1.一种半导体用粘合剂组合物，包含以下组分并且满足IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1：
热塑性树脂，当暴露于85℃和85％RH的条件168小时时，其吸湿性为1.7重量％或更低；
环氧树脂，其包含软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂；以及
固化剂，其包含基于酚醛清漆的酚树脂。
2.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1定义为这样的状态，其中当具有50mm(宽度)×50mm(长度)的尺寸和2g的重量的试样暴露于85℃的温度和85％相对湿度的条件168小时，然后在260℃的最高温度下通过IR回流装置三次，并且使用IPC/JEDEC J-STD-020D的IR回流装置测量时，在试样的表面上不产生气泡或不发生气泡的破裂。
3.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中基于所述热塑性树脂、所述环氧树脂和所述固化剂的总重量，所述软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂的重量占比为5重量％或更多。
4.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中基于所述热塑性树脂、所述环氧树脂和所述固化剂的总重量，所述软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂的重量占比为6重量％至30重量％。
5.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述基于联苯的环氧树脂包含联苯酚醛清漆环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述基于联苯的环氧树脂包含平均环氧当量为220至300g/eq的联苯酚醛清漆环氧树脂。
7.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述环氧树脂还包含选自以下中的一种或更多种环氧树脂：软化点为50℃至100℃的甲酚酚醛清漆型环氧树脂和软化点为50℃至100℃的双酚A环氧树脂。
8.根据权利要求7所述的半导体用粘合剂组合物，
其中基于所述软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂，所述环氧树脂包含重量占比为0.25至1.25的选自以下中的一种或更多种环氧树脂：软化点为50℃至100℃的甲酚酚醛清漆型环氧树脂和软化点为50℃至100℃的双酚A环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述基于酚醛清漆的酚树脂的软化点为60℃或更高。
10.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述基于酚醛清漆的酚树脂的羟基当量为80g/eq至300g/eq，以及软化点为60℃至150℃。
11.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述基于酚醛清漆的酚树脂还包含选自以下中的一种或更多种：酚醛清漆酚树脂、新酚酚醛清漆酚树脂、甲酚酚醛清漆酚树脂、联苯酚醛清漆酚树脂和双酚A酚醛清漆酚树脂。
12.根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述热塑性树脂包含选自以下中的一种或更多种聚合物树脂：聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和(甲基)丙烯酸酯类树脂。
13.根据权利要求12所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述(甲基)丙烯酸酯类树脂是包含含环氧类官能团的(甲基)丙烯酸酯类重复单元且玻璃化转变温度为-10℃至25℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂。
14.根据权利要求12所述的半导体用粘合剂组合物，
其中所述(甲基)丙烯酸酯类树脂包含0.1重量％至10重量％的含环氧类官能团的(甲基)丙烯酸酯类重复单元。
15.一种切割管芯粘结膜，包含基础膜，形成在所述基础膜上的粘性层，以及形成在所述粘性层上的包含根据权利要求1所述的半导体用粘合剂组合物的粘合剂层。
16.根据权利要求15所述的切割管芯粘结膜，
其中所述切割管芯粘结膜满足IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1。
17.一种用于切割半导体晶片的方法，包括以下步骤：部分地预处理半导体晶片，所述半导体晶片包含根据权利要求15所述的切割管芯粘结膜和层合在所述切割管芯粘结膜的至少一侧上的晶片，以便完全切割或可切割；以及
用UV照射所述预处理的半导体晶片的基础膜，以及拾取通过所述半导体晶片的切割而分离的单独芯片。