1. 一种可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：采用无毒材料Ni, Cu, In，按照如下步骤制备CuNiInS四元稀磁量子点：在氮气环境下向正十二硫醇溶液中加入Ni2+,Cu+ , In3+，加热形成CuNiInS四元量子点核，得到CuNiInS 核溶液；然后再降低温度将Zn前驱体分散在CuNiInS 核溶液中；随后再加热，直到ZnS壳层生长完成；
CuNiInS成核温度控制在195-205℃,核生长时间控制在80-100min；
Zn前驱体分散在CuNiInS 核溶液中的温度控制在20-60℃；
ZnS壳层生长时的温度控制在220-235℃，ZnS壳层生长的时间控制在100-120min。
2.如权利要求1所述的可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：所述的Cu+，Zn2+，In3+，Ni2+分别来自碘化亚铜,醋酸锌，醋酸铟，醋酸镍；S源为：在加热下分解的正十二硫醇溶液。
3.如权利要求1所述的可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：所述的Ni2+,Cu+,In3+的加入量的物质的量比为6:12:28，Ni2+与正十二硫醇溶液的摩尔体积比为0.01mmol:12mL。
4.如权利要求1所述的可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：Zn与(Cu+In)的摩尔比为1.75到3.5之间。
5.如权利要求1所述的可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：Ni与(Cu+In)的质量比控制在3%到15%。
6.如权利要求1所述的可调节荧光和室温铁磁性的四元稀磁量子点材料的制备方法，其特征在于：Cu与(Cu+In)的质量比控制在20%到70%之间，能够将该量子点的荧光峰位从605nm调到642nm。