专利名称：：切割/芯片焊接膜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种切割/芯片焊接膜(夕"Oy夕"■夕"<求乂卜、'7一少厶)，其在切割前在工件(半导体晶片等)上付设用于粘接碎片工件(于y:/状!7—夕)(半导体芯片等)与电极构件的胶粘剂的状态下，用于工件的切割。
背景技术：
：形成电路图案的半导体晶片(工件)根据需要通过背面研磨来调节厚度之后，切割成半导体芯片(碎片工件)(切割工序)。在切割工序中，为了除去切断层，通常在适度的液压(通常为约2kg/cm2)下洗涤半导体晶片。接着，用胶粘剂将所述半导体芯片粘接于引线框等被粘体上(安装工序)，然后，转移至接合工序。在上述安装工序中，在引线框和半导体芯片上涂布胶粘剂。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了一种切割/芯片焊接膜，其在切割工序中胶粘保持半导体晶片的同时，也提供安装工序中所需要的芯片粘接用的胶粘剂层(例如参照专利文献1)。专利文献1中所述的切割/芯片悍接膜，是通过以能剥离的方式在支撑基材上设置胶粘剂层而形成的。S卩，在胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后，将支撑基材拉伸使半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通过该胶粘剂层粘接于引线框等被粘体上。在这种切割/芯片焊接膜的胶粘剂层中，为了不产生不能切割和尺寸错误等，期待对半导体晶片的良好保持力、和能够使切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性。但是，使4这两个特性达到平衡绝非易事。特别是如用旋转圆刀等对半导体晶片进行切割的方式等所述，在对胶粘剂层要求大保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片焊接膜。为了克服上述问题，提出了各种改良方法(例如参照专利文献2)。专利文献2中提出了如下方法在支撑基材与胶粘剂层之间隔着能进行紫外线固化的粘合剂层，将其在切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离，使半导体芯片的拾取(匕°:y夕7、乂:/)变容易。但是，在以往的切割/芯片焊接膜中存在以下问题如果将切割膜与芯片焊接膜在贴合的状态下保存规定时间，则剥离性会随时间变化而下降。特别是在室温下保存时，即使通过紫外线照射使粘合剂层进行紫外线固化，剥离性也未充分下降，由此在半导体芯片的拾取时产生拾取不良。其结果是，在将以往的切割/芯片焊接膜保存规定时间的情况下，通过在低温下保存等来抑制紫外线固化后剥离性的下降。专利文献l:日本特开昭60-57642号公报专利文献2:日本特开平2-248064号公报
发明内容本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种切割/芯片焊接膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割膜和设置在该粘合剂层上的芯片焊接膜，其即使在室温下产品的保存稳定性也优异。本发明人为了解决上述现有问题而对切割/芯片焊接膜进行了研究。结果发现通过将粘合剂层的构成材料即丙烯酸类聚合物的酸值和碘值设定为规定值，即使在室温下保存规定时间，也可以防止紫外线固化后的剥离性的下降，从而完成了本发明。艮P，本发明的切割/芯片焊接膜为了解决上述课题而具有如下特征，其是具备在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜和设置在该粘合剂层上的芯片焊接膜的切割/芯片焊接膜，上述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，上述丙烯酸类聚合物的酸值为0.011，碘值在510的范围内。本发明的切割膜中的粘合剂层为放射线固化型，从切割膜上剥离芯片焊接膜时，通过放射线照射来降低粘合剂层的粘合力，从而试图提高剥离性。在此，作为粘合剂层的构成成分的丙烯酸类聚合物，本发明使用具有酸值为0.011、碘值为510的物性的丙烯酸类聚合物，由此例如即使在室温下保存一定时间，也可以抑制放射线照射后的粘合剂层的剥离性下降。即，如果为上述构成的切割/芯片焊接膜，则即使在室温下保存一定时间，也能抑制放射线固化后的剥离性的下降，产品的保存稳定性优异。其结果是，例如在将本发明的切割/芯片焊接膜适用于半导体装置的制造方法时，减少拾取不良的产生，能够抑制成品率。另外，上述酸值是指中和lg样品中含有的COOH基所需要的氢氧化钾的mg数。另外，上述碘值是指用如下百分率表示的值，即，使卤素作用于样品时将吸收的卤素的重量换算成碘的重量而得到的重量相对于样品的重量的百分率。上述构成中，上述丙烯酸类聚合物的羟值优选在730的范围内。由此，进一步抑制粘合剂层的放射线固化后的剥离性下降，半导体装置制造的成品率进一步下降。另外，上述羟值是指中和使乙酰化剂与lg样品反应而得到的乙酰化物所结合的乙酸需要的氢氧化钾的mg数。图1是表示本发明实施方式之一的切割/芯片焊接膜的截面示意图。6图2是表示本发明另一实施方式的其他切割/芯片焊接膜的截面示意图。图3是表示通过上述切割/芯片焊接膜中的芯片焊接膜来安装半导体芯片的例子的截面示意图。符号说明1基材2粘合剂层3芯片焊接膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘体7接合引线8密封树脂9隔离物10、11切割/芯片焊接膜具体实施例方式(切割/芯片焊接膜)参照图1和图2对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的切割/芯片焊接膜的截面示意图。图2是表示本发明的实施方式的另一切割/芯片焊接膜的截面示意图。其中，省略无需说明的部分，另外为了易于说明，存在放大或縮小等而进行图示的部分。如图1所示，切割/芯片焊接膜10的结构为具备在基材1上设有粘合剂层2的切割膜、和在该粘合剂层2上的芯片焊接膜3。另外，如图2所示，本发明也可以为仅在半导体晶片贴附部分形成芯片焊接膜3'的结构。上述基材1具有放射线透射性，并且是成为切割/芯片焊接膜10、U的强度母体的基材。例如，可以列举低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺纤维(纸)、玻璃、玻璃纤维、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、硅树脂、金属(箔)、纸等。另外，作为基材l的材料，可列举出所述树脂的交联体等聚合物。所述塑料薄膜可以无拉伸使用，也可以根据需要使用实施单轴或双轴拉伸处理后的薄膜。若采用通过拉伸处理等赋予了热收縮性的树脂片，则可以通过使其基材1在切割后进行热收縮而使粘合剂层2和芯片焊接膜3、3'的胶粘面积减小，从而可以实现半导体芯片回收的容易化。为了提高基材1的表面与邻接的层的密合性、保持性等，可以对其表面实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离放射线处理等化学上或物理上的处理、底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂敷处理。所述基材1可以适宜地选择使用同种类或不同种类的材料，可以根据需要使用将多种类混合制成的材料。另外，为了赋予基材1抗静电性，可以在所述基材1上设置由金属、合金、它们的氧化物等组成的厚度为约30约500人的导电性物质的蒸镀层。基材1可以为单层或2种以上的多层。基材1的厚度没有特别限制，可以适当地决定，但通常优选为约5,约200,。上述粘合剂层2含有放射线固化型粘合剂而构成。放射线固化型粘合剂可以通过放射线的照射使交联度增加，从而容易地使其粘合力降低。通过仅对图2所示的粘合剂层2的与半导体晶片贴附部分对应的部分2a进行紫外线照射，也可以设定与其他部分2b的粘合力之差。另外，作为放射线，可以列举紫外线和电子射线等。另外，通过使与图2所示的芯片焊接膜3'对应的放射线固化型的粘合剂层2固化，能容易地形成粘合力显著下降的上述部分2a。由于在固化、粘合力下降的上述部分2a上贴附芯片焊接膜3'，因此粘合剂层2的上述部分2a与芯片焊接膜3'的界面具有拾取时易于剥离的性质。另一方面，未照射紫外线的部分具有充分的粘合力，形成上述部分2b。如上所述，在图1所示的切割/芯片焊接膜10的粘合剂层2中，由未固化的放射线固化型粘合剂形成的上述部分2b与芯片焊接膜3粘合，能够确保切割时的保持力。这样，放射线固化型粘合剂能够以良好的胶粘/剥离平衡来支撑用于将半导体芯片粘接于衬底等被粘体的芯片焊接膜3。在图2所示的切割/芯片焊接膜11的粘合剂层2中，上述部分2b能够固定切割环。切割环可以使用例如由不锈钢制等金属形成的切割环或树脂制的切割环。所述放射线固化型粘合剂使用具有自由基反应性碳-碳双键等放射线固化性的官能团、且显示粘合性的放射线固化型粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，可以例示例如在丙烯酸类粘合剂中混合有放射线固化性单体成分或低聚物成分的添加型的放射线固化型粘合剂。丙烯酸类粘合剂是以丙烯酸类聚合物为原料聚合物的粘合剂，在避忌半导体晶片或玻璃等的污染的电子零件利用超纯水或酒精等有机溶剂的清洗性等方面优选。作为所述丙烯酸类聚合物，具体可以列举使用丙烯酸酯作为主要9单体成分的丙烯酸类聚合物。作为所述丙烯酸酯，可以列举例如丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一垸基酯、十二垸基酯、十三垸基酯、十四垸基酯、十六烷基酯、十八垸基酯、二十垸基酯等垸基的碳原子数为130、尤其是碳原子数为4~18的直链状或支链状烷基酯等)及丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)等。这些单体可以单独使用或2种以上并用。在上述例示的丙烯酸酯中，本发明优选使用由化学式CHfCHCOOR(式中，R是碳原子数为610、更优选为89的烷基)表示的单体。若碳原子数不足6，则粘合力变得过大，拾取性有时会下降。另一方面，若碳原子数超过10，则与芯片焊接膜的胶粘性降低，其结果在切割时有时会产生芯片分散。另外，当丙烯酸酯由化学式CH2=CHCOOR表示时，其含量优选相对于全部单体成分为5091摩尔％，更优选为8087摩尔％。若含量不足50摩尔％，则粘合力变得过大，拾取性有时会下降。另一方面，若超过91摩尔％，则粘合性降低，在切割时有时会发生芯片分散。此外，在由上述化学式表示的单体中，特别优选丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯。所述丙烯酸类聚合物，含有能与所述丙烯酸酯共聚的含羟基单体作为必须成分。作为含羟基单体，可以列举例如(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷基酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等。所述含羟基单体的含量，相对于丙烯酸酯，优选在1030摩尔％的范围内，更优选在1525摩尔。/。的范围内。若含量不足10摩尔。/。，则放射线照射后的交联不充分，切割时有时会在贴附于粘合剂层2的切割环上产生糊残留。另一方面，若含量超过30摩尔％，则粘合剂的极性提高，与芯片焊接膜的相互作用增加，由此使剥离变得困难。对所述丙烯酸类聚合物而言，为了重整凝聚力、耐热性等，可以根据需要含有与可以与所述丙烯酸垸基酯或环垸基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、丁烯酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙院磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可以共聚的单体成分可以使用l种或2种以上。这些可以共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量°/。以下。但是，在所述含羧基单体的情况下，由于该羧基与芯片焊接膜3中的环氧树脂中的环氧基反应，粘合剂层2与芯片焊接膜3的界面消失，两者的剥离性有时会下降。因此，含羧基单体的用量优选为全部单体成分的03重量％以下。此外，含羟基单体和含縮水甘油基单体，由于也可以与环氧树脂中的环氧基反应，因此优选与含羧基单体的情况同样。另外，这些单体成分中，本发明的粘合剂层2优选不含有丙烯酸。可以防止粘合剂层2与芯片焊接膜3的反应或相互作用，试图进一步提高拾取性。在此，所述丙烯酸类聚合物，不含多官能性单体作为共聚用单体成分。由此，多官能性单体不会在芯片焊接膜中发生物质扩散，可以防止由粘合剂层2与芯片焊接膜3的界面消失而引起的拾取性下降。另外，所述丙烯酸类聚合物可以含有具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物。作为所述异氰酸酯化合物，可以列举例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-a，a-二甲基苄基异氰酸酯等。11所述异氰酸酯化合物的含量，相对于含羟基单体，含量优选在7090摩尔％的范围内，更优选在7585摩尔％的范围内。若含量不足70摩尔％，则放射线照射后的交联不充分，切割时在贴附于粘合剂层的切割环上产生糊残留。另一方面，若含量超过90摩尔％，则粘合剂的极性提高，与芯片焊接膜的相互作用增加，由此使剥离变困难，拾取性降低。所述丙烯酸类聚合物通过将单一单体或2种以上的单体混合物进行聚合来得到。聚合可以通过溶液聚合、乳化聚合、本体聚合、悬浊聚合等任何方式来进行。从防止对洗净的被粘体的污染等方面考虑，优选低分子量物质含量小。从这方面考虑，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为约35万约IOO万，更优选为约45万约80万。通过使重均分子量为35万以上，防止成为低分子量聚合物，由此，例如在切割时可以防止从贴附于粘合剂层2的切割环上发生剥离。此外，由于防止放射线照射后的交联不足，因而在将切割环从粘合剂层2上剥离时，也能防止产生糊残留。另一方面，通过使重均分子量为100万以下，能够提高在基材1上形成粘合剂层2时的作业性。关于粘合剂层2的形成，例如可以在基材上涂布含有上述聚合物的粘合剂组合物的溶液后，使其干燥来进行，但是若聚合物的重均分子量超过100万，则由于粘合剂组合物溶液的粘度变得过大，因此导致该聚合物的聚合和涂布时的作业性下降。本发明的丙烯酸类聚合物的酸值在0.011的范围内，优选在0.051的范围内，更优选在0.10.5的范围内。若上述酸值不足0.05，则胶带复原性的改善效果有时下降。另一方面，若酸值超过l，则切割膜对于芯片焊接膜的粘合力提高，有时拾取变困难。有时会损害粘合剂的流动性。另外，碘值在510的范围内，优选在5.59的范围内。另外，若上述碘值不足5，则放射线照射后的粘合力的降低效果有时会不充分。另一方面，若碘值超过10，则切割膜对于芯片焊接膜的粘合力提高，有时拾取变困难。本发明的切割/芯片焊接膜，通过使上述酸值和碘值同时满足各自的数值范围，即使在较高温度(例如0°C40°C)下保存一定时间(例如约3天约2周)，也能抑制粘合剂层2的紫外线照射后的剥离性下降。另外，上述酸值的数值范围是通过基于JISK0070-1992的电位差滴定法测定得到的值。另外，上述碘值的数值范围是根据JISK0070-1992测定得到的值。此外，丙烯酸类聚合物的羟值优选在730的范围内，更优选在1025的范围内。若上述羟值不足7，则放射线照射后的粘合力降低效果有时变得不充分。另一方面，若羟值超过30，则切割膜对于芯片焊接膜的粘合力提高，有时拾取变困难。本发明的切割/芯片焊接膜，除了上述酸值和碘值外，通过进一步将羟值调节到上述数值范围内，可以进一步防止放射线固化后的剥离性下降，使产品的保存稳定性进一步提高。其结果，即使提高拾取时的拾取条件(例如针根数和针上推量)，也显示良好的拾取性，实现半导体装置的制造成品率的下降。另外，上述羟值的数值范围是通过基于JISK0070-1992的乙酰化法测定得到的值。显示上述数值范围内的酸值和碘值的丙烯酸类聚合物，例如可以通过日本特开平2-187478号公报等中现有公知的方法来制造。此时，通过调节丙烯酸的共聚量，可以将酸值调节到上述数值范围内。另外，通过调节甲基丙烯酸2-异氰酸酯基乙酯的添加量，可以将碘值调节到上述数值范围内。另外，通过调节甲基丙烯酸2-异氰酸酯基乙酯的添加量和丙烯酸-2-羟乙酯的共聚量，可以将羟值调节到上述数值范围内。另外，本发明的粘合剂层2，优选含有在分子中具有2个以上对羟基显示反应性的官能团的交联剂。作为对羟基显示反应性的官能团，可以列举例如异氰酸酯基、环氧基、縮水甘油基等。作为具有这样的官能团的交联剂，更具体可而言，可以列举异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮杂环丙烷类交联剂、三聚氰胺类交联剂等。作为所述异氰酸酯类交联剂，只要是分子中具有2个以上异氰酸酯基的异氰酸酯类交联剂即可，没有特别限制，可以列举例如甲苯二异氰酸酯、二苯基甲垸二异氰酸酯、己二异氰酸酯等。它们可以单独使用，也可以2种以上并用。作为所述环氧类交联剂，只要是分子中具有2个以上环氧基的环氧类交联剂即可，没有特别限制，可以列举例如乙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、间苯二酚二縮水甘油醚等。它们可以单独使用或2种以上并用。作为所述氮杂环丙烷类交联剂，只要是分子中具有2个以上氮杂环丙垸基的氮杂环丙垸类交联剂即可，没有特别限制。优选使用例如"-氮杂环丙烷基丙酸-2，2-二羟基甲基-丁醇-三酯、4,4，-双(亚乙基亚氨基羰基氨基)二苯基甲垸、2,4,6-(三亚乙基亚氨基)-均三嗪、1，6-双(亚乙基亚氨基羰基氨基)己垸等。它们可以单独使用或2种以上并用。所述交联剂的含量，相对于原料聚合物100重量份，优选在220重量份的范围内，更优选在415重量份的范围内。若含量不足2重量份，则紫外线照射后的交联不充分，拉伸弹性率下降。其结果是，在半导体晶片的切割时，在贴附于粘合剂层上的切割环上产生糊残留，在半导体芯片的拾取时，剥离力变得过大，拾取性下降。另一方面，若含量超过20重量份，则拉伸弹性率变得过大，其结果在切割时产生芯片分散。另外，在粘合剂中，根据需要，除了上述成分外，还可以使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。作为所混合的所述紫外线固化性单体成分，可列举出例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲垸四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外线固化性低聚物成分可列举出氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量优选在约100约30000的范围。紫外线固化性的单体成分或低聚物成分的混合量，可以根据所述粘合剂层的种类适当地决定能够使粘合剂层的粘合力降低的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等原料聚合物100重量份，例如为约5约500重量份，优选约40约150重量份。另外，作为放射线固化型粘合剂，除上述已进行了说明的添加型放射线固化型粘合剂以外，可列举出使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物作为原料聚合物的内在型放射线固化型粘合剂。内在型紫外线固化型粘合剂不必含有作为低分子量成分的低聚物成分等、或者含有的不多，因此，低聚物成分等不会历时性地在粘合剂中移动，能够形成具有稳定的层结构的粘合剂层，所以优选。即使在内在型的放射线固化型粘合剂的情况下，丙烯酸类聚合物的酸值和碘值也在上述数值范围内。另外，作为丙烯酸类聚合物的具体例子，可以列举上述例示的丙烯酸类聚合物。向所述丙烯酸类聚合物导入自由基反应性碳-碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，而自由基反应性碳-碳双键导入聚合物侧链的方法，其分子设计较容易。例如可以列举如下方法预先使具有羟基的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有可与该羟基反应的异氰酸酯基及自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物，在维持自由基反应性碳-碳双键的放射线固化性的状态下进行縮合或加成反应。作为具有异氰酸酯基及自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可以列举上述例示的异氰酸酯化合物。另外，作为丙烯酸类聚合物，使用将上述例示的含羟基单体或2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇一乙烯基醚等醚类化合物等共聚而成的物质。上述内在型的放射线固化型粘合剂可以单独使用上述具有自由基反应性碳-碳双键的原料聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，但在不使特性变差的程度下，也可以混合上述放射线固化性的单体成分或低聚物成分。通常，相对于原料聚合物i00重量份，紫外线固化性的低聚物成分等在30重量份的范围内，优选在010重量份的范围。在利用紫外线等放射线进行固化的情况下，所述放射线固化型粘合剂中含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举出例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、a-羟基-a,a'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等a-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-l等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚类化合物；苄基二甲基缩酮等縮酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；l-苯酮-l,l-丙烷二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯酰苯甲酸、3,3，-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基膦化氧；酰基磷酸酯等。相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等原料聚合物100重量份，光聚合引发剂的混合量为例如约0.05约20重量份。另外，作为放射线固化型粘合剂，可列举出例如日本特开昭60-196956号公报中所公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、镓盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘合剂或丙烯酸类粘合剂等。16作为在上述粘合剂层2上形成上述部分2a的方法，可以列举在基材1上形成放射线固化型粘合剂层2后对上述部分2a部分性的照射放射线而使其固化的方法。关于部分性的放射线照射，可以通过形成有与半导体晶片贴附部分3a以外的部分3b等对应的图案的光掩模来进行。另外，可以列举点式照射放射线而使其固化的方法等。放射线固化型粘合剂层2的形成，可以通过将设在隔离物上的粘合剂层转印到基材1上来进行。部分性的放射线固化也可以对设置于隔离物上的放射线固化型的粘合剂层2进行。在切割/芯片焊接膜10的粘合剂层2中，也可以对粘合剂层2的一部分进行放射线照射，使上述部分2a的粘合力<其他部分2b的粘合力。即，使用基材1的至少单面的与半导体晶片贴附部分3a对应的部分以外的部分的全部或一部分被遮光的基材1，在其上形成放射线固化型的粘合剂层2后，照射放射线，使与半导体晶片贴附部分3a对应的部分固化，可以形成粘合力下降的上述部分2a。作为遮光材料，可以通过印刷、蒸镀等制作能够在支撑膜上成为光掩模的材料。由此，能够高效地制造本发明的切割/芯片焊接膜10。另外，紫外线照射时，在由氧引起固化阻碍的情况下，优选由粘合剂层2的表面遮断氧(空气)。作为该方法，可以列举例如将粘合剂层2的表面用隔离物覆盖的方法、在氮气气氛中进行紫外线等紫外线的照射的方法等。另外，优选上述粘合剂层2的放射线照射前在23X:下的拉伸弹性率在0.43.5MPa的范围内，放射线照射后在23'C下的拉伸弹性率在7100MPa的范围内。若使放射线照射前的拉伸弹性率(23°C)为0.4MPa以上，则切割半导体晶片时半导体芯片的固定良好，其结果可以防止产生碎屑。另外，在剥离切割环时，可以防止产生糊残留。另—方面，若使拉伸弹性率(23'C)为3.5MPa以下，则可以防止在切割时产生芯片分散。另外，若使放射线照射后的拉伸弹性率(23°C)为7MPa以上，则实现拾取性的提高。粘合剂层2的厚度没有特别限制，但从兼具有防止芯片切断面的欠缺及固定保持胶粘层等方面考虑，优选为约1约5(Him。优选230|im、更优选525,。芯片焊接膜3可以为例如仅由胶粘剂层的单层构成的结构。此外，也可以将玻璃化转变温度不同的热塑性树脂、热固化温度不同的热固性树脂适当组合，制成2层以上的多层结构。另外，由于在半导体晶片的切割工序中使用切削水，因此有时芯片焊接膜3吸湿而得到常态以上的含水率。若在该高含水率的状态下与衬底等胶粘，则在后固化的阶段在胶粘界面上滞留水蒸汽，有时发生浮起。因此，作为芯片胶粘用胶粘剂，制成用芯片胶粘剂夹有透湿性高的芯材料的结构，由此在后固化阶段，可以使水蒸汽通过膜而扩散，从而避免所述问题。基于此观点，芯片焊接膜3可以为在芯材料的单面或双面上形成有胶粘剂层的多层结构。作为上述芯材料，可以列举膜(例如聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜等)、由玻璃纤维或塑料制无纺纤维进行强化而成的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。本发明的芯片焊接膜3含有环氧树脂作为主要成分而构成。环氧树脂在腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的方面优选。作为所述环氧树脂，只要是作为胶粘剂组合物通常使用的环氧树脂即可，没有特别限制，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、线性酚醛型、线性邻甲酚酚醛型、三羟苯基甲垸型、四羟苯基乙垸型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或乙内酰脲型、三縮水甘油基异氰脲18酸酯型或縮水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或两种以上并用。在这些环氧树脂中，尤其优选线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型树脂或四羟苯基乙烷型环氧树脂。其原因在于，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，且耐热性等优异。另外，芯片焊接膜3还可以根据需要适当并用其他热固性树脂和热塑性树脂。作为所述热固性树脂，可以列举酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用，或2种以上并用。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。另外，所述酚醛树脂是作为所述环氧树脂的固化剂而发挥作用的树脂，可列举出例如线性酚醛树脂、芳垸基酚树脂、线性甲酚酚醛树脂、叔丁基线性酚醛树脂、壬基线性酚醛树脂等线性酚醛型酚醛树脂、甲酚型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。它们可以单独使用或2种以上并用。这些酚醛树脂中，特别优选线性酚醛树脂、芳垸基酚树脂。其原因在于，这些酚醛树脂可以提高半导体装置的连接可靠性。所述环氧树脂和酚醛树脂的混合比例，优选的是例如所述环氧树脂成分中每1当量的环氧基混合酚醛树脂中0.52.0当量的羟基。更优选的是混合0.81.2当量的羟基。即，若两者的混合比例脱离所述范围，则不能进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易变差。作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或2种以上并用。在这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限定，可以列举以具有碳原子数为30以下、尤其是碳原子数为418的直链或支链垸基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的l种或2种以上为成分的聚合物等。作为所述烷基，可以列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一垸基、月桂基、十三垸基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二垸基等。另外，作为形成所述聚合物的其他单体，没有特别限定，可以列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或丁烯酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷基酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙垸磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体。在芯片焊接膜3的胶粘剂层中，为了预先进行一定程度的交联，优选在制作时添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高高温下的胶粘特性，试图改善耐热性。另外，在芯片焊接膜3的胶粘剂层中，还可以根据需要适当添加20其他的添加剂。作为其他的添加剂，可以列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。作为所述阻燃剂，可以列举例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可以单独使用或2种以上并用。作为所述硅垸偶联剂，可以列举例如|3-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、7-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或2种以上并用。作为所述离子捕获剂，可以列举例如水滑石类、氢氧化铋等。它们可以单独使用或2种以上并用。芯片焊接膜3的厚度没有特别限制，例如为约5约100pm，优选为约5约50pm。在切割/芯片焊接膜10、11中可以具有抗静电性。由此，能够防止在其胶粘时或剥离时等静电的产生以及通过由此引起的工件(半导体晶片等)带电而导致的电路破坏等。关于抗静电性的赋予，可以采用例如向基材1、粘合剂层2或芯片焊接膜3中添加抗静电剂或导电性物质的方法、向基材1附设由电荷移动络合物或金属膜等形成的导电层等适宜的方式来进行。作为这些方式，优选不易产生可能使半导体晶片变质的杂质离子的方式。作为为了赋予导电性、提高热传导性等而混合的导电性物质(导电填料)，可以列举银、铝、金、铜、镍、导电性合金等球状、针状、片状的金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。其中，在不使其发生电泄露的方面，优选所述芯片焊接膜3、3'为非导电性。所述切割/芯片焊接膜10、11的芯片焊接膜3、3'优选由隔离物进行保护(未图示)。隔离物具有供实际应用前作为保护芯片焊接膜3、3'的保护材料的功能。此外，隔离物还可以作为将芯片焊接膜3、3'转印至粘合剂层2时的支撑基材使用。将工件粘贴于切割/芯片焊接膜的芯片焊接膜3、3'上时剥离隔离物。作为隔离物，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、和由氟类剥离剂、长链21丙烯酸烷基酯类剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料膜和纸等。(切割/芯片焊接膜的制造方法)接着，以切割/芯片焊接膜10为例对本发明的切割/芯片焊接膜的制造方法进行说明。首先，基材1可以通过现有公知的制膜方法来制膜。作为该制膜方法，可以例示例如压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系内的膨胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等。接着，在基材1上涂布含有粘合剂的组合物，使其干燥(根据需要使其加热交联)形成粘合剂层2。作为涂布方式，可以列举辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等另外，可以直接在基材1上进行涂布，也可以在对表面进行剥离处理后的剥离纸等上涂布后，转印到基材1上。接着，在剥离纸上涂布用于形成芯片焊接膜3的形成材料，以得到规定厚度，然后在规定条件下干燥，形成涂布层。通过将该涂布层转印到所述粘合剂层2上，形成芯片焊接膜3。另外，也可以通过在所述粘合剂层2上直接涂布形成材料后在规定条件下干燥，来形成芯片焊接膜3。由此，可以得到本发明的切割/芯片焊接膜10。(半导体装置的制造方法)本发明的切割/芯片焊接膜10、11，适当剥离任意设置于芯片焊接膜3、3，上的隔离物后，如下使用。下面，参照图3，以使用切割/芯片焊接膜11的情况为例进行说明。首先，在切割/芯片焊接膜11的芯片焊接膜3'上压接半导体晶片4，将其胶粘保持进行固定(安装工序)。利用压接辊等挤压手段挤压的同时进行该工序。接着，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切割成规定尺寸而成多个片，制造半导体芯片5。切割是例如从半导体晶片4的电路面侧按照常规方法来进行。另外，在本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片焊接膜10为止的被称为全切的切割方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限制，可以使用现有公知的装置。另外，由于半导体晶片通过切割/芯片焊接膜IO迸行胶粘固定，因此可以抑制芯片欠缺和芯片分散，同时还能抑制半导体晶片4的破损。为了将在切割/芯片焊接膜10上胶粘固定的半导体芯片剥离，进行半导体芯片5的拾取。作为拾取方法，没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。例如可以列举如下方法等从切割/芯片焊接膜10侧通过针上推各半导体芯片5，利用拾取装置将被上推的半导体芯片5拾取。在此，由于粘合剂层2为紫外线固化型，因此在对该粘合剂层2照射紫外线后进行拾取。由此，粘合剂层2对于芯片焊接膜3a的粘合力下降，半导体芯片5的剥离变容易。其结果是，可以在不损坏半导体芯片的前提下进行拾取。对紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要来适当设定。另外，作为紫外线照射所使用的光源，可以使用上述光源。拾取的半导体芯片5隔着芯片焊接膜3a胶粘固定于被粘体6上(芯片焊接)。被粘体6载置于加热块9上。作为被粘体6，可以列举引线框、TAB膜、衬底或另行制作的半导体芯片等。被粘体6例如可以是容易变形的变形型被粘体，也可以是难以变形的非变形型被粘体(半导体晶片等)。作为所述衬底，可以使用现有公知的衬底。另外，作为所述引线框，可以使用Cu引线框、42Alloy引线框等金属引线框或由环氧玻璃、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等组成的有机衬底。但是，本发明并不限于此，也包括可以安装半导体元件、并与半导体元件电连接来使用的电路衬底。当芯片焊接膜3为热固化型时，通过加热固化，将半导体芯片5胶粘固定于被粘体6上，提高耐热强度。另外，通过半导体晶片贴附部分3a胶粘固定于衬底等的半导体芯片5可以用于回流焊工序。然后，进行用接合引线7将衬底的端子部(内引线)的顶端与半导体芯片5上的电极板(未图示)电连接的引线接合，然后用密封树脂8将半导体芯片密封，将该密封树脂8进行后固化。由此，制作本实施方式涉及的半导体装置。实施例以下，例示性地详细说明本发明的优选实施例。但是，该实施例记载的材料或混合量等，只要没有特殊限定的记载，则并不将该发明的范围仅限定于这些，这些只不过是简单的说明例。另外，各例中的份在无特别说明的情况下均为重量基准。(实施例1)<切割膜的制作〉在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下称为"2EHA")88.8份、丙烯酸-2-羟乙酯(以下称为"HEA")11.2份、过氧化苯甲酰0.2份和甲苯65份，在氮气流中6TC下进行聚合处理6小时，得到重均分子量为85万的丙烯酸类聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA和HEA的摩尔比为100摩尔比20摩尔。在该丙烯酸类聚合物A中加入2-甲基丙酰氧乙基异氰酸酯(以下称为"MOI")12份(相对于HEA为80摩尔％)，在空气气流中50匸下进行加成反应处理48小时，得到丙烯酸类聚合物A'。对于该丙烯酸类聚合物A'，通过后述方法测定得到的酸值为0.25，羟值为16，碘值为6.4。然后，在丙烯酸类聚合物A'100份中加入聚异氰酸酯化合物(商品名"-。承一卜L"、日本聚氨酯株式会社制)8份以及光聚合引发剂(商品名"O力'*二7651"、汽巴精化公司制)5份，制作粘合剂溶液。将上述制备的粘合剂溶液涂布于PET剥离衬里的经过硅酮处理的面上，在12(TC下加热交联2分钟，形成厚10pm的粘合剂层。接着，在该粘合剂层面上贴合厚100pm的聚烯烃膜。然后，在5(TC下保存24小时后，制作本实施例的切割膜。<芯片焊接膜的制作>相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制、商品名；八'，？口>W-197CM)100份，将环氧树脂1(JER株式会社制、二匕'-一卜1004)59份、环氧树脂2(JER株式会社制、二t'-一卜827)53份、酚醛树脂(三井化学株式会社制、商品名S^'7夕》XLC-4L)121份、球状二氧化硅(Admatechs株式会社制、商品名；SO-25R)222份溶解于甲乙酮，制备成浓度为23.6重量％。将该胶粘剂组合物的溶液涂布在作为剥离衬里(隔离物)的经过硅酮脱模处理的由厚38pm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脱模处理膜上，然后在130。C下干燥2分钟。由此，制作厚25pm的芯片焊接膜。然后，将芯片焊接膜转印到上述切割膜的粘合剂层侧，得到本实施例的切割/芯片焊接膜。〈重均分子量Mw的测定〉通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行重均分子量Mw的测定。测定条件如下所述。另外，重均分子量通过聚苯乙烯换算来算出。测定装置HLC-8120GPC(产品名、东曹公司制)色谱柱TSKgelGMH-H(S)X2(产品号、东曹公司制)流量0.5ml/min进样量100|_U柱温40°C洗脱液THF进样浓度0.1重量％检测器差示折射仪<酸值的测定>根据JISK0070-1992(电位差滴定法)对丙烯酸类聚合物A'的酸值进行评价。即，在干燥后的丙烯酸类聚合物A'约3g中加入丙酮100ml，搅拌使其溶解。在其中加入水25ml并进行搅拌。将该溶液用0.05摩尔/1的氢氧化钠溶液进行滴定。将中和样品lg所需要的氢氧化钾的mg数作为酸值来表示。<羟值的测定>根据JISK0070-1992(乙酰化法)对丙烯酸类聚合物A'的羟值进行评价。即，在干燥后的丙烯酸类聚合物A'约3g中加入乙酰化试剂10ml，然后加入吡啶30ml和二甲基甲酰胺30ml作为溶剂。将该溶液在具备冷却器的水浴中(95100°C)加热1小时30分钟。再加入水3ml后，加热10分钟。然后，冷却至室温，将冷却器用5ml的乙醇洗涤而加入。在该溶液中加入搅拌子，用磁力搅拌器进行搅拌的同时，采用电位差滴定装置用0.5摩尔/1的氢氧化钠溶液进行滴定。将使样品lg乙酰化时中和与羟基结合的乙酸所需要的氢氧化钠的mg数作为羟值来表示。<碘值的测定>根据JISK0070-1992对丙烯酸类聚合物A'的碘值进行评价。艮P,在干燥后的丙烯酸类聚合物A'约3g中加入氯仿30ml并使其溶解。26在其中加入韦氏液25ml并搅拌。然后，加栓使其为密闭状态，在23'C下在暗处放置1小时。在该溶液中加入碘化钾溶液20ml和水100ml并搅拌。将该溶液用0.1摩尔/1的硫代硫酸钠溶液进行滴定，溶液变微黄色后，加入数滴淀粉溶液，进行滴定至蓝色消失为止。将使样品100g与卤素反应时结合的卤素的量换算成碘的g数而得到的值作为碘值来表示。(实施例29)对于各实施例29，除了变更为下述表1所示的组成和含量以外，与上述实施例1同样操作来制作切割/芯片焊接膜。(比较例14)对于各比较例14,除了变更为下述表1所示的组成和含量以外，与上述实施例1同样操作来制作切割/芯片焊接膜。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>括号内的数值表示摩尔。其中，MOI中的括号内的树值表示相对于HEA的摩尔比另外，表1中记载的简称的意思如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯HEA:丙烯酸-2-羟乙酯AA:丙烯酸MOI:2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯C/L:聚异氰酸酯化合物(商品名"-a冬一卜L"、日本聚氨酯株式会社制)(切割)使用各实施例和比较例的各切割/芯片焊接膜，按以下的要领，实际进行半导体晶片的切割，评价各切割/芯片焊接膜的性能。将半导体晶片(直径8英寸、厚0.6mm)进行背面研磨处理，将厚0.15mm的镜面晶片作为工件使用。从切割/芯片焊接膜上剥离隔离物后，在该芯片焊接膜上于4(TC下将镜面晶片进行辊压接并使其贴合，然后进行切割。另外，切割是全切成lmm见方的芯片尺寸。对于切割后的半导体晶片和切割/芯片焊接膜，确认有无芯片分散。将即使有1个半导体芯片分散的情况也记作X，将无飞溅的情况记作O。晶片研磨条件、贴合条件和切割条件见后述。<晶片研磨条件〉研磨装置7V只〕公司制DFG-8560半导体晶片直径8英寸(背面研磨成厚0.6mm至0.15mm)<贴合条件>贴附装置日东精机制、MA-3000II贴附速度计10mm/min贴附压力0.15MPa贴附时的阶段温度4CTC<切割条件〉切割装置f'Y只〕公司制、DFD-6361切割环2-8-1(fV只〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片ZI;亍W7-公司制2050HEDDZ2;亍"7-公司制2050HEBB切割刀片转速Zl;40000rpmZ2;40000rpm刀片高度-Zl;0.215mm(取决于半导体晶片的厚度(晶片厚度为75fiim时，为0.170mm))Z2;0.085mm切割方式A模式/阶梯切割晶片芯片尺寸l.Omm见方(拾取)使用各实施例和比较例的各切割/芯片焊接膜，按以下的要领，在实际进行半导体晶片的切割后进行拾取，评价各切割/芯片焊接膜的性将半导体晶片(直径8英寸、厚0.6mm)进行背面研磨处理，将厚0.075mm的镜面晶片作为工件使用。将芯片焊接膜与芯片焊接膜贴合后，在23。C下放置1小时。然后，将芯片焊接膜的胶粘剂层上的隔离物剥离，在芯片焊接膜上于40'C下将镜面晶片进行辊压接并使其贴合。然后，在23。C下放置1小时后，进行镜面晶片的切割。切割是全切成lmm见方的芯片尺寸。接着，对各切割/芯片焊接膜进行紫外线照射，进行将它们拉伸而使各芯片间为规定间隔的扩展工序。另外，釆用针的上推方式从各切割/芯片焊接膜的基材侧拾取半导体芯片，评价拾取性。具体而言，连续拾取400个半导体芯片，将在后述条件A和B下进行时的成功率均30为100%的情况记为，将在条件A下进行时的成功率为100%而在条件B下进行时的成功率不是100%的情况记为〇，将在条件A和B下的成功率均不是100。/。的情况记为X。<晶片研磨条件>研磨装置亍'、^-公司帝UDFG-8560半导体晶片直径8英寸(背面研磨成厚0.6mm至0.075mm)<贴合条件>贴附装置日东精机制、MA-3000II贴附速度计10mm/min贴附压力0.15MPa贴附时的阶段温度40°C<切割条件>切割装置亍'、^-公司制、DFD-6361切割环2-8-1(于'、^3公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl;于'、》-公司制2050HEDDZ2;亍、》-公司制2050HEBB切割刀片转速Zl;40000卬mZ2;40000rpm刀片高度Zl;0.170mm(取决于半导体晶片的厚度(晶片厚度为75pm时'为0.170mm))Z2;0.085mm切割方式A模式/阶梯切割晶片芯片尺寸10.0mm见方<紫外线的照射条件>紫外线(UV)照射装置日东精机(商品名、UM-810希lJ)紫外线照射累计光量300mJ/cm2另外，紫外线照射从聚烯烃膜侧进行。<拾取条件〉关于拾取条件，按下述表2所示的条件A和条件B分别进行。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>(保存性试验1)将贴合有切割膜与芯片焊接膜的切割/芯片焊接膜在O'C下保存2周(相对湿度％)。然后，在与上述相同的条件下，进行拾取评价。将在条件A和B下进行时的成功率均为100%的情况记为◎，将在条件A下进行时的成功率为100%而在条件B下进行时的成功率不是100%的情况记为O，将在条件A和B下的成功率均不是100。/o的情况记为X。结果如表3所示。(保存性试验2)除了将保存期间的温度变更为23X:以外，与上述保存稳定性试验1同样操作，进行拾取评价。结果如表3所示。(保存性试验3)除了将保存期间的温度变更为4(TC以外，与上述保存稳定性试验l同样操作，进行拾取评价。结果如表3所示。(拉伸弹性率的测定)在样品尺寸为初期长度10mm、截面积0.10.5mm2，测定温度23。C，夹头间距离50mm，拉伸速度50mm/min的测定条件下，沿MD方向或TD方向进行拉伸试验，测定各方向上的样品的拉伸变化量(mm)。其结果是，在所得到的S-S曲线的初期立起部分引切线，将相当于该切线100%拉伸时的拉伸强度除以基材膜的截面积，得到拉伸弹性率。另外，关于紫外线照射后的拉伸弹性率的测定，是根据上述照射条件从聚烯烃膜侧照射紫外线后来进行。(切割环的糊残留)将切割膜从切割环上剥离，通过肉眼确认在切割环上是否产生糊残留。当确认有糊残留时记为X，当确认没有吋记为O。33表3<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>权利要求1.一种切割/芯片焊接膜，具备在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜、和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，其中，所述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，所述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内。2.如权利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸类聚合物的羟值在730的范围内。3.如权利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸类聚合物以丙烯酸酯作为主要单体。4.如权利要求3所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸酯为由CHfCHCOOR表示的单体，式中，R是碳原子数为610的垸基。5.如权利要求4所述的切害!j/芯片焊接膜，其中，由所述CH2=CHCOOR表示的单体，相对于全部单体成分，其含量在5091摩尔％的范围内，式中，R是碳原子数为610的垸基。6.如权利要求5所述的切害iJ/芯片焊接膜，其中，所述CH^CHCOOR为丙烯酸-2-乙基己酯、或者丙烯酸异辛酯，式中，R是碳原子数为610的烷基。7.如权利要求3所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸类聚合物含有与所述丙烯酸酯可共聚的含羟基单体作为必须成分。8.如权利要求7所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述含羟基单体的含量相对于所述丙烯酸酯在1030摩尔％的范围内。9.如权利要求l所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量在35万100万的范围内。10.如权利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述粘合剂层在放射线照射前的23'C下的拉伸弹性率在0.43.5Mpa的范围内，且在放射线照射后的23t:下的拉伸弹性率在7100Mpa的范围内。11.如权利要求1所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述粘合剂层含有在分子中具备2个以上对羟基显示反应性的官能团的交联剂。12.如权利要求11所述的切割/芯片焊接膜，其中，所述交联剂为选自异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮杂环丙垸类交联剂以及三聚氰胺类交联剂中的至少1种。全文摘要本发明提供一种切割/芯片焊接膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割膜和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，且即使在室温下产品的保存稳定性也优异。本发明的切割/芯片焊接膜具备在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜、和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，其特征在于，所述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，所述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内。文档编号C09J133/08GK101515564SQ200910006428公开日2009年8月26日申请日期2009年2月18日优先权日2008年2月18日发明者村田修平,松村健,神谷克彦申请人:日东电工株式会社