专利名称：一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法
技术领域：
本发明涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，尤其涉及一种能够得到有针对性的直观信息的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法。
背景技术：
对于非晶硅薄膜太阳能电池，一般采用多室连续沉积或者单腔室批量沉积，对于这两种情况，共同点是每一个电池的性能都与其批次相关，因此在分析某个不良芯片时，其相关芯片的性能信息对分析过程和处理方法非常重要。目前的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法存在如下缺陷
I、低功率芯片信息没有针对性从现有MES系统或者生产记录表并不能提供针对低功率芯片的特定信息，而需要人员从大量数据中手工筛选，比对后得到准确的信息；2、低功率芯片信息不完整现有MES系统或者生产记录表直观呈现的信息针对常规产品，对于不良品分析需要的相关信息并未包含完整，比如同一电极的孪生片，同一炉次的相关产品在不同阶段的信息并未包含；3、低功率芯片信息不直观或者不可以直接使用对低功率芯片的电性能用大量数字形式显示，而非图表等直观显示，并且数字可能不能直接转移，如复制、打印等，不利于低功率芯片的分析处理过程的顺利进行；4、分析处理过程效率低、准确性低由于现有手段获取的信息没有针对性、不完整、不直观，导致技术人员需要耗费大量精力去整理收集数据，并且可能造成错误处理。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种能够得到有针对性的直观信息的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法。为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案本发明所述非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤
(I)对每一个低功率芯片加贴一个标签,每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息
a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，C、电极位置的格式编码；(2)将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；(3)需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。具体地，所述步骤(I)中，所述关键工序为采用等离子体增强化学气相沉积法(简称PECVD)沉积硅膜作为太阳光吸收层。所述步骤(3)中，所述电性能测试结果为该芯片同一电极位置的孪生片的电性能参数时，以数据列表或者图表方式呈现；所述电性能测试结果为该芯片同批次的电性能测试结果时，以数据列表或者图表方式呈现；所述电性能测试结果为该芯片的异常处理历史信息时，以数据列表方式呈现。
本发明的有益效果在干通过本发明能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性，并提高了产品良率、生产效率,节约了生产成本。
图I为本发明实施例I的软件界面图；图2为本发明实施例2的软件界面图；图3为本发明实施例3的软件界面图。
具体实施例方式下面结合附图和具体的实施例对本发明作进ー步具体描述·本发明所述非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法如下首先，对每ー个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应ー个ID，该标签至少包括以下信息a、关键エ序的时间，b、沉积炉批次，C、电极位置的格式编码；然后，将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；最后，在需要时对非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片进行分析处理。上述关键エ序为采用等离子体增强化学气相沉积法(简称PECVD)沉积硅膜作为太阳光吸收层。上述数据库存储于软件系统中，后期对低功率芯片进行分析处理的过程也是以该软件系统的界面为基础的。下面结合针对不同的低功率芯片进行分析处理的实施例对本发明作进ー步具体说明实施例I :分析处理PECVD异常芯片如图I所示，输入编号HA212032801141105T的低功率芯片后，软件显示出该芯片已经经过处理，并且被判定为“再生”，其孪生片芯片测试电性能接近(左侧列表)，都是低功率，都没有形成组件(右侧列表为空)，同批次(72)的芯片大部分形成合格组件(下方图表)。因此可以得出结论芯片低功率原因是“RF电极异常”，处理方式为“再生”。实施例2 分析处理微短路芯片如图2所示，输入编号HA212041401136253T的低功率芯片后，软件显示出该芯片已经经过处理，并且被判定为“微短路”，其测试记录表明功率约测越高(左侧列表)，其孪生片芯片测试电性能与之差别大(左侧列表)，都是正常，并且已经形成组件(右侧列表)，同批次(72)的芯片大部分形成合格组件(下方图表)，包括4片孪生片(黒色)。因此可以得出结论芯片低功率原因是“微短路”，处理方式为“二次反压”，处理结果为制成合格品。实施例3 分析处理刻线不良芯片如图3所示，输入编号HA212041715539103T的低功率芯片后，软件显示出该芯片已经经过处理，并且被判定为“微短路”，其测试记录表明功率Pm与开路电压Voc成比例降低，短路电流Isc正常(左侧列表)，其孪生片芯片测试电性能与之差别大(左侧列表)，都是正常，并且已经形成组件(右侧列表)，同批次(72)的芯片大部分形成合格组件(下方图表)，包 括4片孪生片(黑色)。因此可以得出结论芯片低功率原因是“P3未刻断”，再经过对芯片本身观察之后给出处理方式为“P3重刻”，处理结果为制成合格品。
权利要求
1.ー种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，其特征在于包括以下步骤(I)对每ー个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应ー个ID，该标签至少包括以下信息a、关键エ序的时间，b、沉积炉批次，C、电极位置的格式编码；(2)将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；(3)需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试結果，以数据列表或者图表方式呈现。
2.根据权利要求I所述的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，其特征在于所述步骤(I)中，所述关键エ序为采用等离子体增强化学气相沉积法沉积硅膜作为太阳光吸收层。
3.根据权利要求I所述的非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，其特征在于所述步骤(3)中，所述电性能测试结果为该芯片同一电极位置的孪生片的电性能參数吋，以数据列表或者图表方式呈现；所述电性能测试结果为该芯片同批次的电性能测试结果时，以数据列表或者图表方式呈现；所述电性能测试结果为该芯片的异常处理历史信息吋，以数据列表方式呈现。
全文摘要
本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤(1)对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；(2)将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；(3)需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。通过本发明能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性。
文档编号H01L31/20GK102842654SQ20121030331
公开日2012年12月26日 申请日期2012年8月24日 优先权日2012年8月24日
发明者杨凯, 董德庆, 庄春泉, 汪涛, 唐茜 申请人:四川汉能光伏有限公司