放射线固化型切割用粘合带的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本发明的放射线固化型切割用粘合带(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上设置有放射线固化型粘合剂层(3)的放射线固化型粘合带(1)，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。
【专利说明】放射线固化型切割用粘合带
【技术领域】
[0001]本发明涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而对其进行切割(dicing)时用于固定该半导体晶片等被切断体的粘合带。
【背景技术】
[0002]以往的半导体装置通过使设置于基板上的半导体芯片通过引线接合(wirebonding)进行导电连接而制造。近年来，对应于使机器进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，对以这些机器内部所使用的半导体装置为代表的电子部件也有同样的要求。为了实现电子部件的小型化，提出了例如层叠半导体芯片以实现高密度安装的三维安装技术(例如参照专利文献I)。此外，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了形成贯通芯片的电极(贯通电极)、并经由该电极层叠有称为插入物(interposer)的安装用芯片的半导体封装结构(例如参照专利文献2)。
[0003]目前正在研究如下技术:使形成有贯通电极的晶片切断分离成元件小片(半导体芯片)(切割(dicing)工序)，并且在对这些半导体芯片进行拾取的工序(拾取(pick-up)工序)中使用具有放射线固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。
[0004]在使用具有放射线固化型粘合层的切割用粘合带时，在切割工序中必须充分地保持晶片。然而，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面具有高度为3?几十ym的贯通电极的突起部。因此，即便贴合以往的切割加工用粘合带，大多也无法追随该突起部而无法保持晶片。另外，该结果会导致在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中利用被称为刀片(blade)的旋转刀刃对芯片进行单片化。在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间具有空隙而无法充分地保持晶片时，因切削时的冲击而使芯片振动，引起刀片与芯片的冲撞，产生芯片缺损(破裂(chipping))而降低芯片的成品率。
[0005]为了消除切割工序时的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分率及10°C的储存弹性模量在特定范围内的放射线固化型切割用粘合带(例如参照专利文献3)。对于专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，通过使其具有使凝胶分率和储存弹性模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序时的上述不良情况。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2002-50738号公报
[0009]专利文献2:日本特开2005-236245号公报
[0010]专利文献3:日本特开2006-202926号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的课题
[0012]然而，对于上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，在进行切割后，对粘合剂层照射放射线而使其固化，由此使粘合力降低，此时，由于粘合剂层固化收缩，因此使粘合剂层包住(日文原文:嚙> 二 ti.)贯通电极等的晶片表面的突起，导致产生无法良好地拾取经切割后的半导体芯片的问题。在上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带中，使用含有因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。然而，在粘合剂中产生气体的机制中，由于粘合剂变脆，因此可能产生粘合剂碎屑对芯片的附着(残胶)、使成品率降低。
[0013]因此，本发明的目的在于提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。
[0014]用于解决上述课题的手段
[0015]为了解决上述课题，本发明的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比为1.0?1.8。
[0016]上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量 G’ 为 1.8 X 14 ?4.7 X 14Pa0
[0017]此外，上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的损失系数tan δ为0.20?0.35。
[0018]此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合在切割半导体晶片时使用。
[0019]此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合使用在上述半导体晶片在与上述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差的情况。
[0020]发明效果
[0021]根据本发明，可减少切割工序中的破裂，且即使对设置有贯通电极的半导体芯片也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1是表示本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带的结构的示意性剖面图。
[0023]图2是表示使用本发明的实施例的放射线固化型切割用粘合带所切断的芯片的结构的示意性俯视图平面图。
【具体实施方式】
[0024]以下对本发明的实施方式进行详细说明。
[0025]本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带I在基材片2的至少一侧形成至少I层粘合剂层3。图1是表示本发明的放射线固化型切割用粘合带I的优选实施方式的示意性剖面图，放射线固化型切割用粘合带I具有基材片2，并且在基材片2上形成粘合剂层3。
[0026]对本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带I而言，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比(放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量)为1.0?L 8。
[0027]在放射线固化型切割用粘合带I的贴合粘合剂层3的面将具有突起物(bump)或段差的晶片贴合于放射线固化型切割用粘合带I时，优选使突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3中。在突起物或段差与放射线固化型切割用粘合带I之间具有空隙时，因切割工序中的旋转刀刃(刀片)的振动而使芯片大幅振动，引起芯片与刀片或相邻的芯片接触，产生芯片缺损。
[0028]另一方面，在突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3的情况下，可减低旋因转刀刃振动的影响，在构成粘合剂层3的粘合剂中使用放射线固化型粘合剂组成的情况下，由于粘合剂层3在密接于突起物或段差的状态下固化，因此在拾取工序时粘合剂层3会覆盖突起物或段差而产生无法拾取的不良情况。
[0029]此处，放射线固化型粘合剂是指:至少含有在分子内末端具有碳-碳不饱和键的化合物(a)及接受放射线而产生自由基的称为引发剂的化合物的粘合组合物。通过照射放射线，使引发剂活化，并利用所产生的自由基使末端的碳-碳不饱和键连续活化，由此化合物(a)逐渐键合而使化合物(a)彼此间形成交联。
[0030]在形成交联前，由于通过使分散于粘合剂中的多个化合物(a)交联而使其聚集并键合，因此粘合剂在交联后较交联前变得更硬。在密接于突起物或段差的状态下引起该交联反应时，由于变硬的粘合剂覆盖突起物或段差而阻害平顺地剥离。特别是在具有贯通电极的晶片中，由于贯通晶片内部而形成突起物，因此使芯片强度显著减弱，在阻碍剥离时，容易引起芯片破损。通过调整粘合剂的固化程度，可以使因该粘合剂固化而引起的对突起物或段差的覆盖得到抑制。
[0031]作为粘合剂的固化程度的指标，有放射线固化型切割用粘合带I的拉伸弹性模量。放射线固化前的拉伸弹性模量与固化后的拉伸弹性模量之比(放射线固化后的拉伸弹性/固化前的拉伸弹性模量)越接近1，意味着与交联形成前相比硬度变化越小。如上所述，放射线固化型的粘合剂层3通过照射放射线而发生固化反应，因此上述的比例通常大于I。该比例为1.8以下时，对突起物或段差的覆盖较小，可容易地进行拾取。该比例大于 1.8时，产生对突起物或段差的覆盖，在拾取工序的上顶(日文原文:突t上(f )时施加于芯片的应力变大，无法进行拾取或产生芯片破损。
[0032]另外，此处的拉伸弹性模量是依照JIS K 7127:1999所得的值。此外，一般而言基材片2较粘合剂层3的厚度更厚，且刚性更高，通过取得放射线固化型切割用粘合带I的拉伸弹性模量的比例，可比较仅粘合剂层3的拉伸弹性模量。
[0033]此处，放射线的照射量没有特别的限制，例如在照射紫外线时，优选为100~1000mJ/cm2，更优选为 200 ~500mJ/cm2。
[0034]为了防止半导体芯片破裂时，放射线固化前的粘合剂层3的储存弹性模量G’优选为 1.8X 14 ~4.7X 104pa,更优选为 2.0XlO4 ~4.7X 104pa。G，低于 1.8X 104pa 时，可使粘合剂层3充分地密接于突起物或段差，由于粘合剂层3过于柔软，因此无法抑制切割工序中的旋转刀刃振动，导致产生破裂。此外，G’大于4.7X 104pa时，无法使粘合剂层3充分地密接于突起物或段差而导致产生空隙，因此因切割工序中的旋转刀刃振动而导致产生破
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[0035]此外，为了维持粘合剂层3充分地密接于突起物或段差的状态，放射线固化前的粘合剂层3的损失系数tan δ优选为0.20~0.35，更优选为0.25~0.35。损失系数tan δ以储存弹性模量G’与损失弹性模量G”之比(G”/G’)来表示。在tanS过小时，即使在粘合剂层3可充分地密接于突起物或段差的情况下，也会由于排斥能力大而不易维持密接的状态。在tan δ过大时，由于排斥能力小，因此在单片化后进行拾取时变得不易传导来自下方的上顶夹具的应力。在粘合剂层3的损失系数tan δ小于0.20时，无法维持密接的状态，导致在晶片与粘合带之间产生空隙，可能会因上述的机制而使破裂恶化。在粘合剂层3的损失系数tan δ大于0.35时，由于在单片化后进行拾取时不易传导来自下方的上顶夹具的应力，不得不提闻上顶闻度，芯片破损的可能性变闻。
[0036]以下，详细说明有关本实施方式的放射线固化型切割用粘合带I的各构成要素。
[0037](基材片2)
[0038]关于构成基材片2的树脂，没有特别的限制，可使用可形成片状的树脂。例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物等。这些树脂可单独使用或2种以上混合使用，此外，也可采用2层以上的多层构成。
[0039]基材片2的厚度没有特别的限制，在该厚度过薄时，不易处理，在该厚度过厚时，由于在拾取工序时不易传导上顶夹具的应力，因此优选为50?150 μ m，更优选为70?100 μ m。
[0040]为了提高密接性时，也可对基材片2的与粘合剂层3接触的面实施电晕处理或底漆(primer)等的处理。
[0041](粘合剂层3)
[0042]构成粘合剂层3的粘合剂组合物优选使用例如日本特开平7-135189号公报等中记载的粘合剂组合物，但并不限定于此，可以使用对橡胶系或丙烯酸系的基础聚合物配合分子中具有至少2个放射线聚合性碳-碳双键的化合物(以下称为光聚合性化合物)及光聚合引发剂而成的粘合剂组合物、或者对丙烯酸系的基础聚合物加成具有碳-碳双键的化合物而成的粘合剂组合物。
[0043]作为在丙烯酸系聚合物中导入碳-碳双键的方法，没有特别的限制，例如可列举如下方法等:使用具有官能基的单体作为共聚性单体进行共聚，制备成含有官能基的丙烯酸系聚合物后，使具有能够与含官能基的丙烯酸系聚合物中的官能基反应的官能基及碳-碳双键的化合物，在维持碳-碳双键的放射线固化性(放射线聚合性)的状态下，与含有官能基的丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应，制备分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物。
[0044]上述橡胶系或丙烯酸系的基础聚合物可以使用:天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶系聚合物；或者聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与可同这些物质共聚的不饱和单体形成的共聚物等丙烯酸系聚合物。在使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作为构成基础聚合物的单体时，由于可更为提高拾取性，故优选。
[0045]作为光聚合性化合物，可列举例如:三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6_己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2_丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯等具有含碳-碳双键基团的氰脲酸酯系化合物?三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、2-羟基乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、双(2-丙烯酰氧基乙基)2-[(5_丙烯酰氧基己基)-氧基]乙基异氰脲酸酯、三(1，3_ 二丙烯酸氧基_2_丙基-氧基擬基氨基正己基)异氰服酸酯、二(1_丙烯酸氧基乙基_3_甲基丙烯酰氧基-2-丙基-氧基羰基氨基正己基)异氰脲酸酯、三(4-丙烯酰氧基正丁基)异氰脲酸酯等具有含碳-碳双键基团的异氰脲酸酯系化合物等。这些光聚合性化合物可单独使用或2种以上组合使用。
[0046]在放射线固化前后的拉伸杨氏模量比为1.8以下时，一分子中的碳-碳双键数没有特别的限制，一分子中的碳-碳双键数优选为2~6个。此外，光聚合性化合物的配合量也没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为10~90质量份，更优选为20~70质量份，进一步优选为20~60质量份。
[0047]放射线固化型粘合剂可通过在粘合剂中混入光聚合引发剂而产生基于放射线照射的聚合固化反应。作为此种光聚合引发剂，可列举例如:苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚系引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引发剂；α-羟基环己基苯基酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α ’ - 二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮等芳香族酮系引发剂；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮系引发剂；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2，4_ 二氯噻吨酮、2，4_ 二甲基噻吨酮、2，4_ 二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系引发剂；苯偶酰等苯偶酰系引发剂；苯偶姻等苯偶姻系引发剂;以及α-酮醇(ketol)系化合物(2-甲基-2-羟基苯丙酮等)、芳香族磺酰氯系化合物(2-萘磺酰氯等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等)、樟脑醌、卤化酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。光聚合引发剂可单独使用或2种以上组合使用。
[0048]光聚合引发剂的配合量没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为I~10质量份，更优选为2~7质量份。
[0049]此外，在上述粘合剂中可以根据需要配合异氰酸酯系固化剂。作为异氰酸酯系固化剂，具体而言，可以使用多价异氰酸酯系化合物，例如2，4_甲苯二异氰酸酯、2，6_甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯二异氰酸酯、1，4_ 二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷_4，4’ - 二异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4’_ 二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷_4，4’ - 二异氰酸酯、二环己基甲烷_2，4’ - 二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。
[0050]固化剂的配合量没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为0.01~10质量份,更优选为0.1~5质量份。
[0051]在用于形成放射线固化型粘合剂的粘合剂组合物中，也可以根需要含有例如增粘剂、抗老化剂、填充剂、着色剂、阻燃剂、防静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等公知的添加剂等。
[0052]本发明的粘合剂层3可利用公知的粘合剂层3的形成方法来形成。例如可以利用以下方法在基材片2上形成粘合剂层3，所述方法为:将上述粘合剂组合物涂布于基材片2的规定面而形成粘合剂层3的方法；或者将粘合剂组合物涂布于隔件(例如涂布有脱模剂的塑料制薄膜或薄片等)上而形成粘合剂层3后，将该粘合剂层3转印于基材片2的规定面的方法。粘合剂层3的厚度只要比突起物或段差高即可，没有特别的限制。
[0053]另外，图1示出了粘合剂层3具有单层形态的放射线固化型切割用粘合带1，也可具有层叠有多层的粘合剂层3的形态。在层叠有多层的粘合剂层3时，优选:在切割时具有贴合晶片的面的粘合剂层3为放射线固化型粘合剂层3，放射线固化前的储存弹性模量G’为1.8X 14?4.7X 14Pa,放射线固化前的损失系数tan δ为0.20?0.35。
[0054]此外，在直至供实际使用的期间，为了保护粘合剂层3，可以根据需要将通常作为隔件使用的合成树脂薄膜贴附于粘合剂层3侧。作为合成树脂薄膜的构成材料，可列举聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的合成树脂薄膜或纸等。为了提高自粘合剂层3的剥离性，可以根据需要对合成树脂薄膜的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。合成树脂薄膜的厚度通常为10?100 μ m、优选为25?50 μ m左右。
[0055]〈使用方法〉
[0056]以下，对本发明的放射线固化型切割用粘合带I的使用方法进行说明。
[0057]在将本发明的放射线固化型切割用粘合带I贴附到作为被切断物的半导体构件的安装(mount)工序后，依照常法进行切割，再移至放射线照射、拾取工序。作为半导体构件，可列举硅半导体、化合物半导体、半导体封装体、玻璃、陶瓷等，放射线固化型切割用粘合带I可适合用于切割具有贯通电极的半导体晶片。
[0058]在安装工序中，通常将被切断物与放射线固化型切割用粘合带I重叠，边利用使用压接辊的挤压方法等公知的挤压方法进行挤压，边进行被切断物与粘合带的贴附。在粘合带与被切断物的密接性不充分时，也可采用对被切断物进行加热的方法。
[0059]切割工序中，使刀片高速旋转，将被切断物切断成规定的尺寸。切割时可采用切入至部分切割带的称为全切割(full cut)的切断方式等。
[0060]在切割后，通过照射紫外线使粘合剂层3固化，以降低粘合性。通过照射紫外线，可使粘合剂层3的粘合性因固化而降低，使其容易剥离。此处，紫外线的照射量没有特别的限制，优选为100?1000mJ/cm2，更优选为200?500mJ/cm2。
[0061]在紫外线照射后，进行拾取工序。在拾取工序中可设置扩大工序。作为拾取方法，没有特别的限制，可采用以往公知的各种拾取方法。例如利用针等夹具将各切断片自切割带上顶，并通过拾取装置对被上顶后的切断片进行拾取的方法等。
[0062]实施例
[0063]以下，依照实施例更详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的限制。
[0064]〈构成粘合剂层的树脂组合物〉
[0065]作为构成粘合剂层的树脂组合物，制备了以下的A?H。
[0066](粘合剂组合物A)
[0067]相对于丙烯酸系聚合物(由丙烯酸乙酯23mol%、丙烯酸丁酯56mol%、丙烯酸甲氧基乙酯21mol %形成的丙烯酸系共聚物(重均分子量90万))100质量份，加入聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯工业株式会社制、商品名CORONATE L) 2质量份、作为光聚合性化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯30质量份、及光聚合引发剂(BASF公司制、商品名IRGACURE184) 2质量份并进行混合，制备成放射线固化性的粘合剂组合物A。
[0068](粘合剂组合物B)
[0069]除了将光聚合性化合物设定为季戊四醇三丙烯酸酯60质量份以外，与粘合剂组合物A同样地制备了粘合剂组合物B。
[0070](粘合剂组合物C)
[0071]除了将丙烯酸系聚合物设定为由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯形成的共聚物(重均分子量50万)以外，与粘合剂组合物A同样地制备了粘合剂组合物C。
[0072](粘合剂组合物D)
[0073]除了将光聚合性化合物设定为二季戊四醇六丙烯酸酯、且将配合量设定为20质量份以外，与粘合剂组合物C同样地制备了粘合剂组合物D。
[0074](粘合剂组合物E)
[0075]除了将光聚合性化合物的配合量设定为50质量份以外，与粘合剂组合物D同样地制备了粘合剂组合物E。
[0076](粘合剂组合物F)
[0077]除了将光聚合性化合物的配合量设定为80质量份以外，与粘合剂组合物D同样地制备了粘合剂组合物F。
[0078](粘合剂组合物G)
[0079]使由丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基乙酯形成的丙烯酸系共聚物100质量份，与作为具有光聚合性碳-碳双键及官能基的化合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工株式会社制、商品名KARENZ Μ0Ι)0.2质量份反应，得到对主链的重复单位键合了具有丙烯酸系单体部的残基的聚合物(重均分子量60万)，所述丙烯酸系单体部具有含放射线固化性碳-碳双键基团。相对于上述聚合物100质量份，加入聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯株式会社制、商品名CORONATE L)1质量份、及光聚合引发剂(BASF公司制、商品名IRGA⑶RE 184) 2质量份并进行混合，制备成放射线固化性的粘合剂组合物G。
[0080](粘合剂组合物H)
[0081]除了将聚异氰酸酯化合物的配合量设定为0.5质量份以外，与粘合剂组合物G同样地制备成粘合剂组合物H。
[0082](粘合剂组合物I)
[0083]除了将与丙烯酸系共聚物反应的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的配合量设定为0.6质量份以外，与粘合剂组合物G同样地制备了粘合剂组合物I。
[0084]<基材片>
[0085]作为基材片，准备了以下的J?L。
[0086](基材片J)
[0087]利用双轴混练机，在约200°C下使乙烯-甲基丙烯酸_(丙烯酸2-甲基-丙酯)-Zn++离聚物树脂(Du Pont-Mitsui Polychemicals C0.,Ltd.制、商品名 High MilanAM7316)进行薄膜挤出成形，并制造了厚度100 μ m的基材片J。
[0088](基材片K)
[0089]利用双轴混练机，在约200 °C下使乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(Nippon UnicarCompany Limited制、商品名NUC-3758)进行薄膜挤出成形,并制造了厚度100 μ m的基材片K0
[0090](基材片L)
[0091]准备了含有相对于聚氯乙烯树脂100质量份为30质量份的邻苯二甲酸二辛酯的聚氯乙烯片(厚度100 μ m)。
[0092]<放射线固化型切割用粘合带的制作>
[0093]如表1及表2所示，以使干燥后的厚度分别达到20 μ m的方式，将上述粘合剂组合物A~I涂布于各基材片J~L，形成粘合剂层，并制造了实施例1、3~9、比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带。此外，以使干燥后的厚度达到25μπι的方式，涂布粘合组合物A，形成粘合剂层，并制造了实施例2的放射线固化型切割用粘合带。
[0094]<粘合带的杨氏模量比>
[0095]使用实施例1~9及比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带，依据JISΚ7127/2/300，制作试验片并实施拉伸试验，计算出紫外线照射前的杨氏模量。此外，自粘合带试验试料的基材片侧照射200mJ/mm2的紫外线,使粘合剂层固化后，实施同样的试验，计算出紫外线照射后的杨氏模量。任一试验的试验结果均为测定数η = 5的平均值。由这些结果计算出杨氏模量比((紫外线照射后)/(紫外线照射前))。其结果如表1及表2所示。
[0096]<粘合剂层的粘弹性>
[0097]以使干燥后的厚度分别达到20 μ m的方式，将粘合剂组合物A~I涂布于脱模薄膜上，形成粘合剂层后，自脱模薄膜剥离粘合剂层，以使总厚度约为2mm的方式将其进行重叠，制作试验样品。将该试验样品冲切成直径8mm的圆盘状，以平行刀片将其夹持，使用粘弹性测定装置(TA Instruments公司制、商品名ARES)，以下述条件进行测定。从所取得的数据记录储存弹性模量G’的最大值及最小值、以及损失系数tan δ的最小值。其结果如表I及表2所示。
[0098](测定条件)
[0099]测定温度:23~80°C
[0100]升温速度:5°C/min
[0101]测定频率:0.15Hz
[0102]<放射线固化型切割用粘合带的评价>
[0103]准备了以100 μ m间隔形成有直径10 μ m的球状突起物5 (参照图2)，的8英寸、厚度30 μ m的Si晶片。然后，将实施例1~8及比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带与环架(ring frame) 一起贴合。
[0104](埋入性评价)
[0105]以目视从贴合后的放射线固化型切割用粘合带面的上方观察球状突起物周围有无气泡。将无气泡的情况设定为“ ◎”，将气泡大小为ΙΟμπι以下的情况设定为“〇”，将气泡大小大于10 μ m的情况设定为“ X ”。其结果如表1及表2所示。
[0106](贴合后的经时变化评价)
[0107] 在贴合后，在切割卡匣(cassette)上放置I小时后，实施与评价埋入性同样的评价。将与埋入性评价相比没有变化的情况设定为“〇”，将气泡尺寸的扩大幅度为5μπι以下的情况设定为“Λ”，将气泡尺寸的扩大幅度大于5 μ m的情况设定为“ X ”。其结果如表1及表2所示。
[0108]然后，使用切割装置(DISCO株式会社制、商品名DAD-340)，如图2所示，以使芯片4的尺寸达到1mm见方的方式，以下述条件实施了切割。另外，球状突起物5如图2所示那样形成，而并未形成在切割道(scribe line)上。
[0109](切割条件)
[0110]刀片:DISCO株式会社制“27HECC”
[0111]刀片转速:40000rpm
[0112]切割速度:50mm/sec
[0113]切割深度:25 μ m
[0114]切割模式:向下切割
[0115](拾取性评价)
[0116]自放射线固化型切割用粘合带的基材片侧照射200mJ/mm2的紫外线，使粘合剂层固化后，将单片化的芯片使用芯片拾取装置(Canon Machinery株式会社制、商品名CAP-300II)进行拾取。将任意的50个芯片以下述条件A及条件B进行拾取，计算成功拾取的芯片数，将成功地拾取全部50个芯片的情况设定为“〇”，将成功地拾取45~49个半导体芯片的情况设定为“Λ”，除此以外设定为“ X ”，由此评价了拾取性。其结果如表1及表2所示。另外，拾取失败是指无法剥离的情况及在拾取到的芯片上带入裂纹的情况。
[0117](拾取条件A)
[0118]针数:5根
[0119]针的间隔:7.8X7.8mm
[0120]针尖端曲率:0.25mm
[0121]针上顶量:0.30mm
[0122](拾取条件B)
[0123]针数:5根
[0124]针的间隔:7.8X7.8_
[0125]针尖端曲率:0.25mm
[0126]针上顶量:0.40mm
[0127](破裂性评价)
[0128] 以光学显微镜观察30片在破裂性评价中采取的芯片的里面，测定破裂的大小。将从芯片前端至破裂最深处的距离为5μπι以下的情况设定为“〇”，将从芯片前端至破裂最深处的距离为6~15 μ m的情况设定为“Λ”，将从芯片前端至破裂最深处的距离大于15 μ m的情况设定为“ X ”。其结果如表1及表2所示。
[0129][表1]
[0130]
【权利要求】
1.一种放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带， 其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比例即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0?1.8。
2.根据权利要求1所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G’为1.8X 14?4.7X 14Pa0
3.根据权利要求1或2所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层在放射线固化前的损失系数tan δ为0.20?0.35。
4.根据权利要求1?3中任一项所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其在切割半导体晶片时使用。
5.根据权利要求4所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述半导体晶片在与所述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差。
【文档编号】C09J201/00GK104081500SQ201380007115
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年9月20日 优先权日:2012年9月27日
【发明者】大田乡史, 玉川有理, 矢吹朗, 服部聪 申请人:古河电气工业株式会社