专利名称：辐射线固化型粘合剂组合物及粘合片的制作方法
技术领域：
本发明涉及辐射线固化型粘合剂组合物及粘合片。
背景技术：
辐射线固化型粘合剂组合物由于可以通过照射辐射线而由具有强粘合性的状态固化，因此可以减小粘合性，从而可以简便地剥离。因此，适合在需要强粘合性与轻剥离力的相反特性的用途中使用。例如，将具有由这种辐射线固化型粘合剂组合物形成的粘合剂层的粘合片贴合在被粘物的表面上，保护或固定该表面，并且，在不需要它时，对被粘物上贴合的粘合片照射辐射线，粘合剂固化，从而减低了粘合性，可以用轻剥离力简便地剥离粘合片。尤其，作为半导体晶片等的切割用粘合片，需要在切割时半导体晶片不剥离的程度的粘合力，另一方面，在切割后进行拾取时，要求能够容易剥离、且以不破坏半导体晶片的程度的低粘合力容易地剥离。为此，提出了各种粘合片(例如专利文献1和2)。另外，还要求切割用粘合片具有低污染性、即对半导体晶片不产生残胶等，提出了尝试兼顾这些特性的再剥离片(例如，专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-019607号公报专利文献2 日本特开2007-220694号公报专利文献3 日本特开2001-2；34136号公报
发明内容
发明要解决的问题利用辐射线固化型粘合剂组合物的粘合片在进行所希望的处理之后，为了使剥离变得简便，通常照射辐射线，使粘合剂组合物固化，但为了缩短辐射线照射的处理时间以及减低成本等，尝试用少的辐射线照射量来减小剥离力。然而，存在以少的辐射线照射量没有使剥离力充分减小、被粘物上的剥离转印污染量增多等问题。本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种辐射线固化型粘合剂组合物及使用该组合物的粘合片，该组合物能以更少的辐射线照射量从被粘物容易地剥离，且能将被粘物上的剥离转印污染量抑制在最小限度。用于解决问题的方案本发明的辐射线固化型粘合剂组合物的特征在于，其含有基础聚合物，该基础聚合物含有具有选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的聚合性碳碳双键基团的至少一种单体来源的结构单元，该组合物还包含有助于辐射线固化的基团，有助于辐射线固化的基团具有与上述单体相同的聚合性碳碳双键基团。这种辐射线固化型粘合剂组合物优选的是，所述基础聚合物还含有具有所述有助于辐射线固化的基团的单体来源的结构单元，该结构单元包含于所述基础聚合物的侧链， 或者，所述有助于辐射线固化的基团以具有该有助于辐射线固化的基团的单体或低聚物的形式被含有。优选的是，所述基础聚合物含有具有甲基丙烯酰基的单体来源的结构单元，且所述有助于辐射线固化的基团为甲基丙烯酰基。另外，本发明的粘合片的特征在于，具有由所述辐射线固化型粘合剂组合物形成的粘合剂层。发明的效果根据本发明，可以获得能以更少的辐射线照射量用轻剥离力从被粘物容易地剥离且将被粘物上的剥离转印污染量抑制在最小限度的辐射线固化型粘合剂组合物以及使用该组合物的粘合片。
具体实施例方式本发明的辐射线固化型粘合剂组合物主要含有基础聚合物，该基础聚合物包含具有选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的一种聚合性碳碳双键基团的至少一种单体(以下有时简称为“具有聚合性碳碳双键基团的单体”)来源的结构单元。另外，该粘合剂组合物还包含有助于辐射线固化的基团，该基团具有与选自基础聚合物中的上述丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的一种聚合性碳碳双键基团相同的基团(以下有时简称为“有助于辐射线固化的基团”)。该有助于辐射线固化的基团可以以具有上述聚合性碳碳双键基团的单体(或低聚物)的形式存在。另外，也可以键合于基础聚合物的侧链，换而言之，基础聚合物还含有具有有助于辐射线固化的基团的单体来源的结构单元，该结构单元可以包含于基础聚合物的侧链。进而，根据基础聚合物的聚合方法，也可以包含在成为构成基础聚合物的聚合物 (共聚物)的结构单元的单体中而存在。其中，有助于辐射线固化的基团优选键合于基础聚合物的侧链。以下有时将选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的一种基团记载为“(甲基)丙烯酰基”。另外，术语“(甲基)丙烯酰基”包括丙烯酰基和甲基丙烯酰基二者。在本发明中，作为具有选自(甲基)丙烯酰基的聚合性碳碳双键基团的单体，可列举出饱和烃的(甲基)丙烯酸酯。饱和烃的碳原子数例如可列举1 30个左右，优选1 18个左右，更优选4 18个左右。作为饱和烃，可列举出烷基、环烷基或它们组合而成的基团。具体而言，可列举出 (甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯等。作为烷基，例如可列举出甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、癸基、十二烷基、 十三烷基、十八烷基等。作为环烷基，可列举出环丙基、环丁基、环己基等。另外，作为构成基础聚合物的、具有选自(甲基)丙烯酰基的聚合性碳碳双键基团的单体，为了改进内聚力、耐热性等，除了上述饱和烃的(甲基)丙烯酸酯以外，还可以含有可共聚的单体。作为可共聚的单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯等含羧基单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、 (甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基) 丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯 (例如甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、丙烯酰基吗啉、丙烯腈、N，N- 二甲基丙烯酰胺等侧链上含有氮的单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基酯等含烷氧基单体；2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些单体可以单独或将两种以上组合使用。另外，不组合使用丙烯酸系单体、甲基丙烯酸系单体，仅使用任一方。进而，作为构成基础聚合物的具有(甲基)丙烯酰基的聚合性碳碳双键基团的单体，为了交联，可以含有多官能单体。作为多官能性单体，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二 (甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些单体可以单独使用或将两种以上组合使用。另外，不组合使用丙烯酸系单体和甲基丙烯酸系单体，仅使用任一方。在本发明的辐射线固化型粘合剂组合物中，在丙烯酰基与甲基丙烯酰基共存的情况下，聚合反应所伴随的活性自由基的转移从丙烯酰基到丙烯酰基、从甲基丙烯酰基到甲基丙烯酰基、从甲基丙烯酰基到丙烯酰基以及从丙烯酰基到甲基丙烯酰基，但从甲基丙烯酰基到丙烯酰基时，反应特别难进行，有时成为不均一的聚合反应。因此，将2种以上的上述单体组合使用时，不组合丙烯酸系单体与甲基丙烯酸系单体，而是仅使用任一方。其中， 优选统一为具有甲基丙烯酰基的单体。这样具有适度的反应性，可以通过辐射线照射使聚合反应良好进行，并且可以防止因荧光灯等微弱的紫外线导致的不希望的固化。因此，以少的辐射线照射量，可以实现良好的剥离，并且可以实现低污染。尤其是作为构成基础聚合物的单体，优选不由具有丙烯酰基的单体构成而由仅具有甲基丙烯酰基的单体构成。基础聚合物可以单独使用上述单体进行聚合或使用两种以上单体的混合物进行聚合来获得。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意的聚合方式进行。
基础聚合物的重均分子量优选为50万以上，更优选为80万 300万左右。通过将基础聚合物的重均分子量调整在该范围内，可以减少低分子量物质(即低聚物)的含量， 因此，对于防止对被粘物的污染而言是有利的，低分子量物质不会经时在粘合剂中移动，可以形成稳定的辐射线固化型粘合剂组合物。予以说明，重均分子量是指利用凝胶渗透色谱法获得的聚苯乙烯换算值。有助于辐射线固化的基团通常来源于具有该基团的单体。作为具有这种基团的单体(以下有时称为“辐射线固化性单体”)，如上所述，可列举出具有选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的一种聚合性碳碳双键的单体。另外，也可以是该单体的低聚物。例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基) 丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基) 丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；酯-丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-3- 丁烯基氰脲酸酯；异氰脲酸酯、异氰脲酸酯化合物等。这些化合物可以单独使用或将两种以上组合使用。另外，不组合使用丙烯酸系单体与甲基丙烯酸系单体，而是仅使用任一方。进而，与上述构成基础聚合物的具有聚合性碳碳双键基团的单体统一。即，基础聚合物生成所伴有的残留单体的聚合性碳碳双键基团和有助于辐射线固化的聚合性碳碳双键基团均为丙烯酰基或均为甲基丙烯酰基时，辐射线固化所伴随的聚合反应没有拖延地进行，以少的辐射线照射量即可实现良好的剥离和低污染。其中，特别优选统一为甲基丙烯酰基。即，基础聚合物包含具有甲基丙烯酰基的单体来源的结构单元时，优选有助于辐射线固化的基团仅为甲基丙烯酰基。由此，可以确保上述效果、即反应的控制性。对使用辐射线固化性单体时的配合量没有特别限制，考虑到降低辐射线照射后的对被粘物的粘合力，相对于100重量份粘合剂组合物中的基础聚合物，辐射线固化性单体优选为1 100重量份，更优选为5 70重量份，进一步优选为10 50重量份。另外，该辐射线固化性单体如上所述可以键合于基础聚合物的侧链，作为该辐射线固化型单体来源的结构单元。对这种方法没有特别限制，可以利用本领域公知的任何方法。例如，对于在基础聚合物中导入聚合性碳碳双键基团的方法、即在基础聚合物侧链中导入辐射线固化性单体或有助于辐射线固化的基团的方法没有特别限制，可以采用各种方法。在基础聚合物的侧链中导入辐射线固化性单体或有助于辐射线固化的基团从分子设计的观点来看也是有利的。作为这种方法，例如可列举出预先使具有官能团的单体与基础聚合物共聚，其后， 在维持聚合性碳碳双键基团的辐射线固化性的状态下使具有可与该官能团反应的官能团与聚合性碳碳双键的化合物(即，辐射线固化性单体)缩合或进行加成反应的方法。作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧基与环氧基(尤其是缩水甘油基)、羧基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应跟踪的容易性来看， 羟基与异氰酸酯基的组合是优选的。另外，通过这些官能团的组合，只要是生成具有上述聚合性碳碳双键基团的基础聚合物的组合，官能团就可以在基础聚合物与上述化合物的任一方中。例如，基础聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的组合是优选的。作为具有聚合性碳碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸2-异氰酸根合乙酯等。另外，作为基础聚合物，可以使用上述含羟基单体的共聚物。作为具有羧基的单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、 (甲基)丙烯酸羧基戊酯等。作为具有缩水甘油基的单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基) 丙烯酸甲基缩水甘油酯等。予以说明，对用于使本发明的辐射线固化型粘合剂组合物固化的辐射线没有特别限制，可列举出电波、红外线、可见光线、紫外线、X射线、Y射线等各种辐射线，其中，从处理的容易性等观点考虑，优选紫外线、电子束等，特别优选紫外线。因此，可以使用高压汞灯、低压汞灯、黑光等。用于固化的辐射线的照射量没有特别限制，例如可列举出50mJ/cm2 左右以上。在通过紫外线等使本发明的辐射线固化型粘合剂组合物固化时，优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚；苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮类的芳香族酮类；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。相对于100重量份构成粘合剂的基础聚合物，光聚合引发剂的配合量例如为 0. 1 20重量份，优选为0. 5 10重量份左右。本发明的粘合片具有上述辐射线固化型粘合剂组合物作为粘合剂层。通常，粘合剂层配置在基材层的一侧而形成。另外，可以在粘合剂层的与基材层相反的一侧层叠隔离体。其中，这些层不一定只是一层，例如也可以是在基材层的两面具有粘合剂层的方式，在基材层与粘合剂层之间具有中间层、底涂层等的方式，在基材层的背面具有防静电层、背面轻剥离化处理层、摩擦减少层、易粘接处理层的方式等。粘合片可以形成为片状、卷筒状等对应用途的适宜的形状。例如，在晶片切割用途的情况下，优选使用预先切断加工为规定形状的粘合片。基材层构成粘合片的强度母体。对基材层的材料没有特别限制，特别适宜使用由塑料材料形成的薄膜。作为塑料材料，例如可列举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氟树脂、硅酮树脂、纤维素系树脂以及它们的交联体等聚合物等。这些聚合物可以单独使用或将两种以上组合使用。构成材料根据需要可以接枝官能团、功能性单体和改性单体等之后使用。基材层可以是单层或两种以上的层叠层。基材层例如为了赋予防静电能力，可以在其表面具有由金属、合金或它们的氧化物等形成的导电层。该情况下的导电层例如可以使用金属等的蒸镀层等，其厚度可列举为 3 50nm左右。为了使辐射线照射在辐射线固化型树脂组合物上，基材层优选至少透过一部分辐射线。此处的透过一部分是指50%左右以上、60%左右以上、70%左右以上或80%左右以上。为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，基材层的表面可以实施惯用的表面处理，例如无光泽处理、电晕放电处理、底漆处理、利用底涂剂的涂布处理、交联处理、铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理。对基材层的厚度没有特别限制，一般为10 300 μ m，优选为30 200 μ m左右。基材层可以利用以往公知的方法来成膜。例如，可列举出压延制膜、流延制膜、吹塑挤出、T型模挤出等。另外，在层叠层的情况下，可以进而利用共挤出法、干式层压法等惯用的薄膜层叠法。基材层可以以无拉伸的状态使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理。粘合剂层可利用上述辐射线固化型粘合剂组合物来形成。作为形成粘合剂层的方法，可以采用以往公知的方法。例如，可列举出在基材层表面上直接涂布粘合剂层的构成材料的方法；在涂布有脱模剂的片上涂布粘合剂的构成材料并干燥，形成粘合剂层之后，转印到基材层上的方法等。粘合剂层的厚度优选在1 50 μ m的范围内。贴附在粘合片上的被粘物在其处理 (例如切割)时有时振动。此时，如果其振动幅度大，则有时被粘物(例如切断芯片)产生缺口(破片)等。然而，通过将粘合剂层的厚度设定为50μπι以下，可以抑制对被粘物进行切割等时产生的振动的振动幅度变得过大。结果，可谋求减少切断芯片产生缺口，即破片。 另一方面，通过将粘合剂层的厚度设定为1 μ m以上，能可靠地保持被粘物，使得在切割等时被粘物不容易发生剥离。粘合剂层更优选设定在3 20 μ m的范围内。由此，可以进一步谋求减少破片的发生，且更可靠地固定切割时的被加工物，防止发生切割不良。隔离体具有保护粘合剂层、标签加工以及使粘合剂层的表面变得平滑的功能。作为隔离体的构成材料，可列举出纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂薄膜等。为了提高从粘合剂层剥离的剥离性，可以根据需要对隔离体的表面进行硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。另外，根据需要，为了防止粘合剂层因环境紫外线而发生反应，可以实施防紫外线处理。隔离体的厚度通常为10 200 μ m,优选为25 100 μ m左右。本发明的粘合片可以贴合在半导体晶片、半导体封装体、玻璃、陶瓷等各种被粘物上来使用。一般，以硅、锗、镓-砷等为材料的半导体晶片以大直径的状态制造之后，进行背面磨削(back grinding)，以达到规定的厚度，根据需要进行背面处理(蚀刻、抛光等)等。 接着，将固定于被称为切割框(dicing frame)的环状夹具的切割用粘合片贴附在半导体晶
8体的背面，切断分离(切割)为小片元件。接着，实施清洗工序、扩张工序、拾取工序、安装工序的各道工序。本发明的粘合片可适宜用于这种半导体装置的制造工序。例如，可以作为半导体晶片背面磨削用表面保护片或固定片、半导体晶片切割用表面保护片或固定片、半导体电路的保护用片等利用。具体而言，首先，将本发明的粘合片贴合在半导体部件等的半导体晶片上(安装工序)。安装工序是以粘合剂层侧为贴合面的方式使半导体晶片与粘合片重叠，通过压接辊等压制装置进行压制的同时进行的。另外，还可以在可加压的容器(例如高压釜等)中，将半导体晶片与粘合片重叠，通过对容器内加压来进行贴附。此时，可以在利用压制装置进行压制的同时进行贴附。另外，也可以在真空室内进行贴附。对贴附时的贴附温度等没有限制，例如优选为20 80°C。接着，对半导体晶片进行切割(切割工序)。切割工序是为了将半导体晶片分割为单片、制造半导体芯片而进行的。切割例如通过使刀片从半导体晶片的电路面侧高速旋转，将半导体晶片切断为规定的尺寸来进行。另外，可以采用切入到粘合片的被称完全切割的切断方式等。作为切断方法，可以利用用高速旋转的刀片、紫外线、红外线、可见光区域的激光等的方法；用金刚石刀具等在表面上施加切口，通过外力分割的方法；在被切断体的厚度方向的内部形成缺陷层，用外力分割的方法等以往公知的方法。此时，半导体晶片由于通过粘合片粘接固定，因此可以抑制芯片缺口、芯片飞溅，并且还可以抑制半导体晶片的破损。其后，拾取半导体芯片(拾取工序)。拾取工序是为了剥离粘接固定在粘合片上的半导体芯片而进行的。对拾取方法没有特别限制，可以采用以往公知的各种方法。例如，可列举出用针从粘合片侧将各个半导体芯片顶起，通过拾取装置拾取被顶起的半导体芯片的方法等。在拾取之前，对粘合剂层实施辐射线照射处理。由此，使粘合性降低，实现拾取的容易化。对辐射线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要适当设定。以下详细说明本发明的辐射线固化型粘合剂组合物及粘合片的实施例。(基础聚合物溶液的制备)如表1所示，将热聚合引发剂与溶剂投入到规定的单体(单位重量份)中。热聚合引发剂使用相对于单体总量为0.2wt%的2，2’ -偶氮二异丁腈(KISHIDA CHEMICAL Co.，Ltd.制造)，溶剂使用相对于单体总量为50重量％的醋酸乙酯。将该混合物投入到在IL圆底可拆式烧瓶中装备有可分离盖、分液漏斗、温度计、 氮气导入管、李比希冷凝器(Liebig condenser)、真空密封、搅拌棒、搅拌叶片的聚合用实验装置中。边搅拌所投入的混合物，边在常温下氮气置换1小时。在通入氮气的情况下，边搅拌，边用水浴将实验装置内溶液温度控制为60°C 士2°C，并保持6小时，获得基础聚合物 (BP)溶液。予以说明，在聚合途中，为了控制聚合中的温度，且为了防止单体侧链的极性基团等产生的氢键所引起的粘度的急剧上升，适当滴加醋酸乙酯。(基础聚合物溶液的侧链上的聚合性碳碳双键基团的导入)
将上述获得的基础聚合物溶液冷却至室温，如表1所示，添加丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(Karenz AOI ；昭和电工公司制造)或甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(Karenz MOI ； 昭和电工公司制造)，进而添加二月桂酸二丁基锡IV (和光纯药工业公司制造)，在空气气氛下，在50°C下搅拌、保持M小时，获得聚合物溶液。(粘合剂溶液的制备)在上述获得的基础聚合物溶液中混合光聚合引发剂、多异氰酸酯系交联剂、醋酸乙酯，均勻搅拌，获得粘合剂溶液。相对于基础聚合物，添加3重量份光聚合引发剂1-羟基环己基苯基酮(Irgacure 184 ；Ciba Specialty Chemicals公司制造)，相对于基础聚合物，添加3重量份多异氰酸酯系交联剂(Coronate L ；日本聚氨酯公司制造)。进而，添加醋酸乙酯，使得固体成分比为25重量％。在该混合物中，如表1所示添加作为辐射线固化低聚物(辐射线固化0)的含有丙烯酰基的U-4HA(新中村化学公司制造)或含有甲基丙烯酰基的U-4H(新中村化学公司制造)，获得粘合剂溶液。(粘合片的制作)用涂抹器将所得聚合物溶液或粘合剂溶液涂布于硅酮系剥离处理过的PET薄膜的剥离处理面上，在80°C的干燥机中干燥2分钟，获得厚度10 μ m的粘合剂层。作为基材层，通过T型模挤出将直链状低密度聚乙烯树脂成膜，对单面进行电晕处理，准备厚度100 μ m的薄膜。用手压辊将粘合剂层贴合在该基材层的电晕处理面上，在50°C下密合化处理72 小时，制作粘合片。(剥离转印污染性的评价)将上述粘合片贴合在分别于23°C (室温下)进行了镜面处理的镜面硅晶片 (silicon mirror wafer)(商品名"CZN<100>2. 5-3. 5 (4 英寸)”，信越半导体(株)制造) 上，放置1小时。其后，从胶带背面侧在两种下述条件下照射紫外线，对于剥离的硅晶片面，分别使用ESCA装置测定表面碳元素比率(；(％)。另外，对于初始的镜面硅晶片，使用ESCA装置测定表面碳元素比率C2(% )。测定条件如下所述。接着，根据C1(W)和C2 (%)的各值，使用下述计算式，计算表面有机物污染增加量 AC(% )。AC =表面碳元素比率(^(% )_表面碳元素比率(2(% )通过下式计算条件间的变化率，具有10%以上的变化率的情况评价为不良。(紫外线照射后的粘合力的评价)将上述粘合片切断为25mm宽度X 150mm长度，用^cg的辊使其贴合在分别于 230C (室温下)进行了镜面处理的镜面硅晶片(商品名“CZN<100>2. 5_3· 5 G英寸)”，信越半导体(株)制造)上，放置1小时。其后，从胶带背面侧在两种下述条件下照射紫外线，在剥离速度300mm/分钟、剥离角度90度下剥离，测定粘合力(单位N/25mm)。
通过下式计算条件间的变化率，具有20%以上的变化率的情况评价为不良。〈紫外线照射条件〉装置日东精机制UM-810照度70mW/cm2照射时间和光量条件(1)0. 5 秒 35mJ/cm2条件(2)5 秒;350mJ/cm2<ES CA表面分析的测定条件>装置ULVAC_PHI，Incorporated制造，Quantum 2000X 射线设置:200 μ πιΦ [30ff(15kV)]的点分析X 射线源monochrome AIKo光电子出射角45°〈条件间的变化率〉条件间的变化率=(条件⑴下的测定值-条件(2)下的测定值)/条件⑴下的测定值它们的结果在表2中示出。表 权利要求
1.一种辐射线固化型粘合剂组合物，其特征在于，含有基础聚合物，该基础聚合物含有具有选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基中的聚合性碳碳双键基团的至少一种单体来源的结构单元，该组合物还包含有助于辐射线固化的基团，该有助于辐射线固化的基团具有与上述单体相同的聚合性碳碳双键基团。
2.根据权利要求1所述的辐射线固化型粘合剂组合物，其中，所述基础聚合物还包含具有所述有助于辐射线固化的基团的单体来源的结构单元，该结构单元包含于所述基础聚合物的侧链上。
3.根据权利要求1或2所述的辐射线固化型粘合剂组合物，其中，所述有助于辐射线固化的基团以具有该有助于辐射线固化的基团的单体或低聚物的形式被含有。
4.根据权利要求1 3的任一项所述的辐射线固化型粘合剂组合物，其中，所述基础聚合物含有具有甲基丙烯酰基的单体来源的结构单元，且所述有助于辐射线固化的基团是甲基丙烯酰基。
5.一种粘合片，其特征在于，具有由权利要求1 4的任一项所述的辐射线固化型粘合剂组合物形成的粘合剂层。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种辐射线固化型粘合剂组合物及使用该组合物的粘合片，该组合物能以更少的辐射线照射量从被粘物容易地剥离，且能将被粘物上的剥离转印污染量压抑制在最小限度。该辐射线固化型粘合剂组合物含有基础聚合物，该基础聚合物含有具有选自丙烯酰基和甲基丙烯酰基的聚合性碳碳双键基团的至少一种单体来源的结构单元，该组合物还包含有助于辐射线固化的基团，该有助于辐射线固化的基团具有与上述单体相同的聚合性碳碳双键基团。
文档编号C09J133/00GK102585737SQ201110460450
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月28日 优先权日2010年12月28日
发明者高桥智一 申请人:日东电工株式会社