尺寸的铁氟龙过滤器 进行过滤。之后，将250g干砒啶加入所得到的氢化聚硅氮烷溶液中，且此混合液于100°C聚 合，直到重量平均分子量达到约4, 500时为止。
[0108] 当聚合终止时，藉由使用旋转的蒸发器将产品的溶剂在30°C以二丁醚取代重复3 次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μπι铁氟龙过滤器进行过滤， 获得氢化聚环氧硅氮烷。
[0109] 范例 2
[0110] 以干氮气取代配备有搅拌器与温度控制器的2公升（2L)反应器的内部。接着，将 1，500g的干砒啶注入到反应器，且反应器保温在5°C。然后，以超过2小时的时间缓慢注入 140g的二氯硅烷。之后，以超过4小时的时间缓慢注入85g的氨，同时搅拌反应器。接着， 注入干氮气超过120分钟，且去除残余在反应器中的氨。获得的白色浆态产品在干氮气环 境下经由1 μπι铁氟龙过滤器进行过滤，得到1，000g过滤后的溶液。然后，将1，000g的干 二甲苯加入过滤后的溶液，藉由使用旋转的蒸发器将混合液中的二甲苯以砒啶取代重复3 次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μ m孔洞尺寸的铁氟龙过滤器 进行过滤。之后，将250g干砒啶加入已得到的氢化聚硅氮烷溶液中，且此混合液于KXTC聚 合，直到重量平均分子量达到约7, 000时为止。
[0111] 当聚合终止时，藉由使用旋转的蒸发器将产品中的溶剂在30°C以二丁醚取代重复 3次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μ m铁氟龙过滤器进行过滤， 获得氢化聚环氧硅氮烷。
[0112] 范例 3
[0113] 以干氮气取代配备有搅拌器与温度控制器的2公升（2L)反应器的内部。接着，将 1，500g的干砒啶注入到反应器，且反应器保温在5°C。然后，以超过2小时的时间，缓慢注 入140g的二氯硅烷。之后，以超过4小时的时间缓慢注入85g的氨，同时搅拌反应器。接 着，注入干氮气超过120分钟，且去除残余在反应器中的氨。获得的白色浆态产品在干氮气 环境下经由Ιμπι铁氟龙过滤器进行过滤，得到l，000g过滤后的溶液。然后，将l，000g的 干二甲苯加入过滤后的溶液，藉由使用旋转的蒸发器将混合液中的二甲苯以砒啶取代重复 3次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以具有0. 1 μ m孔洞尺寸的铁氟龙过滤 器进行过滤。之后，将250g干砒啶加入已得到的氢化聚硅氮烷溶液中，且此混合液于100°C 聚合，直到重量平均分子量达到约22, 000时为止。
[0114] 当聚合终止时，藉由使用旋转的蒸发器将产品中的溶剂在30°C以二丁醚取代重复 3次，以将其固体浓度调整成20%，且得到的混合液以0. 1 μ m铁氟龙过滤器进行过滤，获得 氢化聚环氧娃氮烧。
[0115] 范例 4
[0116] 以干氮气取代配备有搅拌器与温度控制器的2公升（2L)反应器的内部。接着，将 1，500g的干砒啶注入到反应器，且反应器保温在5°C。然后，以超过2小时的时间缓慢注入 140g的二氯硅烷。之后，以超过4小时的时间缓慢注入85g的氨，同时搅拌反